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最新专利技术
  • 高架输送车
    高架输送车_村田机械株式会社_202480051487.8
    本发明涉及一种高架输送车，能够通过简单的机构、且在不使装置大型化的情况下防止物品从输送中的容器掉落。本发明为一种高架输送车(1)，将在侧方设置有取放物品(22)的开口(24)的容器(18)在开口保持开放的状态下进行输送，其特征在于，具有：主...
    2026-03-21
  • 真空发生装置和装载口
    真空发生装置和装载口_美蓓亚三美株式会社_202380101291.0
    真空发生装置(10)具备装配构件(500)和抽吸装置(100)，该抽吸装置(100)连接于装配构件(500)并具备真空泵(160)。装配构件(500)具备抽吸空间(600)和电磁阀(800)。装配构件(500)将真空泵(160)与连接于抽吸...
    2026-03-21
  • 具有集成式静态混合器的处理工具喷头
    具有集成式静态混合器的处理工具喷头_朗姆研究公司_202480050319.7
    所公开的示例与静态混合器有关，静态混合器集成在用于将处理化学物质输送至喷头的头部的路径的内部。其中一个示例提供一种用于衬底处理工具的喷头。喷头包括包含多个出口孔的头部。喷头还包括杆部，杆部包含中空内部以将处理化学物质输送到头部的多个出口孔。...
    2026-03-21
  • 用于半导体处理腔室的辅助气体注入系统以及相关衬垫和方法
    用于半导体处理腔室的辅助气体注入系统以及相关衬垫和方法_应用材料公司_202480008282.1
    本公开涉及用于减少半导体处理腔室的排气出口中不希望的污染物和沉积物的改良部件及相关方法。在一或多个实施方式中，基板处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体至少部分地限定内部容积。基板支撑件设置于所述内部容积中。所述处理腔室进一步包括位于所述腔室主...
    2026-03-21
  • 基于IR激光剥离工艺的硅载体晶圆重复使用保护方法
    基于IR激光剥离工艺的硅载体晶圆重复使用保护方法_东京毅力科创株式会社_202380101141.X
    披露了半导体器件和对应的制造方法。该方法包括：在第一衬底上形成第一器件结构，在第一器件结构上形成第一激光剥离层，在第一激光剥离层上形成保护层，以及在保护层上形成第二衬底。该方法包括通过在第一激光剥离层上施加辐射来将该保护层从该第一激光剥离层...
    2026-03-21
  • 钼的湿法原子层蚀刻方法
    钼的湿法原子层蚀刻方法_东京毅力科创株式会社_202480043418.2
    提供了用于在湿法ALE工艺中蚀刻钼的系统和方法。本文披露的方法使用各种各样的技术和湿法蚀刻化学物质在湿法ALE工艺的表面改性步骤中氧化钼表面并形成自限制的氧化钼钝化层。例如，这些方法使用：(a)过氧化物氧化剂的紫外线(UV)光解以产生氧化自...
    2026-03-21
  • 使用钝化和定向性等离子体的原子层蚀刻
    使用钝化和定向性等离子体的原子层蚀刻_朗姆研究公司_202480051897.2
    提供了关于衬底上特征的钝化原子层蚀刻的示例。所公开的示例可有助于避免深度负载。一示例提供了用于执行衬底的原子层蚀刻(ALE)的方法。方法包含执行多个原子层蚀刻循环。原子层蚀刻循环包含在改性步骤中使用含卤素化合物形成等离子体以形成衬底的特征内...
    2026-03-21
  • 处理装置和处理方法
    处理装置和处理方法_东京毅力科创株式会社_202480051809.9
    处理装置包括第一部件、第二部件、配置在第一部件与第二部件之间的EAG(Electro‑Adhesive Gel：电粘凝胶)片、和控制部。EAG片包括EAG层、各自具有2个电极的多个电极对、和能够配置多个电极对的基板。控制部能够通过彼此独立地...
    2026-03-21
  • 经表面处理的基材的制造方法、基材表面的选择性修饰方法及半导体处理用组合物
    经表面处理的基材的制造方法、基材表面的选择性修饰方法及半导体处理用组合物_JSR株式会社_202480052208.X
    一种经表面处理的基材的制造方法，包括将组合物涂敷在包含第一区域及材质与第一区域不同的第二区域的基材的表面而选择性修饰基材的表面的工序，组合物含有选自由式(1)所表示的化合物、式(2)所表示的化合物及式(3)所表示的化合物所组成的群组中的至少...
    2026-03-21
  • 外延片的制造方法
    外延片的制造方法_信越半导体株式会社_202480052292.5
    本发明提供一种外延片的制造方法，其为隔着氧原子层使单晶硅层形成于单晶硅晶圆上的外延片的制造方法，该制造方法的特征在于，包括：从单晶硅晶圆的表面去除自然氧化膜的工序；在已去除所述自然氧化膜的单晶硅晶圆的表面形成热氧化膜的工序；将所述热氧化膜薄...
