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最新专利技术
  • 半导体封装件
    半导体封装件_沃孚半导体公司_202480048512.7
    提供了半导体封装件。在一个示例中，半导体封装件包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的底座。半导体封装件包括至少一个附着到底座的第二表面的半导体管芯。半导体封装件包括在底座的第二表面上和至少一个半导体管芯上的绝缘部分。绝缘部分形成半导体...
    2026-03-03
  • 松饼形状的射频(RF)开关
    松饼形状的射频(RF)开关_高通股份有限公司_202480047831.6
    本文描述一种射频(RF)开关。该RF开关包括二维(2D)栅极阵列，该2D栅极阵列围绕源极/漏极区域和漏极/源极区域。RF开关还包括背侧源极/漏极接触件，该背侧源极/漏极接触件于2D栅极阵列的背侧处耦合至源极/漏极区域。RF开关进一步包括背侧...
    2026-03-03
  • 评价方法、评价装置以及计算机程序
    评价方法、评价装置以及计算机程序_东京毅力科创株式会社_202480047793.4
    本发明提供评价方法、评价装置以及计算机程序。由计算机执行处理：获取评价对象的材料的表面图像；从获取到的表面图像提取第一特征量；从存储部读出从具有结构均匀性的多个材料的表面图像提取并预先存储于存储部的多个第二特征量；计算第一特征量与多个第二特...
    2026-03-03
  • 用于堆叠晶粒混合结合工艺中的基板清洁的方法和设备
    用于堆叠晶粒混合结合工艺中的基板清洁的方法和设备_应用材料公司_202480048401.6
    刷盒清洁模块是作为集成混合结合平台中的预处置工艺流程的一部分引入的。它解决了在晶粒前侧和背侧表面上实现高清洁度水平的技术问题，特别是通过去除由背磨胶带和划片胶带引起的残留物和颗粒。所述刷盒清洁模块以化学方式和机械方式两者高效地去除难除的残留...
    2026-03-03
  • 半导体工序设备及利用其的半导体处理方法
    半导体工序设备及利用其的半导体处理方法_RNR实验室公司_202480047776.0
    公开半导体工序设备及利用其的半导体处理方法。所公开的半导体工序设备用于处理半导体处理对象，上述半导体工序设备可包括：腔室装置，配置有用于装载包括上述半导体处理对象的基板的承载器，在上端部设置有能够透射激光的激光透射窗口部件，与用于供给周围气...
    2026-03-03
  • 用于半导体制造的调整均匀性的方法和相关设备和系统
    用于半导体制造的调整均匀性的方法和相关设备和系统_应用材料公司_202480048463.7
    本公开内容涉及用于半导体制造的调整基板处理均匀性的方法和相关设备和系统。在一个或多个实施例中，施加至一组一个或多个热源的加热功率通过调整因子来调整。在一个或多个实施例中，一种调整均匀性的方法。该方法包括跨一个或多个区段扫描传感器以获取多个读...
    2026-03-03
  • 用于制备多材料基材的方法
    用于制备多材料基材的方法_法国原子能源和替代能源委员会_202480048414.3
    一种用于制备基材(100)的方法，该基材(100)包括第一材料和/或由第一材料获得的第二材料的表面层，该表面层设置在第三材料的支撑层(104)上，包括：在包括第一材料的第一基材中进行离子注入；将第一基材附接到临时基材上，使得第一基材的第一部...
    2026-03-03
  • 多层深沟槽电容器
    多层深沟槽电容器_路特斯微系统公司_202480034030.6
    本发明涉及一种在基板上的集成电容器，该集成电容器包括：基板内的至少一个沟槽；多层堆叠，该多层堆叠包括沉积在基板上的至少三个导电层且由电隔离层分隔，并且其中该多层堆叠包括第一组奇数层和第二组偶数层，并且其中该多层堆叠沿基板的多个表面布置在基本...
    2026-03-03
  • 磁阻随机存取存储器中的自由层
    磁阻随机存取存储器中的自由层_国际商业机器公司_202480048526.9
    本发明的实施例提供了一种磁阻随机存取存储器(MRAM)。该MRAM包括参考层；氧化镁(MgO)的隧道势垒层；以及自由层，其中自由层包括位于隧道势垒层顶部的第一钴铁硼(CoFeB)层；位于第一CoFeB层顶部的间隔层；位于间隔层顶部的第二Co...
