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自行车,非机动车装置制造技术
  • 一种桌用插座
    一种桌用插座_杭州骏跃科技有限公司_202520223020.9
    本实用新型公开了一种桌用插座，包括面盖和与面盖连接的后盖，所述面盖设有取电面；所述后盖设有固定安装面和夹持件安装结构，所述夹持件安装结构包括夹持件安装槽和隔板结构；所述后盖连接插座模块，涉及插座技术领域。本实用新型通过采用稳固的结构设计与便...
    2026-01-14
  • 用于安全计算的数据处理方法、介质、设备及产品
    用于安全计算的数据处理方法、介质、设备及产品_北京字跳网络技术有限公司_202511434117.5
    一种用于安全计算的数据处理方法、介质、设备及产品。安全计算用于多个参与方对m维的向量基于softmaxsoftmax进行归一化，应用于第一参与方的方法包括：将自身持有的向量的分片中的各元素依次赋值给满二叉树的叶子节点，得到各叶子节点的标签值...
    2026-01-14
  • 融合AI动态脱敏的数据库隐私网络安全防护方法
    融合AI动态脱敏的数据库隐私网络安全防护方法_深圳市安络科技有限公司_202511869845.9
    本发明公开了融合AI动态脱敏的数据库隐私网络安全防护方法，涉及数据库脱敏安全防护技术领域，包括如下步骤：基于用户的职位信息为用户赋予职位权限；分析职位权限的访问范围；分析访问行为是否可信，基于分析结果对数据库内的字段名进行敏感性动态调节，得...
    2026-01-14
  • 一种含二甲基二烯丙基氯化铵的改性锌粉负极及其制备方法
    一种含二甲基二烯丙基氯化铵的改性锌粉负极及其制备方法_维特新能(广东)科技有限公司_202511418750.5
    本发明涉及水系锌离子电池技术领域，具体公开了一种含二甲基二烯丙基氯化铵的改性锌粉负极及其制备方法，本发明将二甲基二烯丙基氯化铵作为功能添加剂，用于改性加入氧化铋(Bi22O33)等缓蚀剂的锌粉中，构建循环稳定的锌粉负极。二甲基二烯丙基氯化铵...
    2026-01-14
  • 负极材料及电池
    负极材料及电池_贝特瑞新材料集团股份有限公司_202511405380.1
    本申请涉及一种负极材料及电池，所述负极材料包括石墨，所述石墨的内部和/或表面具有孔，所述孔的平均孔径所述负极材料的吸油值O(mL/100g)、孔体积V(cm33/kg)、振实密度T(g/mL)以及所述负极材料在20KN压力下的粉末电导率e(...
    2026-01-14
  • 一种地震滑坡面积统计方法
    一种地震滑坡面积统计方法_成都理工大学_202511491226.0
    本发明提供一种地震滑坡面积统计方法，属于地质灾害防治技术领域。(1)对于一个地震滑坡数据集，包含有N个滑坡，最大滑坡的面积为A；建立地震滑坡面积指数分割，共有m个滑坡面积分割区间；(2)统计出每个滑坡面积间隔内的滑坡数量Nmm；(3)计算出...
    2026-01-14
  • 一种除草宽度可调节的除草器
    一种除草宽度可调节的除草器_广东花城园林有限公司_202520362983.7
    本实用新型公开了一种除草宽度可调节的除草器，包括：支撑架；二号电动推杆，二号电动推杆安装在支撑架的顶部，本实用新型的有益效果是：通过设置了一号电动推杆、移动滑块和滑动底板，实现了一号电动推杆的输出端带动移动滑块在调节支板内滑动，移动滑块带动...
    2026-01-14
  • 座椅的支撑组件的控制方法、装置、存储介质和座椅
    座椅的支撑组件的控制方法、装置、存储介质和座椅_杭州黑白调科技有限公司_202511460144.X
    本申请实施例提供一种座椅的支撑组件的控制方法、装置、存储介质和座椅。其中，方法包括：获取目标用户与座椅接触的压力分布数据；根据压力分布数据确定目标用户的坐姿信息；根据坐姿信息确定目标支撑组件，并基于压力分布数据确定目标支撑组件的补偿参数；根...
    2026-01-14
  • 聚苯胺包覆还原氧化石墨烯改性玻璃鳞片及其制备方法和应用
    聚苯胺包覆还原氧化石墨烯改性玻璃鳞片及其制备方法和应用_西安建筑科技大学_202511412690.6
    本发明属于金属材料腐蚀与防护领域，公开了聚苯胺包覆还原氧化石墨烯改性玻璃鳞片及其制备方法和应用，对玻璃鳞片进行改性，得到带正电的玻璃鳞片；将所述带正电的玻璃鳞片加入带负电的还原氧化石墨烯溶液中，并将溶液调节至酸性进行反应、分离、干燥，得到还...
