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  • 本发明公开一种可切换内外离子源的离子阱质谱装置及方法,包括:离子源腔体,离子源腔体外部安装有加热模块,离子源腔体侧壁开设有进样孔,进样孔内安装有色谱柱Ⅰ;电子束发生系统,电子束发生系统安装在离子源腔体的前侧位置;绝缘连接件,绝缘连接件与离子...
  • 本发明涉及水产品鉴定技术领域,具体的说是一种水产品鉴定的便携式蒸发电离质谱装置,包括底板,所述底板上表面安装有真空腔体,所述真空腔体一面安装有进样件,所述真空腔体一面安装有真空规,所述真空腔体背离真空规的一侧设有膈膜泵,所述膈膜泵与底板相连...
  • 本发明公开了一种质谱仪的进样组件和质谱仪总成,所述进样组件包括:取样管路和进样管路,所述取样管路设有取样针,所述进样管路用于与质谱仪相连;洗针管路、清洗管路和控制阀,所述控制阀具有第一连通状态和第二连通状态,所述控制阀在所述第一连通状态时将...
  • 本发明描述了一种用于将样品容纳元件装入和导出质谱仪的闸。此外,还描述了一种用于样品容纳元件的保持器。此外,还描述了一种套件,其包括用于样品容纳元件的保持器和能由保持器保持的样品容纳元件。以及,还描述了一种质谱仪、尤其是MALDI‑TOF质谱...
  • 本发明描述了一种用于将样品容纳元件装入和导出质谱仪的闸。此外,还描述了一种用于样品容纳元件的保持器。此外,还描述了一种套件,其包括用于样品容纳元件的保持器和能由保持器保持的样品容纳元件。以及,还描述了一种质谱仪、尤其是MALDI‑TOF质谱...
  • 本发明尤其涉及射频(RF)离子导向装置的运行,该离子导向装置用于接收、暂时存储、按照物理化学特性进行分离、空间转移并最终输出气相离子。根据本发明的RF离子导向装置可以是质量分析器的一部分,或与其耦合。本发明旨在改善RF离子导向装置的空间电荷...
  • 本申请公开了一种基于非晶硅材料的轴向非对称微通道板结构及其制备方法,包括:沿器件厚度方向贯穿设置的多个微通道;每一微通道沿微通道板轴向方向上分别设置入口段和出口段;各微通道的通道几何参数在入口段与出口段上不同;或各微通道的等效电场分布在入口...
  • 发明属于电弧等离子体电源技术领域,具体涉及一种用于直流电弧等离子体电源的调控方法及系统,其包括提供一电源电路系统,电源电路系统包括依次连接的直流电源模块、逆变整流模块、电压补偿模块、稳流电感和电弧负载,以及电流负反馈驱动控制电路和电压正反馈...
  • 本申请提供了一种刻蚀终点确定方法及相关设备,其中,方法包括:获取刻蚀处理过程中用于干涉测量的第一光谱数据和用于光学发射光谱测量的第二光谱数据;对所述第一光谱数据以及第二光谱数据分别进行特征提取,得到第一光谱数据的第一特征以及第二光谱数据的第...
  • 本发明提供一种防离子溅射密封结构,涉及等离子体技术应用领域,包括:金属盖板、真空腔体、密封圈、陶瓷环。所述金属盖板内开设有3个凹槽,分别用于放置并限位所述密封圈、陶瓷环和真空腔体。所述密封圈用于将金属盖板和真空腔体进行密封连接,所述陶瓷环放...
  • 本申请公开了一种工艺腔室及控制方法,工艺腔室包括:上电极组件;下电极组件,设置于上电极组件的下方;多个磁场检测元件,沿下电极组件的边缘间隔设置,磁场检测元件用于检测磁场强度;磁场控制部,设置于上电极组件上方,磁场控制部包括主区线圈组件和边缘...
  • 本发明提供一种CCP刻蚀设备上部电极的表面预处理方法,包括:提供刻蚀设备,其刻蚀腔体中安设有上部电极,电极为二氧化硅材质;向刻蚀腔体内传入晶圆;引入氩气,对上部电极表面进行轰击处理;引入第一工艺气体,对上部电极表面进行第一刻蚀处理,第一工艺...
  • 本申请实施例涉及半导体设备技术领域,公开一种真空系统及其控制方法、半导体生产设备。该真空系统包括多组单生产单元真空子系统,每组单生产单元真空子系统包括通过中间管路连通的生产单元装置和真空装置;每组单生产单元真空子系统通过至少一个共用管路与其...
  • 提供了一种喷淋头组件。喷淋头组件包括喷淋头板、气体通道板和喷淋头板与气体通道板之间的连接路径。气体通道板包括喷淋头分配集气室,其联接到喷淋头板的内通孔。气体通道还包括排气集气室,其联接到喷淋头板的外通孔。连接路径将喷淋头分配集气室连接到排气...
  • 本发明提供了等离子体启辉辅助装置、半导体工艺设备及其控制方法;其中,等离子体启辉辅助装置包括低频辅助点火组件和高频辅助点火组件,低频辅助点火组件与晶圆承载装置连接,高频辅助点火组件与介质窗连接;在工艺启辉之前,首先开启低频辅助点火组件,以使...
  • 本发明提供一种离子注入深度监控系统和方法,属于半导体领域,该系统包括:激光发射单元,用于向当前进行离子注入工艺的晶圆表面发射激光,以在所述晶圆表面产生电子空穴对;微波探测单元,用于向所述晶圆的探测区域发射连续微波,并实时获取所述微波的反射率...
  • 一种法拉第收集器、离子注入装置,法拉第收集器包括基体、偏心件和驱动机构;基体用于接收带电粒子束;偏心件用于接收带电粒子束;偏心件设置于基体上,且偏心件的几何中心与基体的几何中心之间具有预设间隔;驱动机构与偏心件传动连接,用于驱动偏心件绕基体...
  • 本发明公开了一种采用单一工艺气体及快速调节腔室压力的原子层刻蚀。该工艺包括经设计的步骤时间,用于优化表面改性和溅射过程,从而使不期望的影响最小化。定制的波形发生器能够实现对基板偏置的快速且精确的控制,从而缩短ALE循环时间。此外,通过为MF...
  • 本申请涉及一种适用于大尺寸晶圆的离子束刻蚀装置及真空刻蚀机;包括:真空腔体,设于真空腔体上的离子源,样品载台,设于真空腔体内的气体喷射装置;其中,离子源用于输出离子束,样品载台用于承载大尺寸晶圆;气体喷射装置对应于样品载台的承载区域进行分区...
  • 本申请涉及电子显微镜技术领域,特别是涉及一种电镜系统动态补偿校准方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括:获取特征图样的初始像素位置;分别改变补偿信号的数字模拟转换编码值,对应获取各该变量下特征图样的目标像素位置;计算...
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