Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 底座、音箱组件及应用设备
    底座、音箱组件及应用设备_歌尔丹拿科技有限公司_202510388238.4
    本发明公开一种底座、音箱组件及应用设备，涉及收容结构技术领域。底座包括座体和活动机构，座体内形成用于放置外部电子设备的容纳槽，容纳槽沿第一方向的一侧具有供电子设备进出的槽口；活动机构包括驱动模组和与驱动模组连接的活动板，驱动模组安装于座体，...
    2025-10-06
  • 发声装置、发声模组及电子设备
    发声装置、发声模组及电子设备_歌尔股份有限公司_202510386171.0
    本发明公开一种发声装置、发声模组及电子设备，涉及电声换能技术领域，该发声装置的振动系统的振动板包括分体设置且位于不同水平面的第一板部和第二板部，防水膜包括位于音圈的顶部的第一连接部、与音圈的内周壁贴合连接的第二连接部以及位于音圈内部的第三连...
    2025-10-06
  • 发声装置和电子设备
    发声装置和电子设备_歌尔股份有限公司_202510386244.6
    本发明公开一种发声装置和电子设备，涉及电声换能技术领域，该发声装置的磁路系统的导磁轭包括第一顶板和第一底板，中心磁部和边磁部分别设于第一顶板和第一底板，并分别与环形磁铁间隔以形成第一磁间隙和第二磁间隙，支撑件与第一顶板围合形成气流腔，第一顶...
    2025-10-06
  • 发声装置和电子设备
    发声装置和电子设备_歌尔股份有限公司_202510386276.6
    本发明公开一种发声装置和电子设备，涉及电声换能技术领域，该发声装置的磁路系统的中心磁部和边磁部分别与导磁轭形成第一磁间隙和第二磁间隙，第二磁间隙环绕第一磁间隙设置，磁路系统还设有依次贯通中心磁部和导磁轭的贯通孔，且第一磁间隙环绕贯通孔设置，...
    2025-10-06
  • 发声装置和电子设备
    发声装置和电子设备_歌尔股份有限公司_202510386296.3
    本发明公开一种发声装置和电子设备，涉及电声换能技术领域，该发声装置的磁路系统设有贯通孔，振动系统的第一振膜和第二振膜位于磁路系统的相对两侧，第二振膜的内周缘与磁路系统连接，并与外壳和磁路系统围合形成第一腔体；发声装置具有第二振膜背向第一振膜...
    2025-10-06
  • 发声装置、发声模组及电子设备
    发声装置、发声模组及电子设备_歌尔股份有限公司_202510386305.9
    本发明公开一种发声装置、发声模组及电子设备，涉及电声换能技术领域，该发声装置包括沿第一方向并排设置的第一发声单体和第二发声单体，第一发声单体和第二发声单体的振动板均包括沿第二方向位于不同水平面的第一板部和第二板部，第一板部分别与音圈的顶部和...
    2025-10-06
  • 发声装置、发声模组及电子设备
    发声装置、发声模组及电子设备_歌尔股份有限公司_202510386381.X
    本发明公开一种发声装置、发声模组及电子设备，涉及电声换能技术领域，该发声装置的振动系统的振动板包括一体设置的第一板部、第二板部及第三板部，第一板部和第二板部位于不同的水平面，音圈的顶部与第一板部连接，第三板部与音圈的内周壁贴合连接，且第三板...
    2025-10-06
  • 发声装置、发声模组及电子设备
    发声装置、发声模组及电子设备_歌尔股份有限公司_202510386396.6
    本发明公开一种发声装置、发声模组及电子设备，涉及电声换能技术领域，该发声装置包括沿第一方向并排设置的第一发声单体和第二发声单体，第一发声单体和第二发声单体的振动板均包括沿第二方向位于不同水平面的第一板部和第二板部，第一板部分别与音圈的顶部和...
    2025-10-06
  • 发声装置、发声模组及电子设备
    发声装置、发声模组及电子设备_歌尔股份有限公司_202510386414.0
    本发明公开一种发声装置、发声模组及电子设备，涉及电声换能技术领域，发声装置包括沿第一方向并排设置的第一发声单体和第二发声单体，第一发声单体和第二发声单体中至少一个振动板包括分体设置的第一板部和第二板部，第一板部和第二板部沿第二方向位于不同的...
    2025-10-06
  • 发声装置和电子设备
    发声装置和电子设备_歌尔股份有限公司_202510386723.8
    本发明公开一种发声装置和电子设备，涉及电声换能技术领域，该发声装置的磁路系统的导磁轭包括第一顶板和第一底板，中心磁部和边磁部分别设于第一顶板和第一底板，并分别与环形磁铁间隔以形成第一磁间隙和第二磁间隙，支撑件与第一顶板围合形成气流腔，第一顶...
    2025-10-06
  • 发声装置、发声模组及电子设备
    发声装置、发声模组及电子设备_歌尔股份有限公司_202510386732.7
    本发明公开一种发声装置、发声模组及电子设备，涉及电声换能技术领域，该发声装置的振动系统的振动板包括位于不同水平面的第一板部和第二板部，音圈的顶部与第一板部连接，第二板部位于音圈的内侧，且第二板部的外周与音圈的内周壁抵靠设置，磁路系统的中心磁...
