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  • 本发明公开了一种基于声源分辨和声源判断的声源定位测试方法及系统,包括将标准声源以及偏差声源按照范式逻辑顺序依次循环播放;将标准声源以及偏差声源的音频控制时序与脑电数据采集时序进行时间轴同步标记,并记录同步标记后的脑电数据,通过特征提取方式筛...
  • 本申请公开了一种中扫组件及清洁设备,该清洁设备包括中扫组件,该中扫组件包括外壳体、清洁部件以及驱动部件。其中,外壳体上开设有安装槽,清洁部件可转动地设置在安装槽内,驱动部件与清洁部件直接连接,以驱动清洁部件在安装槽内转动,且清洁部件的转动轴...
  • 本发明专利公开了一种具有舀汤、去油、过滤功能的多功能汤勺,涉及厨具和餐具技术领域。其技术方案要点是:本方案包含(1)汤勺主体和(2)调节开关。所述(1)汤勺主体上设置有(3)漏水孔,所述(1)汤勺主体和(2)调节开关通过卡扣连接在一起,通过...
  • 本发明公开了一种智能铺床设备,属于铺床设备技术领域,包括丝杆滑台、智能铺床柜、用于进行移动的自锁万向轮、用于对被子进行折叠收纳铺设的被子折叠收纳铺设装置、用于对床单进行折叠收纳铺设的床单折叠收纳铺设装置和用于对枕头进行铺设放置的枕头铺设装置...
  • 本发明涉及沙漠林木育种育苗技术领域,尤其涉及一种沙漠地区道路两侧树木灌溉智能监测系统,环境读取模块;巡航规划模块,用以根据植物长势对巡航路线进行规划;灌溉管控模块,用以根据巡航路线对灌溉水量进行分析;灌溉监测模块,用以根据图像碎片对植物灌溉...
  • 本发明公开了一种不结零余子山药复壮种苗培养方法,所述方法包括复壮种苗培养所需茎枝类型和规格,植物生长调节剂诱导茎枝生根和发芽,种苗培养及规模化移栽技术。本发明应用植物生长调节剂诱导山药茎枝生根和发芽,进而培养成山药复壮种苗。利用该方法培育的...
  • 本申请涉及钙钛矿电池技术领域,提供一种钙钛矿电池及其制备方法、叠层电池以及光伏组件,至少可以提高钙钛矿电池的效率。钙钛矿电池包括透明导电基底、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层和电极,其中,空穴传输层包括空穴传输材料,空穴传输材料化学式如...
  • 本申请涉及钙钛矿电池技术领域,提供一种钙钛矿电池及其制备方法、叠层电池以及光伏组件,至少可以提高钙钛矿电池的效率。钙钛矿电池包括透明导电基底、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层和电极,其中,空穴传输层包括空穴传输材料,空穴传输材料化学式如...
  • 本申请涉及钙钛矿电池技术领域,提供一种钙钛矿电池及其制备方法、叠层电池以及光伏组件,至少有利于提高钙钛矿电池的效率同时降低HTMs的成本。钙钛矿电池包括透明导电基底、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层和电极,其中,空穴传输层包括空穴传输材...
  • 本发明公开了一种实现太赫兹上转换发光的超表面结构,属于光学技术领域,包括二氧化硅基底、金属微结构单元、量子点发光材料,还创新性地设置了介电隔离层和表面等离子体增强层,介电隔离层减少金属对量子点的猝灭效应,表面等离子体增强层增强局域电场。该实...
  • 本申请实施例提供了一种光伏组件,光伏组件包括胶点、多个电池片和多个焊带,相邻电池片通过焊带连接,胶点用于粘接焊带和电池片。电池片的第一侧具有第一连接区和第二连接区,第二侧具有第三连接区和第四连接区,第一连接区和第三连接区位于电池片的相对两端...
  • 本申请涉及一种光伏电池的制备工艺及光伏电池,制备工艺包括:提供硅基底,在硅基底表面制备钝化层;在钝化层上转印导电浆料;将带有导电浆料的硅基底转运至干燥装置,使导电浆料干燥定型;将干燥定型后的导电浆料烧结固化,形成栅线。干燥装置能够使导电浆料...
  • 本发明公开了一种基于低硼掺杂的金刚石深紫外光电探测器,属于半导体器件技术领域。通过低硼掺杂在金刚石中引入了适量的受主能级,形成了p型导电沟道,这种导电沟道为光生载流子(电子和空穴)提供了高效的传输路径,提高了光电流,同时低硼掺杂减少了热激发...
  • 本发明涉及光电子器件制造领域,特别涉及一种基于铒磷共掺杂的WS2/Si2H范德华异质结的光电探测器,光电探测器的制造方法包括:采用常压化学气相沉积法,在表面附有H键的硅片上生长铒磷共掺杂的WS
  • 本发明涉及光电器件制造技术领域,特别涉及一种基于铒和镱共掺杂的WS2(Er‑Yb)/Si(P)光电探测器,器件的制造方法包括:对硅基底进行分割与清洗;基于改进的化学气相沉积方法在基底上制备铒和镱共掺杂WS2<...
  • 本发明公开了一种基于重金属离子局部扩散的开关晶体管及其制备方法,旨在于克服现有技术制备的开关晶体管重金属掺杂导致的产品参数退化的不足。制备方法包括去除待处理晶圆P型掺杂区和N型掺杂区之外的重金属离子结构,获得局部涂覆重金属离子的晶圆;对局部...
  • 本发明属于功率半导体器件技术领域,涉及一种具有分裂栅结构的超结IGBT及其制作方法。器件包括,从下至上依次层叠设置的集电极金属、P型集电极、N型场阻止层,超结N柱、超结N柱接触、沟槽栅结构和沟槽发射极结构、于沟槽栅底部注入有P型掺杂区,沟槽...
  • 本发明属于功率半导体器件技术领域,涉及一种具有分裂栅结构的超结IGBT器件及其制备方法。器件包括,从下至上依次层叠设置的集电极金属、P型集电极、N型场阻止层,超结N柱、超结P柱、P型埋层、沟槽栅结构和沟槽发射极结构,沟槽栅结构和沟槽发射极结...
  • 本发明提供的一种防入侵的铁路边缘智能分析一体机包括:上下相对设置的下壳体和上壳体、以及布置于所述下壳体内部的智能分析一体机本体,所述下壳体的底部布置有风机箱,所述风机箱的底部布置有电机,所述电机的输出端延伸至所述风机箱的内部连接有第四同步轴...
  • 本发明涉及户外设备散热技术领域,公开了一种户外设备散热系统及方法,包括相变雾化主控单元及与相变雾化主控单元相连的离心雾化冷却执行单元,所述相变雾化主控单元上设置有电源接口模块、串口信号模块、终端控制器以及输送分配泵。离心雾化冷却执行单元结构...
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