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最新专利技术
  • 一种具有侧面栅和控制区的绝缘层上硅沟槽LDMOS晶体管
    一种具有侧面栅和控制区的绝缘层上硅沟槽LDMOS晶体管_杭州电子科技大学温州研究院有限公司_202511237824.5
    本发明公开了一种具有侧面栅和控制区的绝缘层上硅沟槽LDMOS晶体管， 该绝缘层上硅沟槽LDMOS晶体管由下至上依次为衬底层、埋氧层、硅膜层和器件顶层。硅膜层分为主体区和控制区， 两区域中间由二氧化硅隔离。本发明在硅膜层后方设置了控制区， 有...
    2025-10-29
  • LDMOS器件
    LDMOS器件_华虹集成电路(成都)有限公司_202510884894.3
    本发明提供一种LDMOS器件， 衬底内包括掺杂类型不同的第一阱区和第二阱区， 并且第一阱区和第二阱区具有重叠区域；沟道区横跨第一阱区和第二阱区， 沟道区与第一阱区重叠， 且沟道区与和第二阱区的重叠， 减小沟道区与第一阱区的重叠长度并增大沟道...
    2025-10-29
  • 一种半导体器件及其制作方法
    一种半导体器件及其制作方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510856112.5
    本发明提供了一种半导体器件及其制作方法， 应用于半导体技术领域。在本发明中， 隔离环结构包括位于基底内的第一埋层， 第一埋层包括多层离子注入层， 且不同离子注入层所注入离子的掺杂类型不同， 从而通过在隔离环结构中的一埋层例如N型埋层的周围增...
    2025-10-29
  • 一种铁电晶体管、FeFET存储器阵列及芯片
    一种铁电晶体管、FeFET存储器阵列及芯片_上海深明奥思半导体科技有限公司_202511065516.9
    本申请提供了一种铁电晶体管、FeFET存储器阵列及芯片。铁电晶体管， 包括：自下而上依次堆叠的半导体沟道、中间介电层、反铁电层、铁电层和栅极层；或者， 自下而上依次堆叠的半导体沟道、中间介电层、反铁电层、阻挡层、铁电层和栅极层；或者， 自下...
    2025-10-29
  • 一种改善半导体外延生长的工艺和半导体器件
    一种改善半导体外延生长的工艺和半导体器件_江苏天芯微半导体设备有限公司_202510878900.4
    本发明公开了一种改善半导体外延生长的工艺和半导体器件， 所述工艺包括：提供半导体衬底， 所述半导体衬底内具有沟槽；在所述沟槽内填充包含第一元素和第二元素的主体层；在所述主体层表面沉积包含第一元素和第二元素的缓冲层；在所述缓冲层表面沉积包含第...
    2025-10-29
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202510697282.3
    本发明公开了一种半导体器件及其制造方法， 涉及半导体技术领域， 用于增大第一接触结构与源区和/或漏区之间的接触面积， 降低接触电阻， 提升接触性能， 利于使得半导体器件具有较高的开关速率和可靠性， 降低功耗。所述半导体器件包括：半导体基底、...
    2025-10-29
  • 一种低损耗高可靠性的沟槽型功率器件及制备方法
    一种低损耗高可靠性的沟槽型功率器件及制备方法_东南大学_202510657597.5
    本发明公开了一种低损耗高可靠性的沟槽型功率器件及制备方法， 包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、栅极沟槽、栅介质层、第一导电类型源区、第二导电类型源区、第二导电类型体区、第二导电类型屏蔽层、第二导电类型电位调控区以及顶部金属和底部金属...
    2025-10-29
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511285686.8
    本发明提供了一种半导体器件的制备方法， 包括：提供衬底， 衬底中形成有沟槽隔离结构；形成第一图形化的光刻胶层覆盖沟槽隔离结构和部分衬底， 并以第一图形化的光刻胶层为掩模， 刻蚀去除部分衬底以形成凹槽， 且刻蚀后凹槽的一侧与沟槽隔离结构之间具...
    2025-10-29
  • 氮化镓半导体器件及其制备方法
    氮化镓半导体器件及其制备方法_苏州纳维科技有限公司_202510912387.6
    本发明公开了一种氮化镓半导体器件及其制备方法， 属于半导体技术领域， 制备方法包括：提供氮化镓衬底， 氮化镓衬底中具有浅能级施主杂质；在氮化镓衬底的表面形成补偿层以及设置于补偿层上的半导体结构层；其中， 补偿层包含深能级受主杂质， 深能级受...
    2025-10-29
  • LDMOS晶体管及其制作方法
    LDMOS晶体管及其制作方法_重庆芯联微电子有限公司_202510879883.6
    本发明提供一种LDMOS晶体管及其制作方法， 包括提供一半导体基底， 半导体基底内形成有高压阱区和至少二个STI区；在高压阱区内且包围一STI区形成漂移区；覆盖半导体基底形成层间介质层， 贯穿层间介质层形成接触孔和STI引出孔， STI引出...
