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自行车,非机动车装置制造技术
  • 一种半导体器件和制备方法
    一种半导体器件和制备方法_华为技术有限公司_202410911632.7
    本申请提供了的半导体器件，在生长源极结构(150)和漏极结构(160)的时候，是对第一次外延生长的结构进行刻蚀，然后在刻蚀后的侧壁上继续进行第二次外延生长最终才获得源极结构(150)和漏极结构(160)。通过对第一次外延生长的第一外延层(1...
    2026-01-16
  • MOSFET器件及其形成方法
    MOSFET器件及其形成方法_上海积塔半导体有限公司_202511534908.5
    本发明涉及一种MOSFET器件及其形成方法。所述MOSFET器件包括：衬底，包括沿第一方向相对分布的正面和背面；阱区，位于衬底内，阱区中包括第一掺杂元素；隔离结构，位于衬底内且分布于阱区的侧面；阻挡层，位于阱区与隔离结构之间，阻挡层用于阻挡...
    2026-01-16
  • 腰靠调节结构及椅子
    腰靠调节结构及椅子_安吉恒林科技发展有限公司_202520535771.4
    本实用新型公开了一种腰靠调节结构及椅子，包括安装支架、腰靠和按摩机芯，腰靠以可前后滑动的方式设置在安装支架上，按摩机芯以可前后移动的方式滑动安装在腰靠的中间位置；安装支架上安装有用于驱使腰靠前后移动的第二驱动机构；腰靠上安装有用于驱使按摩机...
    2026-01-16
  • 一种反应性纺织助剂及其制造方法和应用
    一种反应性纺织助剂及其制造方法和应用_华新珍_202511742781.6
    本发明提供一种反应性纺织助剂及其制造方法和应用，涉及纺织助剂领域和/或印染助剂领域。本申请的染色助剂采用助剂A和/或助剂B，助剂A和/或助剂B中的卤素和/或‑SO22CH＝CH22基团使得助剂A和/或助剂B较好得连接在纤维织物上，且助剂A和...
    2026-01-16
  • 一种疏水纳米涂层材料及其制备方法
    一种疏水纳米涂层材料及其制备方法_湖南梵鑫新材料股份有限公司_202511655594.4
    本发明涉及涂层材料领域，具体涉及一种疏水纳米涂层材料及其制备方法。涂层材料按照重量份数计算，包括：50‑70份水性聚氨酯分散液、5‑10份改性聚二甲基硅氧烷、5‑15份氨基改性二氧化硅、1‑3份分散剂、1‑2份交联剂、0.5‑2份润湿剂、0...
    2026-01-16
  • 一种基于数据控权的多组织科目体系管理方法
    一种基于数据控权的多组织科目体系管理方法_浪潮通用软件有限公司_202511229906.5
    本申请提供了一种基于数据控权的多组织科目体系管理方法，属于信息技术领域，方法包括：基于企业的业务需求及组织架构，确定多个组织结构，并定义多个组织的角色和职责；基于多个组织建立科目体系模板，科目体系模板包括公有科目和私有科目；基于组织的角色和...
    2026-01-16
  • 文件处理方法、装置、设备、介质和程序产品
    文件处理方法、装置、设备、介质和程序产品_中国工商银行股份有限公司_202511399724.2
    本申请提供了一种基于可信执行环境的文件处理方法，可以应用于隐私计算技术领域。该方法包括：响应于对业务方法的调用，拦截所述业务方法的执行，其中，所述业务方法标注有安全注解，所述业务方法的入参包括文件的文件名；根据所述安全注解中声明的安全策略，...
    2026-01-16
  • 一种城市商业策略数据处理方法
    一种城市商业策略数据处理方法_南京弘竹泰信息技术有限公司_202511894753.6
    本发明公开了一种城市商业策略数据处理方法，本发明涉及大数据处理技术领域，解决了加密策略安全性与业务兼容性冲突、存储管理架构适配性差的技术问题，本发明通过按数据规模、结构特性及场景需求精准匹配存储方案，解决了存储选型倒置问题，提升资源利用率，...
    2026-01-16
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411197172.2
    本发明的实施方式涉及半导体装置。本实施方式所涉及的半导体装置具有：第1电极及第2电极，分别设置于半导体层的第1主面及第2主面；第1导电型的第1半导体区域；第1导电型的第2半导体区域，从第1半导体区域朝向第2电极延伸，具有上侧区域和下侧区域，...
    2026-01-16
  • 椅子及其腰靠调节结构
    椅子及其腰靠调节结构_安吉恒林科技发展有限公司_202520537203.8
    本实用新型公开了一种椅子及其腰靠调节结构，包括安装支架、腰靠和按摩机芯，腰靠以可前后滑动的方式设置在安装支架上，按摩机芯以可前后移动的方式设置在腰靠的中间位置；还包括有用于驱使腰靠前后移动的第二驱动机构，第二驱动机构安装在安装支架上；还包括...
