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最新专利技术
  • 一种基于刚性扭转酚胺单体的复合纳滤膜及其制备方法与应用
    一种基于刚性扭转酚胺单体的复合纳滤膜及其制备方法与应用_天津工业大学_202510374190.1
    本发明公开了一种基于刚性扭转酚胺单体的复合纳滤膜，涉及分离膜技术领域，包括基膜和所述基膜表面的功能分离层；所述功能分离层为由水相单体与有机相单体交联而成；其中，所述水相单体为基于刚性扭转酚胺单体；所述有机相单体为多元酰氯。本发明通过采用界面...
    2025-10-06
  • 一种基于罗望子胶的纳滤膜及其制备方法和应用
    一种基于罗望子胶的纳滤膜及其制备方法和应用_新余钢铁股份有限公司_202510372740.6
    本发明提供了一种基于罗望子胶的纳滤膜及其制备方法和应用，先硅烷偶联剂处理埃洛石，获得改性埃洛石；再预处理基膜；然后将氨基化罗望子胶、巯基化罗望子胶和改性埃洛石加入至水中搅拌均匀，得到水相溶液；将甘油三(1,2‑环氧)丙醚加入至乙醇中搅拌均匀...
    2025-10-06
  • 气体的封存处理方法及装置、存储介质、电子装置
    气体的封存处理方法及装置、存储介质、电子装置_中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司_202510376283.8
    本申请公开了一种气体的封存处理方法，其中，上述方法包括：获取目标区域在当前时刻的环境参数；其中，所述目标区域指用于存储待封存的气体的区域；基于所述当前时刻的环境参数，以及所述目标区域在所述当前时刻的在前时刻的环境参数，确定当前时刻的注入控制...
    2025-10-06
  • 一种柏子养心片的制备新方法
    一种柏子养心片的制备新方法_太极集团四川绵阳制药有限公司_202510370646.7
    本发明公开了一种柏子养心片的制备新方法，属于医药领域，本发明通过真空干燥与真空微波干燥有机结合的方式干燥浸膏，得到了去除黏性、同时改善阿魏酸含量并保证硫化汞含量合格的干浸膏，保证了柏子养心片的成型和含量；同时工艺参数明确，生产过程质量可控，...
    2025-10-06
  • 一种石榴皮提取物及其制备方法和应用
    一种石榴皮提取物及其制备方法和应用_山东博科医用材料有限公司_202510375111.9
    本发明公开了一种石榴皮提取物及其制备方法和应用，所述石榴皮提取物，由以下方法制备而成：将石榴皮粉加入水和复合酶进行酶解，得石榴皮酶解液；向石榴皮酶解液中加入乙醇溶液，加热提取，经过滤、旋蒸，得到提取物浓缩液；向海藻酸钠溶液中加入提取物浓缩液...
    2025-10-06
  • 一种具有三层外观的洗发油及其制备方法
    一种具有三层外观的洗发油及其制备方法_广州环亚化妆品科技股份有限公司_202510374816.9
    本发明属于化妆品技术领域，公开了一种具有三层外观的洗发油及其制备方法。本发明具有三层外观的洗发油包括组分：月桂醇聚醚硫酸酯MIPA盐、非离子表面活性剂、多元醇、线性聚硅氧烷、植物油脂，不包括水；植物油脂包括椰子油、澳洲坚果籽油和霍霍巴籽油。...
    2025-10-06
  • 防晒组合物及其制备方法
    防晒组合物及其制备方法_上海臻臣化妆品有限公司_202510378976.0
    本申请公开了一种防晒组合物及其制备方法，防晒组合物包括防晒剂和润肤剂，发明人通过调整优化防晒组合物的配方，通过使用聚硅氧烷‑15作为防晒剂，将聚二甲基硅氧烷或者聚二甲基硅氧烷和C9‑12烷烃的组合作为润肤剂，其中，通过...
    2025-10-06
  • 一种基于参数化模型的中药汤剂煎煮方法及其装置
    一种基于参数化模型的中药汤剂煎煮方法及其装置_南京药业股份有限公司_202510368566.8
    本发明公开了一种基于参数化模型的中药汤剂煎煮方法及其装置，属于中药汤剂煎煮技术领域，S1：根据中药材吸水系数S、热稳定性以及成分释放动力学曲线分类；S2：在用于中药汤剂煎煮的煎煮装置中进行针对不同药材类别的煎煮参数模型设定；S3：将需要煎煮...
    2025-10-06
  • 一种前轮结构及轮椅
    一种前轮结构及轮椅_博爱方特国际贸易(北京)有限公司_202510374579.6
    一种前轮结构，包括前轮和前叉，前叉的一端与前轮连接，前叉的另一端通过前叉臂与轮椅连接，前叉与前叉臂之间通过多维调节机构连接，多维调节机构被配置为能够调节前叉的前后摆动角度和左右转动角度。本方案通过连接块一底侧的齿面结构一与连接块二顶侧的齿面...
