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最新专利技术
  • 流片光刻对准方法
    流片光刻对准方法_中国科学院微电子研究所_202511768163.9
    本发明公开流片光刻对准方法，涉及流片光刻技术领域，以解决现有技术中流片光刻生成效率低的问题。对准方法包括：获取流片光刻的工艺参数；基于工艺参数，对流片当前工艺膜层的上一工艺膜层中的对准标记实体图形进行识别，得到识别结果；若识别结果表征识别失...
    2026-03-24
  • 一种光刻显微镜
    一种光刻显微镜_四川国科光电技术厂_202610098153.7
    本申请涉及一种光刻显微镜，属于光刻机技术领域，包括外壳、目镜、反射镜和物镜，外壳内设置有出风管，出风管与外部供气装置连通，出风管上开设有多个出风口，出风管垂直于用于设置在光刻机的侧壁，出风管转动设置在外壳内，出风管以出风管的轴线方向转动，出...
    2026-03-24
  • 光刻机物镜相差检测温控装置
    光刻机物镜相差检测温控装置_北京芯东来半导体科技有限公司_202610085512.5
    本发明提供了一种光刻机物镜相差检测温控装置，应用于感光芯片，包括工件台和冷却通道，工件台上设有安装槽，感光芯片固定于安装槽的槽壁；冷却通道设于安装槽内且位于感光芯片背离光线的一侧。冷却通道的至少部分呈螺旋状，冷却通道的进口连通于工件台的驱动...
    2026-03-24
  • 基于DMD动态掩模的光波导母版免拼接制备方法
    基于DMD动态掩模的光波导母版免拼接制备方法_深圳市瀚思通汽车电子有限公司_202610078900.0
    本发明涉及光波导制备技术领域，公开了基于DMD动态掩模的光波导母版免拼接制备方法，获取光波导母版的布局数据作为初始设计信息，生成掩模图形序列，包含多个分区掩模图案；建立微镜单元开关状态与分区掩模图案的像素映射关系；驱动透明基底在平台执行分区...
    2026-03-24
  • 一种微纳米复合光刻方法及其系统
    一种微纳米复合光刻方法及其系统_南京大学_202610024252.0
    本发明公开了一种微纳米复合光刻方法及其系统。其方法包括如下步骤：在导电衬底上旋转涂覆紫外光刻胶；利用导电纳米探针曝光技术在光刻胶上进行纳米图案的曝光；利用光学显微系统对曝光的纳米图案区域准确定位，再利用紫外光刻技术进行微米图案的曝光并与已经...
    2026-03-24
  • 一种应用于晶圆上制作灰阶图形的制作方法
    一种应用于晶圆上制作灰阶图形的制作方法_魅杰半导体设备(无锡)有限公司_202610014739.0
    本发明涉及一种应用于晶圆上制作灰阶图形的制作方法，该方法在晶圆上绘制图形时通过设计不同宽度或尺寸的黑白相间的线条或方框作为基本图形单元，并按照等间距的方式进行排布，使得在光学显微镜放大观察时，能够呈现出预期的不同灰度。本发明提供了一种应用于...
    2026-03-24
  • 一种激光曝光系统及方法
    一种激光曝光系统及方法_江苏友迪激光科技有限公司_202512005663.3
    本发明公开了一种激光曝光系统及方法，所述系统包括：控制模块、与所述控制模块信号连接的激光发射模块；所述控制模块内存储有多个曝光配方，每个曝光配方关联一个特定的料号标识，并包含至少两组激光控制参数；所述激光发射模块包含至少一个多属性激光光源，...
    2026-03-24
  • 用于转换量测数据的方法
    用于转换量测数据的方法_ASML荷兰有限公司_202511991111.8
    本文描述了一种量测系统和用于经由经训练的机器学习(ML)模型转换量测数据的方法。所述方法包括：访问由第一扫描电子量测(SEM)系统获取的第一SEM数据集(例如图像、轮廓灯)和由第二SEM系统获取的第二SEM数据集，其中所述第一SEM数据集和...
