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最新专利技术
  • 一种碳化硅单晶的制备装置及制备方法
    一种碳化硅单晶的制备装置及制备方法_北京天科合达半导体股份有限公司_202512056198.6
    本申请提供一种碳化硅单晶的制备装置及制备方法，该制备装置包括坩埚和位于坩埚上方的籽晶托；坩埚包括由下至上分布的原料区、升华区和生长区，原料区用于放置碳化硅原料；籽晶托位于生长区的上方，籽晶托用于粘接籽晶，籽晶位于籽晶托和生长区之间；在籽晶托...
    2026-05-09
  • 一种BaMnO2掺杂铌酸钾钠基单晶及其制备方法
    一种BaMnO2掺杂铌酸钾钠基单晶及其制备方法_桂林电子科技大学_202610033001.9
    本发明属于无铅压电晶体材料技术领域，具体涉及一种BaMnO2掺杂铌酸钾钠基单晶，其化学通式为：(1‑x)[(1‑y)(K0.5Na0.5Nb)O3‑yBiFeO3]‑xBaMnO2。本发明还公开了BaMnO2掺杂铌酸钾钠基单晶的制备方法，具...
    2026-05-09
  • 系列环丙二酸硼酸酯钠盐非线性光学晶体及制备方法和用途
    系列环丙二酸硼酸酯钠盐非线性光学晶体及制备方法和用途_中国科学院新疆理化技术研究所_202511997134.X
    本发明涉及系列环丙二酸硼酸酯钠盐非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体的分子式分别为NaC3H2O4BFCH3，NaC3H2O4BFCF3，分子量分别为169.88, 223.86，属于单斜晶系，空间群Cc，晶胞参数NaC3H2O4BFCH...
    2026-05-09
  • 一种铵法制备单晶磷酸铁的方法
    一种铵法制备单晶磷酸铁的方法_贵州川恒化工股份有限公司_202610234658.1
    本发明属于化工工艺领域，尤其涉及一种铵法制备单晶磷酸铁的方法，包括以下步骤：a)将磷酸一铵溶液加入到硫酸亚铁溶液中，然后用硫酸调节体系pH值至1.75~2，得到混合料浆；步骤a)中，所述磷酸一铵溶液中的P与硫酸亚铁溶液中的Fe的摩尔比为(1...
    2026-05-09
  • 一种M-O-B-C二维材料及其制备方法
    一种M-O-B-C二维材料及其制备方法_松山湖材料实验室_202411343964.6
    本发明涉及二维材料技术领域，尤其涉及一种M‑O‑B‑C二维材料及其制备方法。所述M‑O‑B‑C二维材料的组成元素包括M、O、B和C，所述M‑O‑B‑C二维材料的晶体结构由包括M‑O层和B‑C层交替堆垛构成，所述交替堆垛的周期数为1‑10，所...
    2026-05-09
  • 一种直拉单晶硅的制备方法
    一种直拉单晶硅的制备方法_四川高景太阳能科技有限公司_202610072494.7
    本发明属于直拉单晶硅技术领域，公开了一种直拉单晶硅的制备方法。该制备方法如下：在36寸热场中填装多晶硅料，升温使多晶硅料完全熔化，得到熔硅；将晶种浸入熔硅中开始引晶；引晶结束后，开始放肩，使得晶体的直径逐步增大；当晶体直径放大至目标直径的9...
    2026-05-09
  • 一种单片机、电机检测方法、装置及系统
    一种单片机、电机检测方法、装置及系统_西安芯晖设备技术有限公司_202512012548.9
    本公开提供了一种单片机、电机检测方法、装置及系统，属于单晶炉的电机控制技术领域，该单片机，包括：闭环控制反馈接口，用于接收安装于单晶炉提拉电机的输出轴的外置旋转编码器的外部反馈数据；真值标定接口，用于接收连接于单晶炉晶体提拉机构负载端的位移...
    2026-05-09
  • 用于提高晶体头部氧浓度均一性的单晶硅制造方法
    用于提高晶体头部氧浓度均一性的单晶硅制造方法_上海超硅半导体股份有限公司_202511950105.8
    本发明涉及一种用于提高晶体头部氧浓度均一性的单晶硅制造方法。所述用于提高晶体头部氧浓度均一性的单晶硅制造方法包括如下步骤：于炉体内一容纳有硅熔体的石英坩埚中生长单晶硅晶棒；于放肩阶段增大传输至所述炉体内的氩气的流量至第一流量；在所述单晶硅晶...
    2026-05-09
  • MPCVD单晶金刚石及其批量生长方法
    MPCVD单晶金刚石及其批量生长方法_国机金刚石(河南)有限公司_202511957016.6
    本发明提供了一种MPCVD单晶金刚石及其批量生长方法，旨在解决多籽晶同时生长时温度不均、边缘多晶无序生长导致晶体质量下降和生长一致性差的问题。所述批量生长方法首先利用激光对籽晶边缘进行整形切割，使其侧面形成连续变化的非固定晶面取向的曲面，抑...
    2026-05-09
  • 一种基于MPCVD的嵌套式多晶金刚石复合膜制备方法
    一种基于MPCVD的嵌套式多晶金刚石复合膜制备方法_超硬材料产业技术研究院_202610124177.5
    本发明属于化学气相沉积金刚石膜制造技术领域，具体涉及一种基于MPCVD的嵌套式多晶金刚石复合膜制备方法。本发明所述方法包括分步梯度生长、嵌套式集成工艺等步骤。本发明通过微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)分步生长微米级高硬度层与纳米级功能...