    2025-10-06
  • 基于图像融合的超声成像方法
    基于图像融合的超声成像方法_上海市第一妇婴保健院_202510374975.9
    本申请公开了一种基于图像融合的超声成像方法，属于辅助生殖技术领域，包括，通过子宫阴超声和腹部超声分别采集子宫的图像数据；对采集的子宫阴超声图像与腹部超声图像进行预处理；对预处理后的两幅图像进行特征提取与特征匹配；对特征提取与特征匹配后的两幅...
    2025-10-06
  • 测量与矫正骨折椎体后凸畸形角度的集成式装置及系统
    测量与矫正骨折椎体后凸畸形角度的集成式装置及系统_罗文东_202510374540.4
    本发明属于复位设备技术领域，提供了测量与矫正骨折椎体后凸畸形角度的集成式装置及系统，包括固定部，固定部缠绕并固定于患者的四肢与躯干，且固定部连接有弧形基板，以提供固定基准，弧形基板边缘包裹有软质区域，该软质区域环绕的中心区域设置为脊椎测量复...
    2025-10-06
  • 一种加热盘积水处理方法、装置及存储介质
    一种加热盘积水处理方法、装置及存储介质_宁波方太厨具有限公司_202510373224.5
    本发明涉及蒸烤一体机技术领域，具体是一种加热盘积水处理方法、装置及存储介质；方法包括响应于针对加热盘的清洁指令，获取蒸烤一体机处于待机状态前的历史工作模式；确定历史工作模式下，注水组件针对加热盘注水的注水操作信息；若注水操作信息指示注水组件...
    2025-10-06
  • 一种水稻种植用播种装置
    一种水稻种植用播种装置_密山市财鑫米业有限公司_202510376101.7
    本发明涉及智慧农业设备技术领域，具体地说，涉及水稻种植用播种装置，其包括机架，机架一侧固定设置有播种部，播种部固定连通有用于送出水稻种子的多对出种管，每对出种管之间均设置有第一驱动机构，第一驱动机构两侧对称设置有第二驱动机构，第二驱动机构输...
    2025-10-06
  • 一种空穴传输层的制备方法和应用
    一种空穴传输层的制备方法和应用_泰州中来光电科技有限公司_202510382609.8
    本发明涉及光伏技术领域，公开了一种空穴传输层的制备方法和应用。该方法包括：将金属靶材放于溅射靶头，将衬底放于衬底座，抽真空；向团簇源生长室内通溅射气、缓冲气及O2，使室内气压在60‑180Pa，O2
    2025-10-06
  • 显示模组、显示装置及其制备方法
    显示模组、显示装置及其制备方法_厦门天马显示科技有限公司_202510380320.2
    本申请提供了一种显示模组、显示装置及其制备方法，显示模组包括显示面板、盖板、限位件以及封装胶，盖板设置于显示面板的厚度方向上的一侧，限位件连接于显示面板背离盖板的一侧，限位件背离显示面板的一侧设置有限位部，限位部用于与中框配合组装，封装胶设...
    2025-10-06
  • 一种LED发光装置
    一种LED发光装置_鸿利智汇集团股份有限公司_202510391614.5
    本申请提供了一种LED发光装置，包括支架，以及设置在所述支架上的第一光源和第二光源，所述第一光源具有第一芯片以及覆盖所述第一芯片的第一荧光层，所述第一芯片用于发出半波宽大于或等于30nm的蓝光，所述第一荧光层具有至少一种红色荧光粉和至少一种...
    2025-10-06
  • Micro-LED显示面板
    Micro-LED显示面板_友达光电(昆山)有限公司_202510381964.3
    本发明公开一种Micro‑LED显示面板，其包括：半导体层；第一栅极绝缘层，覆盖于半导体层上方；第一栅极金属层，设置于第一栅极绝缘层上；以及层间介质层，设置于第一栅极绝缘层上方并覆盖第一栅极金属层；其中，层间介质层包括自远离第一栅极绝缘层到...
    2025-10-06
  • 图像传感器的制备方法
    图像传感器的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510379671.1
    本申请提供一种图像传感器的制备方法，在离子注入形成源区和漏区之后，先沉积第一硅化物阻挡层，随后通过热退火的方式激活源区和漏区中的掺杂离子，最后通过炉管LPCVD工艺沉积致密的第二硅化物阻挡层，从而第一硅化物阻挡层和第二硅化物阻挡层构成最终的...
    2025-10-06
  • 半导体结构及其制备方法、半导体器件
    半导体结构及其制备方法、半导体器件_深圳深爱半导体股份有限公司_202510384714.5
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，包括：衬底；至少两层第一导电类型的外延层，至少一个第二导电类型的掺杂区域，第一导电类型与第二导电类型相反；掺杂区域位于相邻外延层之间，且包括相对设置的第一掺杂区以及第二掺杂区，第一掺杂区位于...
    2025-10-06
  • 一种快速开关屏蔽沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法
    一种快速开关屏蔽沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法_泰科天润半导体科技(北京)有限公司_202510382229.4
    本发明提供了一种快速开关屏蔽沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成栅极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型阱区、N型源区、P型源区及低阻区；重新形成阻...
    2025-10-06
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