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最新专利技术
  • 衬底处理系统中的分区衬底支撑件的动态温度控制
    衬底处理系统中的分区衬底支撑件的动态温度控制_朗姆研究公司_202480055852.2
    用于控制衬底支撑件温度的方法包括响应于嵌入Z个分区的该一者中的温度传感器，设定Z个分区中的一者中衬底支撑件的温度；分别使用Z‑1个功率比来设定Z个分区的Z‑1个分区中衬底支撑件的温度；测量嵌入Z个分区中的Z个电阻加热器分别在第一温度和第二温...
    2026-04-02
  • 用于电镀的旋转元件和衬底保持器
    用于电镀的旋转元件和衬底保持器_朗姆研究公司_202480054687.9
    此处提供电镀金属到衬底上的方法及装置。例如，此电沉积装置可包含：(a)镀覆室，被配置成在将金属电镀至衬底上之时容纳电解液及阳极；(b)衬底保持器，被配置成在电镀期间保持该衬底以及维持介于该衬底的镀覆表面与该阳极之间的分隔；及(c)离子阻性离...
    2026-04-02
  • 静电吸附装置、翘曲矫正方法以及安装方法
    静电吸附装置、翘曲矫正方法以及安装方法_国立大学法人东京科学大学_202480055597.1
    本申请的目的在于，提供一种曲面适应性能高的静电吸附装置，以及提供一种使用该静电吸附装置的翘曲矫正方法以及安装方法。提供一种静电吸附装置，构成为对吸附对象物进行静电吸附，具有构造体和电极构件，所述构造体构成为，通过所述构造体的至少一部分变形，...
    2026-04-02
  • 诊断装置、诊断方法以及半导体器件制造系统
    诊断装置、诊断方法以及半导体器件制造系统_株式会社日立高新技术_202480007722.1
    本发明的目的在于，提供一种能够掌握样品台的表面状态并且能够对异常的产生进行诊断的技术。因此，本发明的诊断装置的特征在于，在诊断载置有样品的样品台有无异常的诊断装置中，基于进行除电处理时的电流的过渡变化中的时间常数，来判定样品台有无异常，除电...
    2026-04-02
  • 晶片载放台
    晶片载放台_日本碍子株式会社_202380013227.7
    晶片载放台10具备：陶瓷基体20，其上表面具有晶片载放面20a；电极22，其内置于陶瓷基体20；以及导电性的电极取出部23，其内置于陶瓷基体20且与电极22电连接。电极取出部23与电极22相比较，与陶瓷基体20的主成分相同的陶瓷材料的体积含...
    2026-04-02
  • 示教支援装置、示教支援方法以及示教支援程序
    示教支援装置、示教支援方法以及示教支援程序_川崎重工业株式会社_202480055764.2
    本发明提供一种示教支援装置。示教支援装置(30)是使机器人(10)的模型的图像显示在显示器(21)的装置，所述机器人(10)具有臂(12)和连接在臂(12)的手(14)。示教支援装置(30)包括设定器(321)、受理器(322)、导出器(3...
    2026-04-02
  • 接合装置、接合系统、接合方法、换载装置以及换载方法
    接合装置、接合系统、接合方法、换载装置以及换载方法_东京毅力科创株式会社_202380101876.2
    接合装置将多个裸芯片接合于基板。所述接合装置具备：承载件保持部，其保持安装有多个所述裸芯片的承载件；基板保持部，其保持所述基板；搬送部，其从由所述承载件保持部保持的所述承载件接受所述裸芯片并进行搬送；以及安装部，其从所述搬送部接受所述裸芯片...
    2026-04-02
  • 半导体制造装置的诊断装置、诊断系统以及诊断方法
    半导体制造装置的诊断装置、诊断系统以及诊断方法_株式会社日立高新技术_202480055058.8
    本发明的目的在于，提供如下技术：针对半导体制造装置的设备的随时间劣化所引起的异常，基于从装备于设备的传感器的信号波形得到的特征量趋势的变化，早期虚报少且有效率地进行诊断。因此，本发明的半导体制造装置的诊断装置具备：特征量运算部，其根据与表示...
    2026-04-02
  • 半导体工艺冷却系统
    半导体工艺冷却系统_朗姆研究公司_202480053977.1
    本文所说明的一种工艺冷却系统包括包含第一入口、第一出口、第二入口和第二出口的热交换器。工艺冷却系统还包括耦合至热交换器的第一入口的工艺冷却水供应源歧管。比例阀耦合至热交换器的第一出口。导管与处理室的壁有热接触。导管的第一端耦合至比例阀，且导...
    2026-04-02
  • 载具状态更新方法和装置、服务器
    载具状态更新方法和装置、服务器_京东方科技集团股份有限公司_202280003946.6
    提供了一种载具状态更新方法和装置、服务器。该方法包括：获取载具的使用状态、扣留状态和洁净状态(41)；根据使用状态、扣留状态和洁净状态确定载具的下一状态(42)；根据当前状态管理载具的生命周期。本发明可以确定载具的下一状态且可以对不同种类的...