    2026-03-03
  • 热电转换元件及热电转换器件
    热电转换元件及热电转换器件_国立大学法人东京大学_202480048416.2
    热电转换元件1a具备第一片材10、热电转换部30、和第二片材20。第一片材10、热电转换部30及第二片材20在第一片材10的厚度方向上按第一片材10、热电转换部30及第二片材20的顺序被配置。热电转换部30包含磁性体。
    2026-03-03
  • 有机电子器件
    有机电子器件_默克专利有限公司_202480048821.4
    本发明涉及一种有机电子器件，特别是有机发光器件，所述有机电子器件含有有机层，所述有机层又含有作为OLED材料的式(1)的化合物和作为OLED材料的式(2)的化合物，并且本发明涉及含有式(1)和(2)的化合物的混合物或制剂。式(1)的化合物选...
    2026-03-03
  • 有机光电子二极管和显示装置
    有机光电子二极管和显示装置_三星SDI株式会社_202480048767.3
    公开了一种有机光电子二极管，其包括：彼此面对的阳极和阴极、位于阳极和阴极之间的发光层、位于阳极和发光层之间的空穴传输层和位于发光层和空穴传输层之间的空穴传输辅助层，其中发光层包含由化学式1表示的第一化合物和由化学式2或由化学式3和化学式4的...
    2026-03-03
  • 有机光电子元件和显示装置
    有机光电子元件和显示装置_三星SDI株式会社_202480047013.6
    本发明涉及一种有机光电子元件，其包括：彼此面对的阳极和阴极、位于阳极和阴极之间的发光层、位于阳极和发光层之间的空穴传输层以及位于发光层和空穴传输层之间的空穴传输辅助层，其中发光层包含由化学式1表示的第一化合物和由化学式2或由化学式3和化学式...
    2026-03-03
  • 发光装置和电子设备
    发光装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480048802.1
    提供了一种即使不设置玻璃基板作为密封件也能够抑制水分进入的发光装置。该发光装置设置有：多个发光元件；用于密封所述多个发光元件的密封件；以及设置在所述密封件上的第一无机薄膜。所述密封件包括树脂层和第二无机薄膜中的至少一者。所述第一无机薄膜包括...
    2026-03-03
  • 光检测元件
    光检测元件_索尼半导体解决方案公司_202480048429.X
    为了减小光检测元件的尺寸。光检测元件包括：像素，包括：布置在半导体基板上并构造为通过执行入射光的光电转换生成电荷的光电转换部；构造为保持电荷的第一电荷保持部；构造为将电荷传输到第一电荷保持部的电荷传输部；构造为生成与第一电荷保持部中保持的电...
    2026-03-03
  • 摄像元件和电子设备
    摄像元件和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480048085.2
    提供了一种具有更合适构造的光检测装置。本公开的光检测装置包括：第一浮动扩散区域，其对应于第一像素的第一光电二极管；第二浮动扩散区域，其对应于所述第一像素的第二光电二极管；第三浮动扩散区域，其对应于第二像素的第一光电二极管；第四浮动扩散区域，...
    2026-03-03
  • 器件在读出矩阵上的集成
    器件在读出矩阵上的集成_原子能和辅助替代能源委员会_202480028441.4
    本发明涉及一种光电子器件，包括：‑至少一个像素，包括：‑由第一材料制成并设置在第一基底的第一面上的吸收层，该吸收层用于将入射辐射转换为电荷；‑用于收集电荷的下电极；‑以及设置在吸收层上的上电极；‑读出电路，其设置在第二基底上并包括专用于像素...
    2026-03-03
  • 阵列基板、显示面板和显示装置
    阵列基板、显示面板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000390.4
    本公开实施例提供一种阵列基板、显示面板和显示装置。所述阵列基板包括：衬底；多个端子，位于所述衬底一侧的所述绑定区；第一公共走线，位于所述衬底的一侧，所述第一公共走线环绕所述显示区设置，至少包括：位于所述绑定对侧区、且沿第一方向延伸的第一子部...
    2026-03-03
  • 全环绕栅极半导体结构及其制备方法
    全环绕栅极半导体结构及其制备方法_索泰克公司_202480048230.7
    本发明涉及一种半导体结构(SC)，该SC包括支撑体(1a)以及直接设置在支撑体(1a)上的介电层(1b)。至少一个pFET结构直接位于介电层(1b)上，每个pFET结构包括由压缩应变硅锗制成的沟道纳米片的第一堆叠体以及对第一堆叠体的每个沟道...
    2026-03-03
  • 具有第一掺杂剂扩散区和第二掺杂剂扩散区的半导体器件
    具有第一掺杂剂扩散区和第二掺杂剂扩散区的半导体器件_华为数字能源技术有限公司_202380100622.9
    本发明涉及一种半导体器件(100)，所述半导体器件(100)包括：芯片层(101)；延伸到所述芯片层(101)中的沟槽(111)，其中，所述沟槽(111)包括沟槽底部(111a)和沟槽侧壁(111b)；布置在所述沟槽底部(111a)下方的第...
    2026-03-03
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