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自行车,非机动车装置制造技术
  • 电力供给系统
    电力供给系统_丰田自动车株式会社_202510761731.6
    本发明涉及电力供给系统，以简单的系统构成从车辆向电力负载供电。在电力供给系统(101)中，供电装置(3)在连接了车辆(4)的情况下向负载(123)供给来自车辆(4)的交流电力。第1电磁开关(51)能够切换漏电断路器(1)与过电流断路器(11...
    2026-01-16
  • 用于机动车辆的车身底部及包括这种车身底部的机动车辆
    用于机动车辆的车身底部及包括这种车身底部的机动车辆_安培股份公司_202480032165.9
    本发明涉及一种用于机动车辆的车身底部(6)，该车身底部包括上部地板(8)、中心框架(10)，中心框架包括前横向构件(22)、后横向构件(24)和两个侧门槛梁(26)，上部地板(8)附接到中心框架(10)，车身底部(6)包括附接到框架(10)...
    2026-01-16
  • 一种H型钢梁下隔声墙体安装结构及建造方法
    一种H型钢梁下隔声墙体安装结构及建造方法_北新集团建材股份有限公司_202310369196.0
    本发明公开了一种H型钢梁下隔声墙体安装结构及建造方法，安装结构包括H型钢梁、顶部组件、底部组件、隔音板和隔声墙体，隔声墙体包括第一墙体和第二墙体，第一墙体和第二墙体之间设有第一间隙；任一顶部组件包括一个槽卡件、两个角卡件，槽卡件设有第一插槽...
    2026-01-16
  • 充换电场站管理方法、系统和存储介质
    充换电场站管理方法、系统和存储介质_中国铁塔股份有限公司_202511776525.9
    本发明涉及充电设施智能管理技术领域，尤其涉及一种充换电场站管理方法、系统和存储介质。方法包括：利用物联网平台对设备端和用户端进行安全接入认证，监测设备上报的心跳数据和运行数据，并在检测到异常情况时生成异常信号，所述设备端包括充电桩、摄像头、...
    2026-01-16
  • 一种钢梁下装饰性墙体模块装配结构及安装方法
    一种钢梁下装饰性墙体模块装配结构及安装方法_北新集团建材股份有限公司_202310370645.3
    本发明公开了一种钢梁下装饰性墙体模块装配结构及安装方法，装配结构包括钢梁、顶部连接机构和装饰性墙体；顶部连接机构包括长固件、Z型固件和角卡件，长固件设有第一侧板，另一端连接Z型固件，Z型固件与长固件连接，装饰性墙体夹在第一侧板和Z型固件之间...
    2026-01-16
  • 一种用于安装混凝土预制管桩的自平衡打桩设备及方法
    一种用于安装混凝土预制管桩的自平衡打桩设备及方法_连云港智源电力设计有限公司_202511761428.2
    本发明涉及电力工程建设技术领域，且公开了一种用于安装混凝土预制管桩的自平衡打桩设备及方法，一种用于安装混凝土预制管桩的自平衡打桩设备，包括行走装置、双桩桩基钻进装置、漂浮装置和辅助平衡装置，行走装置包括操作室、履带、油箱和主底座；双桩桩基钻...
    2026-01-16
  • 一种基于松塔生物质的钠离子电池硬碳负极材料及其制备方法和负极极片
    一种基于松塔生物质的钠离子电池硬碳负极材料及其制备方法和负极极片_国网江西省电力有限公司电力科学研究院_202511696293.6
    本发明涉及一种基于松塔生物质的钠离子电池硬碳负极材料及其制备方法和负极极片，所述制备方法包括如下步骤：S1、将松塔粉碎，用去离子水清洗，干燥，过40目筛得到松塔粉；S2、将松塔粉先用质量浓度碱溶液浸洗，再用磷酸二氢铵和硫脲混合溶液进行浸洗，...
    2026-01-16
  • 一种主斜井无盲区联动灭火装置
    一种主斜井无盲区联动灭火装置_山西吕梁中阳付家焉煤业有限公司_202520362859.0
    本实用新型涉及煤矿安全技术领域，尤其涉及一种主斜井无盲区联动灭火装置。其技术方案包括：管道、安装板、螺栓一、螺纹环、螺栓二和转板，所述安装板一侧上下两端分别固定有安装架，所述安装板上表面安装有电轨，所述电轨上活动连接轨架，所述轨架上表面固定...
    2026-01-16
  • 一种激光专用空压站
    一种激光专用空压站_广东精信德压缩机有限公司_202520262860.6
    本实用新型公开了一种激光专用空压站，包括空压机，空压机的背面设置有吸气口，吸气口的外表面设置有吸气过滤器，吸气过滤器包括滤芯件、粗网罩和粗网板；滤芯件包括活动插接在吸气口端部的筒式滤芯和安装在筒式滤芯外表面的细网套；粗网罩套设在细网套的外表...
    2026-01-16
  • 一种阻燃剂用定量下料装置
    一种阻燃剂用定量下料装置_连云港九头狼塑胶制品有限公司_202511476013.0
    本发明公开了一种阻燃剂用定量下料装置，涉及下料装置技术领域，包括用于将粉末状阻燃剂输出的输送组件，所述输送组件包括有下料管，所述输送组件的外表面设置用于检测物料是否均匀输送的测量组件。该一种阻燃剂用定量下料装置，当物料进入到下料管内部后，将...