    2026-04-02
  • 基板处理方法
    基板处理方法_株式会社斯库林集团_202480055371.1
    提供一种可有效地降低基板的图案的崩坏率的技术。基板处理方法包含：保持工序、液供给工序、第1干燥液供给工序、第2干燥液供给工序、及干燥工序。在第1干燥液供给工序中，将具有第1沸点(bp1)、且表面张力较处理液低的第1干燥液供给至基板的第1主面...
    2026-04-02
  • 保护胶带、半导体芯片的制造方法
    保护胶带、半导体芯片的制造方法_古河电气工业株式会社_202480055620.7
    提供一种保护胶带，具有基材和粘合剂层，粘贴在被粘物以及支承被粘物的环形框上使用，该保护胶带难以从环形框剥离，在使粘合剂层的粘合力降低之后，容易拉伸，凹凸追随性也优异，粘合剂难以残留在被粘物上。基材(2)具备在粘合剂层(3)侧的面上形成的第一...
    2026-04-02
  • 过滤器清洗方法
    过滤器清洗方法_胜高股份有限公司_202480055484.1
    提供一种能够有效地减少从未使用的过滤器产生的微粒的过滤器清洗方法。过滤器清洗方法具有：第1清洗工序，用作为第1清洗液的臭氧水对氟树脂制的过滤器进行清洗处理；以及第2清洗工序，用作为第2清洗液的含酸液或含碱液对前述第1清洗工序后的前述过滤器进...
    2026-04-02
  • 基板处理方法、基板处理装置以及处理液
    基板处理方法、基板处理装置以及处理液_株式会社斯库林集团_202480053432.0
    本发明涉及一种基板处理方法、基板处理装置以及处理液。基板处理方法具有处理液供给工序、固化膜形成工序以及升华工序。在处理液供给工序中，处理液被供给至基板。处理液包含升华性物质以及溶剂。在固化膜形成工序中，溶剂从基板上的处理液中蒸发。在固化膜形...
    2026-04-02
  • 具有金属键合界面的半导体结构及其制造方法
    具有金属键合界面的半导体结构及其制造方法_凌北卿_202380101011.6
    本公开涉及半导体结构、存储器件及其制造方法。该方法包括提供第一结构，该第一结构包括第一衬底和位于第一衬底上方的布线层。该方法包括提供第二结构，该第二结构包括第二衬底。该方法包括在第一结构上形成第一金属键合层，和在第二衬底的第一表面上形成第二...
    2026-04-02
  • 蚀刻方法和等离子体处理装置
    蚀刻方法和等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202480055314.3
    本发明提供能够提高选择比的蚀刻技术。本发明的蚀刻方法是在包括腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法，其包括：步骤(a)，在配置在腔室内的基片支承部上准备基片，基片包括包含硅和氮的第一膜、以及包含硅和氧的第二膜；步骤(b)，向腔室内供给包括含...
    2026-04-02
  • 基板处理装置的零件的组装系统及基板处理装置的零件的组装方法
    基板处理装置的零件的组装系统及基板处理装置的零件的组装方法_东京毅力科创株式会社_202480054646.X
    在所公开的基板处理装置的零件的组装系统中，机器人将零件搬送到基板处理装置内的指定位置。图像传感器获取半导体制造装置的基板支承部的上表面及零件的图像。测定部通过根据该图像求出零件内的至少两个测定点各点与基板支承部的上表面内的至少两个基准点各点...
    2026-04-02
  • 使绝缘体上硅衬底的表面层薄化的方法
    使绝缘体上硅衬底的表面层薄化的方法_索泰克公司_202480055065.8
    本发明涉及一种使绝缘体上硅衬底的表面层薄化的方法，其包括：a)测量该表面层的厚度以获得其平均厚度(E平均)及其厚度不均匀性(U)的步骤，随后在单晶圆化学处理装置中执行以下步骤：b)对该表面层的正面施行n个氧化及蚀刻循环，其中n为大于或等于1...
    2026-04-02
  • 包含具有最小写入干扰的RRAM器件的交叉电路
    包含具有最小写入干扰的RRAM器件的交叉电路_特忆智能科技_202480052323.7
    本公开提供了一种具有最小化写入干扰的交叉电路。交叉电路可以包括多条位线与多条字线相交、多个交叉点器件以及一个或多个与多条位线操作性连接的第一电容器。多个交叉点器件中的每个均连接到至少一条字线和至少一条位线。该交叉电路还可以包括一个或多个与多...
    2026-04-02
  • 用于通过聚焦离子束退火制造超导量子比特的方法
    用于通过聚焦离子束退火制造超导量子比特的方法_联邦国家自治高等教育机构 莫斯科国立鲍曼技术大学_202480050767.7
    本发明涉及制造量子计算机的量子比特和超导器件的领域，更具体地说，涉及基于薄膜约瑟夫森结的系统，并且可以在制造后用于微调包含薄膜约瑟夫森结的超导量子比特的谐振频率，例如可调频率或固定频率量子比特，以及低温约瑟夫森参量放大器。本发明的本质是一种...
    2026-04-02
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