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  • 本发明属于中药组合物技术领域,具体涉及治疗子宫肌瘤的药物组合物及其制备方法和用途。本发明提供的治疗子宫肌瘤的药物组合物,包括如下重量份的原料:丹参10~30重量份、莪术10~20重量份、桃仁5~15重量份、三七3~10重量份、香附9~15重...
  • 本发明涉及安宁疗护技术领域,尤其涉及一种儿童用鸟巢式安宁疗护卧具。包括有:床体,所述床体设置有床垫,所述床垫设置有头枕部和被子;护栏杆,具有若干个,均固接于所述床垫;第一拉绳,具有两个,分别设置于靠近所述头枕部处相邻的两个所述护栏杆,所述第...
  • 本发明公开了一种骨科骨钉钻孔医疗设备,包括工作台,工作台的上端面左端设置有定位块,定位块右端设置有限位夹板,限位夹板的左端面与定位块的右端面之间构成一个定位卡槽,定位卡槽的底部设置有若干个导流槽,导流管的下端设置有液体收集器;限位夹板的右端...
  • 本发明公开了一种牙科用多功能治疗车,涉及医疗器械技术领域,包括车体,车体上设有可抽离的回收桶,挡流盘边缘设有一圈薄胶圈,薄胶圈将回收桶分为上下两个独立空间,薄胶圈选择性与回头桶内壁接触,清洁件包括固定在联动杆底端边侧的弹性连接杆以及与固定在...
  • 本发明提供一种血管封堵器,属于介入手术器械技术领域,该封堵器包括间隔连接设置的封堵内盘与封堵外盘、容纳部件、驱动部件,所述封堵内盘与封堵外盘均具有径向可展开或收缩的支撑骨架,支撑骨架采用可吸收的材质制作,封堵内盘在收缩状态下进入穿刺口后展开...
  • 本发明公开了一种用于减肥塑形、减湿健美的功能性产品组合物,由以下重量份的药材制得:陈皮1~375份、生黄芪3~1000份、荷叶1~450份、藿香1~450份、小茴香1~225份、山茱萸2~450份、生姜1~300份、肉桂0.5~150份、丁...
  • 本发明涉及农业生物技术领域,尤其涉及一种花生离体叶室内保鲜方法。采用离心管作为直立保鲜装置,离心管内填充有湿润的珍珠岩;每周在叶面上喷施一次保鲜剂,所述保鲜剂为10mg/L的6‑苄氨基嘌呤溶液。本发明首次采用花生离体叶直立装置,筛选了最佳保...
  • 本发明涉及农业机械技术领域,公开了一种农业植保喷雾装置,包括:行车架,其为农业行车的主要底座框架,所述行车架两侧设置有连接行车轮的车轮辊杆,且行车架上端安装有定位架,并且定位架内安装有混合筒,构成农业植保喷雾设备的主要结构;所述混合筒上端安...
  • 本发明公开了一种喂食器,所述喂食器包括:主壳体,其内部收容有呈上下分布的普通食品仓和第一供料结构,所述普通食品仓与所述第一供料结构连通;餐盘,设于所述主壳体外侧,所述主壳体上设有用于将所述第一供料结构输出的第一食品输送至所述餐盘的出食通道;...
  • 本发明公开了一种产气菌对植物生长作用研究的实验装置及实验方法,包括实验舱和控制系统,实验舱由水平设置的隔板分隔为上层的植物培养区和下层的微生物培养区,隔板顶端放置种植基质,隔板上设置有多个气孔,植物培养区内设置有环境模拟调控系统,微生物培养...
  • 本发明属于光源的技术领域,具体涉及一种透明OLED前置导光光源,本申请的透明OLED前置导光光源一种透明OLED前置导光光源,包括依次贴合的:反射式液晶屏、ITO基板、涂布导电层、第一空穴层、第二空穴层、有机发光层、第一电子注入层、第二电子...
  • 本公开实施例提供一种显示基板和显示装置。该显示基板包括叠层有机电致发光器件,该叠层有机电致发光器件包括:第一发光单元、电荷生成层和第二发光单元,第一发光单元包括:叠设的第一空穴传输层、第一辅助发光层、第一发光层、第一空穴阻挡层和第一电子传输...
  • 本发明提供一种钙钛矿基面阵探测器及其倒装制备方法和应用。钙钛矿基面阵探测器包括层叠设置的基底、像素点阵列、金属基焊球阵列、金属基焊盘阵列、钙钛矿层和电极;其中,像素点阵列中的像素点单元和金属基焊球阵列中的焊球单元之间一一对应连接,金属基焊球...
  • 本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种柱状阵列增强型光电探测器及其制备方法,包括以下步骤:在衬底上通过外延生长法沉积一层连续的GaN层;通过光刻工艺在所述GaN层上形成柱状阵列结构图案和电极区域,通过刻蚀工艺去除部分GaN层,以形成裸露的柱...
  • 本发明提供一种光电系统封装结构及其制备方法,在封装过程中,通过在图像传感器芯片的背面形成第一通孔,并在第一通孔和图像传感器芯片的背面依次形成金属布线层和阻焊层,从而将图像传感器芯片的电信号从正面引到背面,这样能够保证图像传感器芯片与光芯片的...
  • 本申请提供一种半导体结构及其制备方法,半导体结构包括:第一阱,包括第一主阱区和多个自第一主阱区向外延伸的第一叉指区,第一阱内的离子均匀分布;第二阱,包括第二主阱区和多个自第二主阱区向外延伸的第二叉指区,第二阱内的离子均匀分布且与第一阱内的离...
  • 本申请提供一种高反向耐压的分裂沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管,该场效应晶体管中设置有外延层的凹槽内设置屏蔽栅极结构,屏蔽栅极结构包括氧化层、第一导电类型屏蔽栅极多晶硅层及第一导电类型栅极多晶硅层,氧化层包裹并隔离第一导电类型屏蔽栅极多晶...
  • 本发明涉及蓝宝石GaN HEMT功率芯片的制作方法,包括蓝宝石基GaN外延,所述蓝宝石基GaN外延的上方制作HEMT器件结构,刻蚀掉对应所述HEMT器件结构的源极和漏极的硅衬底部分阻断通过硅衬底的导电通道,并采用沉积导热性良好的绝缘材料Al...
  • 本发明涉及增强型功率器件的制作方法,具体包括以下步骤:提供一衬底,在衬底的表面沟道层上制备增强型功率器件的势垒层;在势垒层上制备具有二维电子气的层状纳米材料层;蚀刻层状纳米材料层,于预设栅极位置形成窗口,在窗口上沉淀N极性层;在N极性层上制...
  • 提供一种半导体结构及其制备方法,包括提供衬底;衬底形成有叠层结构,叠层结构包括沿第一方向交替堆叠于衬底上的第一堆叠层和第二堆叠层,第一方向与衬底所在平面相交;在叠层结构中形成沿第一方向延伸的第一孔槽和第二孔槽;在第一孔槽中形成氧化物有源层;...
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