    2026-01-16
  • 发动机性能保护方法、装置、电子设备、存储介质及车辆
    发动机性能保护方法、装置、电子设备、存储介质及车辆_奇瑞新能源汽车股份有限公司_202511669556.4
    本申请公开了一种发动机性能保护方法、装置、电子设备、存储介质及车辆，涉及车辆控制技术领域，所述方法包括：获取增程式车辆的增程器的启动间隔时长，增程器包括发电机和发动机；在启动间隔时长超过预设启动周期的情况下，控制发电机带动发动机按照预设转速...
    2026-01-16
  • 一种铝硅酸盐添加剂及合成方法、锂电池及电子设备
    一种铝硅酸盐添加剂及合成方法、锂电池及电子设备_天府绛溪实验室_202511581349.3
    本发明涉及锂电池技术领域，特别涉及一种铝硅酸盐添加剂及合成方法、锂电池及电子设备。其中，所述添加剂为包含钠离子和钾离子的非晶态或部分非晶态铝硅酸盐；其中，所述铝硅酸盐中钠与钾的摩尔比为0.1 : 1至10 : 1，硅与铝的摩尔比为1 : 1...
    2026-01-16
  • 半导体元件的制造方法以及半导体元件
    半导体元件的制造方法以及半导体元件_日亚化学工业株式会社_202110556151.5
    本发明提供半导体元件的制造方法以及半导体元件，在割断基板时能够抑制基板缺口。半导体元件的制造方法包括：第一照射工序，从第一面侧向基板的内部照射激光，在基板的内部形成沿着第一方向排列的多个第一改性部；第二照射工序，向在第二方向上自第一改性部偏...
    2026-01-16
  • 一种航空警示球表面保护涂料及其制备方法
    一种航空警示球表面保护涂料及其制备方法_山东送变电工程有限公司_202511731414.6
    本发明公开了一种航空警示球保护涂料及其制备方法，所述涂料由质量比为50：20‑25：30‑35：15‑25：0.1的共聚乳液、12wt%的水性聚氨酯乳液溶液、表面粗糙化金刚石、复合抗紫外线填料和消泡剂组成，所述共聚乳液由水性聚氨酯乳液、阴离...
    2026-01-16
  • AI知识管理软硬件一体机
    AI知识管理软硬件一体机_北京聚流沙科技有限公司_202510285968.1
    本申请公开了一种AI知识管理软硬件一体机，涉及知识管理领域，包括：硬件微型服务器和软件功能模块；软件功能模块包括AI智能问答模块；各软件功能模块对应于基于容器的微服务架构中的一个或多个微服务组件；其中，软件功能模块采用DevOps知识框架赋...
    2026-01-16
  • 复合漏极高电子迁移率晶体管及其制备方法
    复合漏极高电子迁移率晶体管及其制备方法_扬州大学_202511661661.3
    本发明公开了一种复合漏极高电子迁移率晶体管及其制备方法，晶体管包括从下至上依次叠设的衬底、预铺材料层、成核材料层、组分渐变材料层、高阻材料层、二维电子气导电沟道层、势垒材料层；势垒材料层上设有源极和第一漏极；源极和第一漏极之间设有P型复合超...
    2026-01-16
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_联华电子股份有限公司_202411069458.2
    本发明公开一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括基底、设置在基底上的栅极结构以及设置在栅极结构的相对侧处的基底中的源极/漏极。栅极结构包括栅极介电层、栅极电极、第一栅极间隙壁以及第二栅极间隙壁。栅极介电层设置在基底上。栅极电极设置在栅极...
    2026-01-16
  • 一种高稳定性石墨烯水性分散液及含有该分散液的导热涂料
    一种高稳定性石墨烯水性分散液及含有该分散液的导热涂料_江苏道蓬科技有限公司_202511765001.X
    本发明涉及涂料技术领域，具体涉及一种高稳定性石墨烯水性分散液及含有该分散液的导热涂料。该分散液由羧甲基纤维素钠、聚乙烯醇和丙烯酸‑丙烯酸酯‑磺酸盐三元共聚物按1 : 1 : 1配比组成的混合表面活性剂，与消泡剂、石墨烯粉体及去离子水经多级研...
    2026-01-16
  • 具有渐变外延分布的电荷补偿MOSFET及其制造方法
    具有渐变外延分布的电荷补偿MOSFET及其制造方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202511504491.8
    公开了具有渐变外延分布的电荷补偿MOSFET及其制造方法。一种竖向功率半导体晶体管器件，包括：第一导电类型的漏极区；第二导电类型的本体区；将本体区与漏极区分离的第一导电类型的漂移区；被通过本体区与漂移区分离的第一导电类型的源极区；栅极沟槽，...
    2026-01-16
  • 一种宽禁带沟槽型MOSFET器件及其制造方法
    一种宽禁带沟槽型MOSFET器件及其制造方法_湖北九峰山实验室_202411262429.8
    本申请公开了一种宽禁带沟槽型MOSFET器件及其制造方法，可用于半导体器件领域，该器件中，N型外延层、P‑base区以及源极区依次设于N型衬底的一侧；漏电极设于N型衬底的另一侧；N积累型沟道设于P‑base区的沟槽的内表面，且分别与栅极区、...
    2026-01-16
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