    2025-10-29
  • 一种半导体器件的刻蚀方法
    一种半导体器件的刻蚀方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510828996.3
    本发明提供了一种半导体器件的刻蚀方法， 该方法包括：提供预设基底；预设基底包括沟道层和牺牲层形成的多个叠层结构， 以及叠层结构之间形成的沟槽；扩散层刻蚀步， 向腔室中通入第一刻蚀气体对叠层结构的两侧进行刻蚀， 以刻蚀去除牺牲层中的Ge成分向...
    2025-10-29
  • 多元阈值电压的本征MOSFET的制造方法
    多元阈值电压的本征MOSFET的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202510821462.8
    本发明公开了一种多元阈值电压的本征MOSFET的制造方法， 包括步骤：提供P型掺杂的半导体衬底。在半导体衬底的顶部表面上形成多个第一栅极结构。进行一系列的N型的第一轻掺杂漏注入在各第一栅极结构两侧的半导体衬底的表面区域中自对准形成对应的第一...
    2025-10-29
  • 阶梯状屏蔽栅沟槽器件的制造方法
    阶梯状屏蔽栅沟槽器件的制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510818461.8
    本发明公开了一种阶梯状屏蔽栅沟槽器件的制造方法， 器件单元的形成步骤包括：步骤一、形成栅极沟槽。步骤二、形成第一屏蔽介质层。步骤三、形成第一屏蔽导电材料层。步骤四、进行第一回刻使第一屏蔽导电材料层的顶部表面降低到设定位置。步骤五、进行第一湿...
    2025-10-29
  • 超结器件的制造方法
    超结器件的制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510818452.9
    本发明公开了一种超结器件的制造方法， P型柱的宽度小于N型柱的宽度， 采用如下步骤形成超结结构：提供用于形成宽度较小的P型柱的第一P型外延层。进行沟槽刻蚀以在各N型柱的形成区域中形成超结沟槽， 由超结沟槽之间的第一P型外延层组成P型柱。在超...
    2025-10-29
  • 提高耐压的MOSFET半自对准工艺方法
    提高耐压的MOSFET半自对准工艺方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510811600.4
    本发明公开了一种提高耐压的MOSFET半自对准工艺方法， 属于半导体制造技术领域。该方法包括：提供一半导体衬底并在其中形成阱区；在该半导体衬底上形成包括栅介质层和栅电极的栅结构；在栅电极侧壁形成侧墙间隔物；在栅电极顶表面形成覆盖栅电极顶表面...
    2025-10-29
  • 形成半导体结构的方法
    形成半导体结构的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510785195.3
    方法包括：提供包括鳍形结构的工件， 鳍形结构包括交替的沟道层和牺牲层的堆叠件；在鳍形结构的沟道区域上方形成伪栅极结构；在鳍形结构的源极/漏极区域中形成源极/漏极凹槽；选择性去除沟道区域中的牺牲层以释放沟道层作为沟道构件；对工件实施氢处理；在...
    2025-10-29
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510784621.1
    本公开实施例的方法包括：形成包括与牺牲层交错的沟道层的堆叠件；图案化堆叠件， 以形成鳍形结构；在鳍形结构的第一区域上方形成伪栅极堆叠件；选择性去除牺牲层， 以释放沟道层作为沟道构件；在沟道构件之间的间隔中沉积介电伪层；在伪栅极堆叠件之上形成...
    2025-10-29
  • 半导体工艺方法
    半导体工艺方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510764180.9
    本发明提供了一种半导体工艺方法， 涉及半导体制造工艺技术领域， 以解决提高对沟槽内鳍部的刻蚀深度和维持沟槽侧壁的保护层之间存在矛盾的问题。半导体工艺方法包括：提供具有沟槽的膜层结构；第一刻蚀步， 在第一工艺气体氛围中刻蚀鳍部的顶面所覆盖的第...
    2025-10-29
  • 一种屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制作方法
    一种屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制作方法_杭州富芯半导体有限公司_202510715198.X
    本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制作方法， 该制作方法将场氧化层分为两次成型(第一氧化层与第二氧化层)， 并在第一氧化层与第二氧化层之间引入多晶硅夹层， 该多晶硅夹层经过两次刻蚀只在非浮空屏蔽栅层正对的侧壁保留， 构成浮空屏蔽栅...
    2025-10-29
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_重庆芯联微电子有限公司_202510709276.5
    本发明提供了一种半导体器件及其形成方法， 属于半导体领域。该半导体器件及其形成方法包括提供一衬底， 所述衬底包括第一器件区域和第二器件区域；在所述第一器件区域的衬底形成背栅；在所述第一器件区域和第二器件区域分别沉积二维材料层， 形成第一器件...
    2025-10-29
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