    2025-10-06
  • 发声装置、发声模组及电子设备
    发声装置、发声模组及电子设备_歌尔股份有限公司_202510387033.4
    本发明公开一种发声装置、发声模组及电子设备，涉及电声换能技术领域，该发声装置的振动系统的振动板包括位于不同水平面的第一板部和第二板部，音圈的顶部与第一板部连接，第二板部位于音圈的内侧，且第二板部的外周与音圈的内周壁抵靠设置，磁路系统的中心磁...
    2025-10-06
  • 一种混合组网终端注册方法、通信设备与混合组网系统
    一种混合组网终端注册方法、通信设备与混合组网系统_新华三技术有限公司_202510387651.9
    本申请实施例提供了一种混合组网终端注册方法、通信设备与混合组网系统，涉及网络技术领域，公网AMF在确定专网终端当前位于所述专网切片所服务的第一区域，且为专网切片提供服务的AMF不是公网AMF后，向专网终端发送重注册请求；公网AMF发送将专网...
    2025-10-06
  • 一种辐射加热板
    一种辐射加热板_广东水晶岛智能健康股份有限公司_202510384313.X
    本申请涉及加热板的技术领域，尤其是涉及一种辐射加热板，包括有外壳，外壳底部安装有反光板，反光板底部设置有发热体，发热体两端设置有供其安装的安装组件，安装组件安装在反光板底面，发热体与安装组件之间进行可拆式连接，发热体中部设置有转动组件，转动...
    2025-10-06
  • 一种灯光控制方法、系统、控制器及存储介质
    一种灯光控制方法、系统、控制器及存储介质_北京碧海怡景园林绿化有限公司_202510381347.3
    本申请涉及智能控制技术领域，公开了一种灯光控制方法、系统、控制器及存储介质，该方法包括：通过多传感器融合采集环境光、人流量及用户偏好数据；经归一化处理后输入强化学习模型动态计算目标亮度与色温，生成控制指令调节灯具；结合用户反馈优化模型参数。...
    2025-10-06
  • 一种PCB的钻孔方法和钻孔设备及所制成的PCB
    一种PCB的钻孔方法和钻孔设备及所制成的PCB_生益电子股份有限公司_202510378697.4
    本申请公开了一种PCB的钻孔方法和钻孔设备及所制成的PCB，钻孔设备的钻刀通电，钻孔设备具有偏孔报警模块。钻孔方法包括如下工艺流程：在单面导电板上导电层所在的侧面开对应PCB上孔位的基材圈；基材圈比PCB的孔位半径大2至3mil；绝缘层压合...
    2025-10-06
  • 用于电子设备的基于多类相变耦合的热控装置及方法
    用于电子设备的基于多类相变耦合的热控装置及方法_中国电子科技集团公司第二十研究所_202510382645.4
    本申请公开了一种用于电子设备的基于多类相变耦合的热控装置及方法。所述装置包括壳体和壳体内部形成的容纳腔，容纳腔包括上下分布的用于固‑液相变的第一腔室和用于气‑液相变的第二腔室，第一腔室和第二腔室之间设有导热骨架，第二腔室包括蒸汽腔和吸液芯，...
    2025-10-06
  • 一种基于密集堆砌点阵的均温结构及其一体化制造方法
    一种基于密集堆砌点阵的均温结构及其一体化制造方法_北京卫星制造厂有限公司_202510384644.3
    本申请公开了一种基于密集堆砌点阵的均温结构及其一体化制造方法，涉及金属功能结构增材制造领域，包括：外壳体，包括上面板、下面板和侧板，侧板连接于上面板和下面板之间，以使外壳体形成封闭结构，内部有热控工质；均温密集堆砌点阵毛细层，为由多个胞元构...
    2025-10-06
  • 源区嵌入异质外延的功率mosfet器件及其制作方法
    源区嵌入异质外延的功率mosfet器件及其制作方法_重庆万国半导体科技有限公司_202510386349.1
    本发明公开了一种源区嵌入异质外延的功率mosfet器件及其制作方法，包括：在硅衬底上生长外延层，并制作沟槽栅结构；在外延层的上部注入形成体区；通过各向异性蚀刻工艺在预定区域蚀刻形成源极凹槽；通过生长异质外延对源极凹槽进行填充，形成源区；制作...
    2025-10-06
  • 一种新型沟槽栅SiC MOSFET及制备方法
    一种新型沟槽栅SiC MOSFET及制备方法_电子科技大学_202510377921.8
    本发明提供一种新型沟槽栅SiC MOSFET及制备方法，N+有源区和P+电场屏蔽层沿着沟槽栅极布置方向(z轴)周期性交替分布，部分栅氧化层通过P+电场屏蔽层的全方位包裹得到保护，另一部分栅氧化层通过两侧的P+电场屏蔽层吸引电场线得到保护。同...
    2025-10-06
首页 上一页 314 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证