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自行车,非机动车装置制造技术
  • 一种耐候涂料组合物
    一种耐候涂料组合物_广西维一涂料制造有限公司_202511752785.2
    本发明属于耐候涂料技术领域，具体涉及一种耐候涂料组合物，以质量份计，由以下原料制备而成：成膜基材100份、功能填料8‑18份、分散剂0.8‑2.0份、流平剂0.6‑1.2份、抗沉剂0.2‑1.0份、紫外线吸收剂0.8‑1.2份和稀释剂8‑2...
    2026-01-15
  • 一种冷床宽厚板定位方法、装置、电子设备及存储介质
    一种冷床宽厚板定位方法、装置、电子设备及存储介质_中冶赛迪信息技术(重庆)有限公司_202511436270.1
    本发明提供一种冷床宽厚板定位方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括基于采集宽厚板图像，对宽厚板图像进行掩码分割得到多个分割掩码图，对多个分割掩码图进行拼接，得到拼接掩码图，提取拼接掩码图中宽厚板的中心线和中心点坐标作为图像中心线和图像中...
    2026-01-15
  • HNBR作为锂离子电池正极粘结剂的应用、锂离子电池正极及锂离子电池
    HNBR作为锂离子电池正极粘结剂的应用、锂离子电池正极及锂离子电池_浙江赞昇新材料有限公司_202511482590.0
    本发明公开了HNBR作为锂离子电池正极粘结剂的应用、锂离子电池正极及锂离子电池。本发明提供了一种HNBR作为锂离子电池正极粘结剂的应用，其中HNBR的加氢饱和度为≥90%，ACN含量为26%‑29%，门尼黏度值ML(1+4)@100℃为20...
    2026-01-15
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511471709.4
    一种半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有外延层，外延层中形成有沟槽，沟槽的侧壁上形成有牺牲侧墙；刻蚀位于沟槽底部的外延层，以增加沟槽的深度；执行热氧化工艺，使位于沟槽底部的外延层氧化形成底部屏蔽介质层；...
    2026-01-15
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410891093.5
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；叠层鳍部结构，所述叠层鳍部结构包括伪鳍部以及位于所述伪鳍部上的沟道鳍部；栅极结构，凸立于所述衬底上且覆盖所述伪鳍部的侧壁；金属栅极结构，位于所述栅极结构的顶部且横跨所述沟道鳍部，所述金属栅极结构覆...
    2026-01-15
  • 燃烧器及包含其的灶具
    燃烧器及包含其的灶具_宁波方太厨具有限公司_202411037716.9
    本发明公开了一种燃烧器及包含其的灶具。该燃烧器包括：包括为外环出火区域提供燃气气流的环形连通腔室的基座，环形连通腔室包括顶壁和底壁，顶壁位于外环出火区域与底壁之间；包括与环形连通腔室连通的外环引射管的引射管组件，外环引射管沿环形连通腔室的切...
    2026-01-15
  • 一种环保型木质椅子
    一种环保型木质椅子_江西家有品致家居用品有限公司_202520603856.1
    本实用新型提供一种环保型木质椅子，属于日常生活家具技术领域。包括椅座、固定设置在椅座底部四角的椅腿，还包括设置在椅座顶部一侧的靠背组件，靠背组件包括一对支撑杆，支撑杆内侧壁之间设有支撑框，支撑框上下内侧壁之间等距转动连接有多个按摩辊；还包括...
    2026-01-15
  • 一种虚拟现实仿真多目标跟踪与动作验证系统
    一种虚拟现实仿真多目标跟踪与动作验证系统_上海理工大学_202511391893.1
    本发明涉及一种虚拟现实仿真多目标跟踪与动作验证系统，包括图像采集模块、特征提取与边界增强模块、一致性建模与注意力调控模块、遮挡检测与目标重识别模块、动作验证与反馈生成模块、虚拟现实同步模块；图像采集模块实时获取指定区域或目标的图像信息：特征...
    2026-01-15
  • 一种基于大小模型协作的多元联邦基层治理服务方法
    一种基于大小模型协作的多元联邦基层治理服务方法_西北大学_202511144045.0
    一种基于大小模型协作的多元联邦基层治理服务方法，属于基层社会治理数字化与联邦学习技术交叉领域。该方法通过构建基层共治服务平台，整合多元主体与联邦大小模型协作架构，实现基层治理中数据的隐私保护与治理效能提升的协同优化。平台构建包括环境与参与者...
    2026-01-15
  • 一种玻璃窑炉内配合料熔化进程计算方法、装置和设备
    一种玻璃窑炉内配合料熔化进程计算方法、装置和设备_成都南玻玻璃有限公司_202511427339.4
    本发明涉及工业炉窑熔化过程监测与控制技术领域，特别涉及一种玻璃窑炉内配合料熔化进程计算方法、装置和设备。方法包括：S1. 通过设置在窑炉前端的内窥镜采集熔化区的图像数据，并获取对应像素点的温度和红外发射率信息；S2. 基于所述温度和红外发射...