    2026-03-21
  • 有机发光显示装置
    有机发光显示装置_雅世电子科技有限公司_202480052447.5
    有机发光显示装置可以包括：多个阳极电极，其位于多个子像素处；多个有机发光层，其位于多个阳极电极上；多个阴极电极，其位于多个有机发光层上；多个第1堤，其位于和第1方向交叉的第2方向上的多个子像素之间；多个第1电源布线，其沿第1方向位于多个第1...
    2026-03-21
  • 发光装置、显示装置以及发光装置的制造方法
    发光装置、显示装置以及发光装置的制造方法_夏普显示科技株式会社_202380101433.3
    发光装置(101)包括：具有开口(6)的堤层(1)；在俯视时与开口(6)重叠的第一电极(2)；包含在俯视时与开口(6)重叠的第一边缘(7)的第一中间层(3)；位于比第一中间层(3)更靠上层的位置的发光层(4)；以及位于比发光层(4)更靠上层...
    2026-03-21
  • 显示基板、显示装置以及显示基板的制备方法
    显示基板、显示装置以及显示基板的制备方法_京东方科技集团股份有限公司_202480001360.5
    本公开提供了一种显示基板。该显示基板的第一边框区域包括多个焊盘，至少一个焊盘包括：第一绝缘层，位于多条数据线引线背离衬底基板的一侧，第一绝缘层包括暴露至少一条数据线引线的至少一部分的第一开口；第一金属层，位于多条数据线引线和第一绝缘层背离衬...
    2026-03-21
  • 单光子光源
    单光子光源_明亮量子股份有限公司_202480052578.3
    本发明涉及一种单光子光源，其将发光体位于包括金属纳米颗粒和金属层的纳米天线的纳米间隙，并通过调节纳米间隙的珀塞尔增强来生成具有高重复率和高聚光率的单光子。本发明的单光子光源结构简单，易于制备，制备成本较低，并且通过纳米天线的光学天线结构将单...
    2026-03-21
  • 用于太阳能电池板的导线切割装置
    用于太阳能电池板的导线切割装置_韩华思路信株式会社_202480052132.0
    公开一种用于太阳能电池板的导线切割装置。本发明一方面的用于太阳能电池板的导线切割装置用于切割将排列成一列的多个太阳能电池板进行电连接的导线，该装置包括：主体部，布置在所述多个太阳能电池板的上侧；移动部，与所述主体部相连接，使所述主体部在所述...
    2026-03-21
  • 电池片组件用维修系统及方法
    电池片组件用维修系统及方法_韩华思路信株式会社_202480051795.0
    提供一种电池片组件用维修系统。本发明一方面的电池片组件用维修系统可包括：分离装置，排出热气(hot gas)，以熔化设置在构成电池片组件的多个电池片的一表面上，并且能够将连接所述电池片与相邻电池片的导线从所述电池片的一表面拆离(detach...
    2026-03-21
  • 固态成像器件、光检测器件和光检测系统
    固态成像器件、光检测器件和光检测系统_索尼半导体解决方案公司_202480051614.4
    根据本公开的一个实施方式的固态成像元件包括：光吸收层，包括硅并且具有光接收表面，在该光接收表面中设置有凹部；分离区域，设置到光吸收层，位于凹部周围；以及第一介质，具有比硅的折射率低的折射率并且被设置为填充凹部。
    2026-03-21
  • 驱动背板及其制作方法、显示面板、显示装置
    驱动背板及其制作方法、显示面板、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001361.X
    本申请公开了一种驱动背板，属于显示技术领域。驱动背板包括衬底基板，以及沿远离衬底基板的方向上设置的第一有源层、第一栅极、第一层间介质层、第一源漏极、第一钝化层和第二钝化层，第一有源层在衬底基板上的正投影与第一层间介质层在衬底基板上的正投影至...
    2026-03-21
  • 堆叠场效应晶体管
    堆叠场效应晶体管_国际商业机器公司_202480050142.0
    提供了一种包括堆叠场效应晶体管(FET)的半导体器件。利用优化热预算而不会对正面和/或背面接触结构产生负面影响的方法来形成堆叠FET。堆叠FET可以被设计为具有不同的功函数金属，并且可以提供具有低面积电阻的正面/背面深过孔结构。
    2026-03-21
  • 碳化硅半导体器件及其制造方法
    碳化硅半导体器件及其制造方法_微芯片技术股份有限公司_202480051581.3
    一种半导体器件，该半导体器件可以包括碳化硅衬底、设置在碳化硅衬底上的硅层以及设置在硅层上的栅极氧化物层。硅层可以被注入到碳化硅衬底内。硅层可以具有100埃5000埃的厚度。硅层可以包含小于1%的碳，或者可以包含随着距碳化硅衬底的表面的距离增...
    2026-03-21
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