    2026-05-09
  • 一种晶圆级TMDs薄膜及其制备方法
    一种晶圆级TMDs薄膜及其制备方法_华中科技大学_202610102068.3
    本发明属于二维材料制备领域，并具体公开了一种晶圆级TMDs薄膜及其制备方法。该方法包括：将过渡金属氯盐旋涂于暴露面为(0001)晶面的蓝宝石衬底上，烘干得到带有过渡金属前驱体的蓝宝石衬底；置于管式炉中，以硒源或硫源为蒸发源，通过化学气相沉积...
    2026-05-09
  • 一种在碳化硅衬底上外延单层石墨烯的方法
    一种在碳化硅衬底上外延单层石墨烯的方法_山东大学_202512012859.5
    本发明涉及一种在碳化硅衬底上外延单层石墨烯的方法，属于石墨烯制备的技术领域。所述方法包括低温高真空预热、真空下聚合物分解、石墨烯生长和降温四个步骤；其中，包括两片C面涂覆聚合物的碳源片以及一片待生长片；碳源片和待生长片的衬底均采用碳化硅，放...
    2026-05-09
  • 一种γ-Ga2O3外延单晶薄膜制备及微纳加工方法
    一种γ-Ga2O3外延单晶薄膜制备及微纳加工方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511717399.X
    本发明涉及薄膜制备及加工技术领域，尤其涉及一种γ‑Ga2O3外延单晶薄膜制备及微纳加工方法。包括：采用分子束外延技术，在经高温预处理的蓝宝石衬底上，通过精确控制通入的镓源、掺杂源(镁或锌)、衬底温度及氧等离子体参数，制备具有尖晶石结构的γ‑...
    2026-05-09
  • 摆动快门装置及分子束外延设备
    摆动快门装置及分子束外延设备_迪希埃(浙江)半导体技术有限公司_202610006412.9
    本发明提供一种摆动快门装置及分子束外延设备，涉及分子束外延技术领域，摆动快门装置包括：支撑座，设于源炉的喷射口下方；挡板，设于源炉的喷射口前侧，挡板的下端连接有摆臂，摆臂配置成能够相对支撑座旋转；连杆第一端与摆臂铰接；升降组件牵拉连杆以带动...
    2026-05-09
  • 一种晶圆掺杂浓度的控制装置
    一种晶圆掺杂浓度的控制装置_南京晶升装备股份有限公司_202511823502.9
    本发明公开了一种晶圆掺杂浓度的控制装置，包括石英导槽、设置于石英导槽入口端的网孔板和调节装置，石英导槽包括一侧倾斜向外的喇叭型入口，喇叭型入口包括用于主进气的主体部和用于掺杂进气的倾斜部，调节装置包括遮挡板和驱动装置，遮挡板用于遮挡石英导槽...
    2026-05-09
  • 晶圆装载装置以及装载晶圆的方法
    晶圆装载装置以及装载晶圆的方法_上海超硅半导体股份有限公司_202512028144.9
    本发明涉及半导体设备领域，尤其涉及一种晶圆装载装置以及装载晶圆的方法。本发明提供了一种晶圆装载装置，包括：晶圆形貌获取单元，用于获得晶圆背面三个支撑点的相对高度数据；支撑单元，包括相互连接的3根支撑杆，用于支撑晶圆；调节单元，驱动相互连接的...
    2026-05-09
  • 加热装置及外延生长设备
    加热装置及外延生长设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511968224.6
    本申请提供一种加热装置及外延生长设备。包括基台、第一光源组件和第一遮光筒，基台设有用于承载待加热件的第一表面；第一光源组件包括第一灯头与第一光源阵列，第一灯头设于第一表面侧，并具有第一轴线，第一光源阵列安装于第一灯头，且包括多个用于发射第一...
    2026-05-09
  • 一种碳化硅外延反应腔
    一种碳化硅外延反应腔_南京晶升装备股份有限公司_202511816775.0
    本发明提供一种碳化硅外延反应腔，涉及半导体制造设备技术领域。碳化硅外延反应腔包括反应腔室组件、进气主轴组件、加热组件及载盘旋转驱动组件。其中进气主轴组件通过旋转设计与多层匀气结构，实现反应气体在腔室内圆周径向均匀分布；加热组件采用固定式发热...
    2026-05-09
  • 应用于半导体设备的定位组件及半导体设备
    应用于半导体设备的定位组件及半导体设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411329680.1
    本申请公开了一种定位组件及半导体设备，涉及半导体领域。一种定位组件，包括：第一夹持件、第二夹持件、连接件和弹性件；所述第一夹持件和所述第二夹持件沿第一方向相对设置，并通过所述连接件连接，所述第一夹持件、所述第二夹持件和连接件所限定的空间用于...
    2026-05-09
  • 一种用于抑制低阻红磷掺杂硅衬底外延滑移线的方法
    一种用于抑制低阻红磷掺杂硅衬底外延滑移线的方法_山东有研艾斯半导体材料有限公司_202511975365.0
    本发明公开了一种用于抑制低阻红磷掺杂硅衬底外延滑移线的方法。该方法包括如下步骤：(1)在无片状态下，对外延腔体进行Etch/Coat预处理，调节腔体内壁沉积层厚度，使腔体热场均匀；(2)将硅衬底加载至腔体内，在氢气气氛中升温并引入氯化氢对衬...
    2026-05-09
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