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  • 一种前驱体盒及半导体设备。前驱体盒包括前驱体容器、第一进气管道、第一箱体和第二箱体。前驱体容器用于存储前驱体。第二箱体设于第一箱体内,第二箱体的内壁面围合形成容纳腔,容纳腔用于收容前驱体容器。第一进气管道与容纳腔连通,并用于向容纳腔内输入惰...
  • 公开了一种设备和方法。该设备具有:反应室;一个或多个气体入口,其连接到所述反应室以将前体提供到所述反应室中;以及蓄积器,其连接到所述一个或多个气体入口中的至少一个。该设备具有三个蒸发器/冷凝器,即第一蒸发器/冷凝器,其可与蓄积器连接,并构造...
  • 本发明涉及一种具有气密封的薄膜沉积装置,包括沉积箱、加热部、转运部、动力箱、动力部、双磁流体密封部和支撑柱:沉积箱内真空腔内腔底设有第一安装孔;转运部内安装体下部向下延伸至第一安装孔内;双磁流体密封部具有放置有磁流体的内腔及外腔;支撑柱向上...
  • 本申请提供一种遮蔽排气环及反应腔结构,属于半导体制造领域的等离子体处理领域,应用于等离子体处理装置的反应腔结构内,遮蔽排气环包括内环周和以所述内环周向外延伸预设宽度的外环周,所述内环周的内径小于所述等离子体处理装置的待处理晶圆的直径且所述内...
  • 本发明的类金刚石碳膜的处理方法,包括:在基底上形成类金刚石碳膜;以及在所述类金刚石碳膜上形成前处理层;其中,形成所述前处理层包括:将所述基底置于反应腔室中,向所述反应腔室通入硅烷及氧气,加热所述反应腔室以形成所述前处理层,其中,所述前处理层...
  • 本申请公开了电介质层及其制备方法。该制备方法包括以下步骤:沉积形成第一预备层,第一气体原料中的组分包括硅源、硼源、磷源以及氧化剂;沉积形成第二预备层,第二气体原料中的组分包括硅源、硼源、磷源以及氧化剂,第一工艺条件中硼源的流量大于第二工艺条...
  • 本发明涉及一种基于钼/钽金属电极的低阻碳化硅涂层的制备方法,包括以下步骤:S1、基体预处理:对Mo/Ta电极进行机械微粗化、超声清洗、烘干,然后,再还原去除氧化膜;S2、Si‑rich成核:以甲基三氯硅烷为Si/C共源、氢气为载气/还原气、...
  • 本申请属于仿生材料领域,公开了一种强粘附超疏水涂层及其制备方法,所述强粘附超疏水涂层包含片状微/纳米结构晶粒,所述强粘附超疏水涂层的组分包含TixCyOz, 其中,X=1‑1.67,y=1.33‑2.33,z=0.33‑0.67。本申请从涂...
  • 公开了用于在衬底表面上沉积材料的方法和设备。该方法可以包括抑制衬底表面上的材料沉积速率的处理步骤。该方法可以产生更高质量的沉积材料。另外或可替代地,该方法可用于填充衬底表面内的间隙,具有减少的缝隙形成或没有缝隙形成。
  • 本发明公开了一种用于卷对卷真空镀膜的高效水汽排除系统,包括腔体,腔体下部为蒸发区域,腔体上部通过挡板分为前置预处理区域和镀膜主腔体区域,蒸发区域与镀膜主腔体区域上下连通;所述前置预处理区域内设有复合加热系统和深冷捕集模块;所述镀膜主腔体区域...
  • 一种应用于连续镀膜系统的进料系统、方法及连续镀膜系统,其中,所述进料系统包括:储料仓,与工艺仓连通,待镀膜的器件在所述工艺仓内进行镀膜,所述储料仓用于向所述工艺仓输送镀膜材料;补料仓,可选择地与所述储料仓连通或隔绝,所述补料仓用于向所述储料...
  • 本发明涉及镀膜机技术领域,尤其涉及一种五金装饰镀膜机仿金铜炉体用挂具结构,包括转动连接在镀膜机炉体内的转架,所述转架的外壁上转动连接有若干个等距圆周分布的挂具杆,所述转架的顶部内壁上固定有若干个套装在挂具杆外壁上的固定套,每个所述固定套的底...
  • 本发明属于薄膜制备技术领域,公开了一种工件装载架和真空镀膜设备。工件装载架设置于真空腔体,工件装载架包括驱动件、行星主盘、二级行星结构、行星齿轮组件和载盘。驱动件安装于真空腔体上;行星主盘与驱动件传动连接,驱动件驱动行星主盘实现一级旋转;二...
  • 本发明涉及晶圆镀膜用具技术领域,尤其是一种适用于多尺寸样品的镀膜仪磁吸支架,包括内置有磁吸机构的支撑体,所述支撑体的外侧对称配置有两个横移部件,两个所述横移部件共同支撑一个倾斜支架,并能通过自身的相对运动来调节所述倾斜支架的倾斜角度;其中,...
  • 本发明公开一种固定模块以及处理装置。固定模块包括第一夹持组件、第二夹持组件、固定组件、转动组件以及弹性组件。第一夹持组件被配置成用于夹持物件。第二夹持组件对应于第一夹持组件,第二夹持组件被配置成用于夹持物件。固定组件对应于第二夹持组件。转动...
  • 本发明提供了一种镀膜基底及其制备方法和应用,所述镀膜基底包括镀膜区域和边缘区域,所述边缘区域围绕所述镀膜区域设置有至少两个相邻的凹槽,所述相邻的凹槽之间设置隔离带,所述隔离带的顶部高于目标膜层与所述镀膜区域连接所在平面高度,所述隔离带的顶部...
  • 一种双旋转靶真空镀膜机,包括镀膜机本体及其内部的真空腔,所述镀膜机本体上设置有抽真空组件,所述真空腔内设置有通过安装板安装在镀膜机本体上的遮蔽箱和设置在遮蔽箱两侧的离子源,遮蔽箱和离子源在真空腔内形成镀膜区和清洗及去应力区,所述遮蔽箱内设置...
  • 本发明属于过渡层制备技术领域,具体来说是一种氮化硅陶瓷金属化用过渡层及其制备方法。本发明氮化硅陶瓷金属化用过渡层由自下而上依次层叠设置的TiN打底层、TiN‑Ti梯度过渡层和Ti层组成,提出一种基于磁控溅射技术、并设计用于氮化硅覆铜金属化的...
  • 本发明公开了一种提高靶材利用率的磁控溅射设备,涉及磁控溅射设备技术领域,包括底撑座和横向对称调节组件;底撑座顶端沿其宽度方向滑动连接有滑座,滑座顶端竖向滑动连接有用于固定不锈钢片的卡座,滑座、卡座及不锈钢片构成可移动整体;横向对称调节组件包...
  • 本发明公开了一种耐磨疏水疏油镀层材料及其制备方法,属于功能保护镀层材料技术领域,所述耐磨疏水疏油镀层材料为Zr1‑xHfxN1‑yOy镀层,其中0≤x≤0.1, 0<y≤0.06。本发明通过调控镀层材料的微结构,能够协同提升镀层材料的硬度和...
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