    2026-01-15
  • 一种氮化镓双向器件及其制作方法
    一种氮化镓双向器件及其制作方法_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511428129.7
    本申请提供了一种氮化镓双向器件，包括外延结构、两个漏极、栅极、第一钝化单元、第二钝化单元和场板，第一钝化单元包括覆盖在栅极上方的第一钝化平板部和覆盖在栅极和漏极之间的第二钝化平板部；第二钝化单元形成在第二钝化平板部上；场板包括金属场板层和欧...
    2026-01-15
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_北京燕东微电子科技有限公司_202511342213.7
    本申请涉及半导体技术领域，具体提供一种半导体结构及其制备方法，旨在解决现有技术中场板末端纵向电场极大影响器件击穿电压上限值的技术问题。为此目的，本申请的半导体结构包括：半导体基板；位于半导体基板中的阱区；位于阱区中的体区和漂移区；位于体区中...
    2026-01-15
  • 半导体结构及其制法、器件、掩膜图案的生成方法及掩膜
    半导体结构及其制法、器件、掩膜图案的生成方法及掩膜_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511842163.9
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制法、器件、掩膜图案的生成方法及掩膜，该半导体结构包括：包括衬底和场氧化结构的基底；衬底具有相对的第一表面和第二表面；衬底内形成有沟道有源区；场氧化结构从第二表面向第一表面延伸，在第一表面定义出沟道有源区...
    2026-01-15
  • 一种人造石墨负极材料的包覆改性方法及锂离子电池应用
    一种人造石墨负极材料的包覆改性方法及锂离子电池应用_福建科达新能源科技有限公司_202511415066.1
    本发明涉及负极材料技术领域，公开了一种人造石墨负极材料的包覆改性方法及锂离子电池应用，所述方法包括以下步骤：步骤1、物料分散：在常温下，将聚乙二醇辛基苯基醚加入足量的去离子水中，搅拌30分钟进行分散；然后加入人造石墨继续搅拌1h进行分散；再...
    2026-01-15
  • 一种数据指纹溯源方法、装置、设备、介质和产品
    一种数据指纹溯源方法、装置、设备、介质和产品_中移动信息技术有限公司_202511387656.8
    本发明提供一种数据指纹溯源方法、装置、设备、介质和产品，该方法包括：获取待处理涉敏文件；根据预先设置的关键词库抽取待处理涉敏文件的关键列值和关键词，并基于关键列值和关键词确定待处理涉敏文件的目标特征向量，将目标特征向量作为待处理涉敏文件的涉...
    2026-01-15
  • 一种基于区块链的银行敏感操作日志不可篡改审计方法
    一种基于区块链的银行敏感操作日志不可篡改审计方法_江苏苏商银行股份有限公司_202511164484.8
    本发明公开了一种基于区块链的银行敏感操作日志不可篡改审计方法。该方法包括实时捕获银行各个业务系统的敏感操作日志，并进行标准化预处理；2、构建私有区块链网络，实现日志的防篡改存储与自动化验证；提供可视化审计工具与自动化告警机制，以根据组合条件...
    2026-01-15
  • 一种粘结剂材料、制备方法、正极材料及电池
    一种粘结剂材料、制备方法、正极材料及电池_天府绛溪实验室_202511546363.X
    本发明涉及电池材料领域，特别涉及一种粘结剂材料、制备方法、正极材料及电池。本发明提供的制备方法包括：将原料化合物和添加剂混合并研磨成混合粉末；于保护气体氛围下将混合粉末加热到熔融温度并发生反应，获得熔融体；基于快淬工艺对熔融体冷却，熔融体冷...
    2026-01-15
  • 双头连接浮动连接器
    双头连接浮动连接器_东莞市信翰精密工业有限公司_202520071099.8
    本实用新型涉及车载电连接技术领域，具体为一种双头连接浮动连接器，包括外壳、插接连接器及浮动连接器，插接连接器设在外壳，浮动连接器活动设在插接连接器；插接连接器包括接电端子、内置胶体及密封元件，密封元件设在内置胶体形成密封结构；浮动连接器包括...
    2026-01-15
  • 文本框的定位方法、装置、电子设备及存储介质
    文本框的定位方法、装置、电子设备及存储介质_珠海格力电器股份有限公司_202111423997.8
    本申请涉及一种文本框的定位方法、装置、电子设备及存储介质，该定位方法，包括：在预设图像数据中检测第一目标，得到第一目标所对应的第一图像；利用特征提取网络对第一图像进行处理，得到第一特征；将第一特征进行栅格化，生成第一栅格信息，对从第一栅格信...
    2026-01-15
  • 超结MOSFET器件及其制备方法
    超结MOSFET器件及其制备方法_深圳天狼芯半导体有限公司_202511300391.3
    本申请涉及一种超结MOSFET器件，包括：第一柱结构和第二柱结构，位于衬底的同一侧，且在平行于衬底的表面的同一个方向上依次排列；第一柱结构与第二柱结构的相对的表面相接触，第一柱结构与第二柱结构的掺杂类型不同；多个岛结构，均与第一柱结构位于衬...
    2026-01-15
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