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航空航天装置制造技术
  • 本实用新型公开了一种防误插电源插座,包括安装架、安装在安装架内部的压盖、以及设置在安装架一侧的面板,安装架的内部安装有导电件,导电件的一侧设有接线柱,安装架与压盖之间活动安装有安全门,安全门上安装有竖杆,安装架和压盖上均开设有通孔,竖杆滑动...
  • 本申请涉及一种真实世界资产数据的操作验证方法和多签验证协同平台,其中,该真实世界资产数据的操作验证方法包括:在接收到针对目标操作字段的操作请求时,解析目标操作字段预先设置的目标权限等级;根据目标权限等级,从预先构建的角色策略集合中确定对应的...
  • 本申请实施例提供一种通信方法及装置,涉及通信技术领域。该方法包括:第三装置确定第一信息,第一信息用于确定第一路径的类型为静态路径或动态路径,第三装置向第四装置发送第一信息,使得第四装置可以基于第一信息,定位或感知第一装置,或者是定位或感知第...
  • 一种用于运输成对烟盒(100)的方法,包括:将第一对烟盒布置在水平运输装置(50)上,沿水平方向运输所述第一对烟盒;将第二对烟盒布置在所述水平运输装置(50)上;其中,对于所述第一对烟盒和所述第二对烟盒中的每一者,将所述对烟盒中的第一烟盒和...
  • 本发明涉及一种用于燃油结冰试验的注水喷嘴,该喷嘴内设有低温主油路、常温水路、常温副油路;部分常温水路位于低温主油路中并由常温副油路包裹;常温水路由依次连接的常温水路旋流腔连接端口、常温水路旋流腔导入孔、常温水路旋流腔、常温水路过渡孔和常温水...
  • 本发明提供一种能够进行喷墨喷射并能够赋予具有优异的橡胶物性的固化物的紫外线固化性有机硅组合物。所述紫外线固化性有机硅组合物包括:(A)以下述通式(1)表示的单末端聚合性有机聚硅氧烷,(在通式(1)中,R1~R5分别独立地为碳原子数为1~20...
  • 本实用新型公开了一种带絮状物废水工业处理设备,包括底筒,所述底筒的内部设置有处理池,所述底筒顶部的一侧壁贯穿有清水出管,所述底筒顶部的另一侧壁贯穿有吸水管,所述底筒的顶端焊接有环状筒,所述环状筒的一侧外壁贯穿有排出斗,所述环状筒的可拆卸式安...
  • 本实用新型属于钢结构建筑技术领域,具体公开了一种用于高层钢结构建筑的连接件,包括三维连接架,所述三维连接架的外表面开设有管槽,所述三维连接架的外表面设置有固位板,所述固位板的外表面开设有连接孔,所述管槽内可拆卸安装有方形钢管,所述三维连接架...
  • 本发明提供了一种轧钢车间矩形钢坯入炉移动装置,包括:平移梁、升降架、底架、升降油缸、平移油缸、接钢叉、横向轮、纵向轮;平移梁前端面与接钢叉满焊焊接;且平移梁横穿升降架的横框架;升降架的竖框架设置在底架的C型轨道的外围;升降油缸设置在升降架和...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制作方法,所述器件包括:衬底,衬底内形成有有源区与隔离结构;位于有源区上的栅极与阻挡层,沿第二方向延伸至隔离结构上,阻挡层覆盖栅极的一侧侧壁并延伸覆盖栅极的部分顶部;场板,位于阻挡层上;虚拟栅极,位于场板两端的隔...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件中,位于在基底中的隔离结构包括第一隔离结构以及与第一隔离结构连接的多个第二隔离结构,多个第二隔离结构位于第一隔离结构的同一侧且在第一方向上延伸到基底中;栅极结构位于第二隔离结构远离所述第一隔...
  • 本发明公开了一种根皮素的合成方法。本发明提供了一种化合物F的合成制备方法,其关键步骤包括三步:第一步,廉价的3‑(4‑甲氧基苯基)丙酸A发生酰氯化得到C;第二步,C与D发生傅克酰基化得到E;第三步,E脱甲基化得到根皮素F。该合成制备根皮素的...
  • 本发明涉及一种基于IGZO的多电极非线性器件、制备方法及芯片,属于半导体技术领域,解决了传统单器件实现布尔逻辑的温度过低、难以工业化应用以及成本过高、工艺繁琐、良率低等问题中的至少一个。一种基于IGZO的多电极非线性器件,包括:衬底、背栅、...
  • 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法,涉及半导体领域,该半导体器件包括:衬底;外延层,位于所述衬底上;第一PN结与第二PN结,所述第二PN结的上表面与所述第一PN结的N型区下表面在相同水平面上,所述第二PN结的P型区注入能量大于所述第一PN...
  • 本实用新型提供了一种聚酯切片熔体过滤装置,涉及聚酯切片熔体过滤装置技术领域,包括固定设置的滤筒,滤筒侧壁上均匀设置有若干侧滤孔,滤筒靠近顶端设置有进料口,滤筒顶部固定设置有驱动源,滤筒底部可拆卸地设置有滤液盘,滤液盘上设置有若干底滤孔;还包...
  • 本申请公开了一种稀土‑微晶玻璃‑生物纤维协同低温烧结LTCC生料带及其制备方法,涉及低温共烧陶瓷技术领域,包括无机固相和有机体系;其中:所述无机固相包括按质量百分比为55‑70wt%的Li2Mg1‑xRxTi3O8、25‑43wt%的Li2...
  • 本实用新型提供了一种集成JBS的平面栅碳化硅VDMOS,包括:第一漂移层连接至碳化硅衬底;均流层连接至第一漂移层,均流层上设有凸起部;第二漂移层连接至均流层,第二漂移层内侧面连接至凸起部外侧面;第一P型阱区连接至第二漂移层,第一P型阱区内侧...
  • 本实用新型涉及吹瓶机技术领域,提出了一种塑料制品生产加工用吹瓶机,包括工作台,所述工作台的外表面开设有矩形凹槽,所述矩形凹槽内部的左右两侧均滑动安装有滑动块,所述滑动块的内部螺纹套接有正反丝杆且正反丝杆两端均贯穿于两侧滑动块的内部,所述滑动...
  • 本实用新型公开一种可带料动作的防卡阻密闭式分料器,包括分料器壳体、液压缸和阀板,液压缸安装在分料器壳体上,液压缸的活塞端伸入到分料器壳体内与阀板连接,阀板在液压缸带动下沿活塞杆方向具有第一工位、第二工位和第三工位,阀板上设有阻挡部和下料口,...
  • 本发明公开了一种多次浸渍以制备高密度石墨坩埚的方法,该方法以石墨、石油焦作为粉料,以具有不同温度粘度特性的沥青料I和沥青料II作为浸渍料,其先利用沥青料I与石墨、石油焦作为原料制备一次生坯;然后将一次生坯进行焙烧后利用浸渍罐进行沥青料II的...
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