    2026-01-16
  • 数据加密方法、解密方法及可撤销的密文数据库病症匹配系统
    数据加密方法、解密方法及可撤销的密文数据库病症匹配系统_华南农业大学_202210671545.X
    本发明公开了一种数据加密方法、解密方法及可撤销的密文数据库病症匹配系统，所述密文数据库病症匹配系统包括用户端、匹配端和云服务器，所述用户端为至少两个，各用户端之间相连，每个用户端分别与匹配端相连，且每个用户端和匹配端分别与云服务器相连。本发...
    2026-01-16
  • 改性凹凸棒土及其制备方法、沥青防水涂料用组合物、沥青防水涂料及其制备方法
    改性凹凸棒土及其制备方法、沥青防水涂料用组合物、沥青防水涂料及其制备方法_德州科顺建筑材料有限公司_202511717678.6
    本发明涉及建筑防水技术领域，公开了一种改性凹凸棒土及其制备方法、沥青防水涂料用组合物、沥青防水涂料及其制备方法；改性凹凸棒土的制备方法包括：将凹凸棒土、改性溶液和脂肪族二缩水甘油醚进行混合，得到所述改性凹凸棒土；所述改性溶液中含有3‑5wt...
    2026-01-16
  • 一种水性环氧树脂涂料及其制备方法和应用
    一种水性环氧树脂涂料及其制备方法和应用_广东工业大学_202511231617.9
    本发明公开一种水性环氧树脂涂料，包括以下质量百分数组分制成：改性二维纳米材料0.1‑1wt％、固化剂25‑30wt％、环氧树脂20‑25wt％、去离子水45‑50wt％。本发明还公开的所述水性环氧树脂涂料的制备方法及其应用。本发明的有益效果...
    2026-01-16
  • 氢气分级旋流喷嘴及燃烧器
    氢气分级旋流喷嘴及燃烧器_清华大学_202511770773.2
    本申请涉及一种氢气分级旋流喷嘴及燃烧器。该氢气分级旋流喷嘴包括：预燃组件；以及主燃组件，包括主燃外壳、主燃内壳、主燃输送管、氢气喷管以及主燃旋流器，主燃内壳围设于预燃组件的外周，主燃外壳设置于主燃内壳的外周，主燃旋流器设置于主燃外壳与主燃内...
    2026-01-16
  • 应用程序接口调用方法及其装置、系统
    应用程序接口调用方法及其装置、系统_华为技术有限公司_202511324321.1
    应用程序接口调用方法及其装置、系统，本申请提供一种API调用方法及其装置、系统，其中该方法可包括应用程序接口API提供网元接收来自应用服务器针对目标应用的API调用请求，该API调用请求用于请求操作终端设备的信息，该API调用请求包括终端设...
    2026-01-16
  • 基于多模态的客诉处理方法和装置、电子设备、存储介质
    基于多模态的客诉处理方法和装置、电子设备、存储介质_中国平安财产保险股份有限公司_202511409533.X
    本申请提出的基于多模态的客诉处理方法和装置、电子设备、存储介质，涉及人工智能技术领域，适用于金融科技和医疗领域。该方法包括：获取目标对象的目标业务问题以及目标业务问题的问题凭证图像；对问题凭证图像进行图像识别，得到图像文字信息；根据图像文字...
    2026-01-16
  • 基于YOLO11与DDAA的下水道缺陷检测方法
    基于YOLO11与DDAA的下水道缺陷检测方法_唐山工业职业技术大学_202511408053.1
    本发明涉及下水道缺陷检测技术领域，具体为基于YOLO11与DDAA的下水道缺陷检测方法，获取标注下水道缺陷，测长度、宽度算面积，依面积设三阈值比对，划分微小、细小、中等、较大缺陷区间，选微小缺陷样本，用DDAA提取特征评估最优扩张率定各区间...
    2026-01-16
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_苏州华太电子技术股份有限公司_202511574277.X
    本申请涉及一种半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域。所述半导体器件的制备方法，包括：提供第一衬底；于第一衬底的正面键合第二衬底；于第二衬底的正面依次形成外延层、正面金属层和正面保护层；对第一衬底的背面进行减薄，直至完全去除第一衬底；于第...
    2026-01-16
  • 具有稳健触发元件的ESD保护器件
    具有稳健触发元件的ESD保护器件_英飞凌科技股份有限公司_202510956140.4
    本公开涉及具有稳健触发元件的ESD保护器件。一种半导体器件，包括：第一行掺杂阱，其包括在半导体主体中与第二导电类型阱交替布置的第一导电类型阱；第一导电触点，其形成在与第一导电类型阱中的一者电连接的半导体主体上；第二导电触点，其形成在与第二导...
    2026-01-16
  • 一种极化栅结构的横向功率电子器件及其制备方法
    一种极化栅结构的横向功率电子器件及其制备方法_广东工业大学_202511332902.X
    本发明提供了一种极化栅结构的横向功率电子器件及其制备方法，涉及半导体设计技术领域。所述电子器件包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、双沟道层、钝化层和电极层，所述双沟道层包括自下而上依次设计的下沟道层、铝镓氮势垒子层、上沟道层和势垒层，所述电...
    2026-01-16
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