    2026-01-14
  • CMOS器件及集成电路
    CMOS器件及集成电路_北京燕东微电子科技有限公司_202520006928.4
    本实用新型提供了一种CMOS器件及集成电路，包括衬底、阱区、位于阱区远离衬底一侧的栅极结构、位于阱区内部的源漏注入区。抗辐射加固缓冲区，位于阱区内部，且环绕源漏注入区内的源区和漏区；隔离区，位于衬底的表面，且隔离区在衬底表面的正投影环绕抗辐...
    2026-01-14
  • 基于图像的电缆绝缘层缺陷检测方法及系统
    基于图像的电缆绝缘层缺陷检测方法及系统_东莞市瑞英电线有限公司_202511565895.8
    本申请公开了一种基于图像的电缆绝缘层缺陷检测方法及系统，涉及智能检测领域，其通过对多相机阵列采集的原始图像流进行实时展开处理，生成当前时刻电缆表面的二维连续图像。进一步地，引入帧间密集光流场估计技术以精确捕捉电缆表面的运动信息，并基于此运动...
    2026-01-14
  • 一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法
    一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法_江南大学_202511632350.4
    本发明公开了一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法，通过在p‑GaN/AlGaN界面插入AlScN层，避免栅极刻蚀出现欠刻蚀或过刻蚀现象，同时提高极化效应、增强二维电子气浓度。并且AlScN层促进表面钝化工艺的进行，提高器件的可靠性...
    2026-01-14
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_联华电子股份有限公司_202411023507.9
    本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括衬底、第一隔离结构、第二隔离结构、第一栅极、第二栅极、第三栅极、第一栅绝缘层、第二栅绝缘层、第三栅绝缘层、漂移区及源极/漏极区。衬底具有第一区、第二区与第三区。第一区中的衬底包括多个鳍...
    2026-01-14
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202510815236.9
    本发明抑制半导体层内所存在的堆垛层错的扩张。半导体装置具备：第一导电型的第一半导体层，具有第一面和在第一方向上与第一面对置的第二面，且包含复合中心；和与第二面邻接且与第一导电型相反的第二导电型的第二半导体层。在第一面与第二面之间且远离第一面...
    2026-01-14
  • 一种SSD快速安全擦除特定数据的方法、设备及介质
    一种SSD快速安全擦除特定数据的方法、设备及介质_成都芯忆联信息技术有限公司_202511772692.6
    本发明公开了一种SSD快速安全擦除特定数据的方法、设备及介质，涉及固态硬盘技术领域，包括：主机为特定数据集合创建并指定流标识符；SSD为所述流标识符对应的数据流动态分配并绑定独立的流特定加密密钥；当需要擦除所述特定数据集合时，所述主机向所述...
    2026-01-14
  • 一种大数据平台的动态安全存储方法、系统、设备及介质
    一种大数据平台的动态安全存储方法、系统、设备及介质_天津丰华创展科技有限公司_202510502082.8
    本发明公开了一种大数据平台的动态安全存储方法、系统、设备及介质，涉及数据安全存储技术领域，包括如下步骤：为大数据平台生成平台加密密钥；为平台数据分配分布式存储节点并基于平台加密密钥对平台数据进行加密计算，得到加密数据，再将其转变为动态数据；...
    2026-01-14
  • 新型光交联剂及其制备方法和应用
    新型光交联剂及其制备方法和应用_中国药科大学_202511522741.0
    本发明提供一种新型光交联剂、其制备方法及其在蛋白构象和蛋白相互作用解析中的应用，新型光交联剂的结构式为。该交联剂可在光照瞬间与蛋白发生交联反应，可用于捕捉瞬时的蛋白构象和/或蛋白间相互作用。
    2026-01-14
  • 高固含无溶剂厚浆型环氧树脂涂料及制备方法和应用
    高固含无溶剂厚浆型环氧树脂涂料及制备方法和应用_大使涂料(安徽)有限公司_202511870807.5
    本申请涉及涂料技术领域，本申请提供高固含无溶剂厚浆型环氧树脂涂料及制备方法和应用，涂料包括第一组分和第二组分；第一组分包括改性环氧树脂、活性稀释剂、填料和助剂；第二组分包括改性固化剂、复合促进剂和缓凝剂；复合促进剂由改性纳米氧化锌与复合催化...
    2026-01-14
  • 数据包缓存装置、网络设备及控制方法
    数据包缓存装置、网络设备及控制方法_广东工业大学_202511320892.8
    本发明公开了一种数据包缓存装置、网络设备及控制方法，该数据包缓存装置包括：数据包收发FIFO组，包括M个接收FIFO和N个发送FIFO，M、N分别为输入端口数和输出端口数；伪双端口SRAM阵列，包括多块伪双端口SRAM；数据包写入控制模块，...
    2026-01-14
  • 半导体装置以及半导体电路
    半导体装置以及半导体电路_株式会社东芝_202110835833.X
    实施方式提供能够降低开关损耗的半导体装置及半导体电路。实施方式的半导体装置具备：半导体层，具有第一面及第二面、从第一面侧到第二面侧依次具有第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域和第二导电型的第四半...
    2026-01-14
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