    2026-03-24
  • 一种套刻标记定位方法及套刻测量设备
    一种套刻标记定位方法及套刻测量设备_深圳中科飞测科技股份有限公司_202511591802.9
    本申请公开了一种套刻标记定位方法及套刻测量设备，通过第二定位算法，根据套刻标记的初步中心位置，从检测图像中套刻标记对应的图像区域中获取一对或多对目标子区域。根据每对目标子区域的图像特征进行相关性的计算得到相关性的结果，根据所述相关性的结果计...
    2026-03-24
  • 一种半互穿网络结构紫外固化纳米压印光刻胶及其制备方法
    一种半互穿网络结构紫外固化纳米压印光刻胶及其制备方法_中国科学技术大学_202610083433.0
    本发明公开了一种半互穿网络结构紫外固化纳米压印光刻胶及其制备方法，属于紫外纳米压印光刻胶领域。本发明通过向纳米压印光刻胶组分间引入氢键相互作用，得到了在纳米级别无相分离的半互穿网络结构，成功的将半互穿网络结构应用于纳米压印光刻胶领域。本发明...
    2026-03-24
  • 一种线路油墨的光敏组合物及其制备方法
    一种线路油墨的光敏组合物及其制备方法_广东炎墨方案科技股份有限公司_202610024622.0
    本发明提供了一种线路油墨的光敏组合物及其制备方法。本发明在采用小粒径填料以保障图像分辨率和图形侧边清晰度的基础上，引入了高玻璃化转变温度的碱溶性树脂：该类树脂因玻璃化转变温度较高，在预烘并恢复至室温后，膜面可形成稳定的玻璃态，既具备足够的机...
    2026-03-24
  • 一种KrF光刻胶组合物和光刻图案形成方法
    一种KrF光刻胶组合物和光刻图案形成方法_福建泓光半导体材料有限公司_202512041702.5
    本发明属于光刻技术领域，具体涉及一种KrF光刻胶组合物和光刻图案形成方法。所述KrF光刻胶组合物包括：含酸敏基团的聚对羟基苯乙烯类树脂、光致产酸剂、猝灭剂和有机溶剂；所述光致产酸剂在标准PEB条件下的酸扩散长度为20nm以内；所述猝灭剂为L...
    2026-03-24
  • 一种半导体器件及制造方法
    一种半导体器件及制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610092816.4
    本申请提供一种半导体器件及制造方法，涉及半导体技术领域。针对晶圆局部处理对掩模层的调整需求，本申请可以在光刻胶表面形成对应的表面碳层。基于表面碳层，在光刻胶的曝光工艺中，表面碳层阻挡曝光光束进入下方的光刻胶，以使光刻胶层中位于曝光范围内且未...
    2026-03-24
  • 一种半导体器件及制造方法
    一种半导体器件及制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610092810.7
    本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域。为解决传统光刻工艺因完全依赖掩模版而存在的图案灵活性差、调整成本高的问题，通过在光刻胶后烘前，向需保留光刻胶的区域选择性地涂覆光酸猝灭剂，利用光酸猝灭剂对光酸的消除作用，致使该区域...
    2026-03-24
  • 用于纳米压印制备二氧化钛超透镜的母板的制造方法、母板及制备二氧化钛超透镜的方法
    用于纳米压印制备二氧化钛超透镜的母板的制造方法、母板及制备二氧化钛超透镜的方法_武汉理工大学_202511741672.2
    本发明提供一种用于纳米压印制备二氧化钛超透镜的母板的制造方法、母板及制备二氧化钛超透镜的方法，属于微纳光学制造技术领域。本发明在超透镜基底的表面制备出二氧化钛层，再在二氧化钛层表面制备出增粘层，再刻蚀出用于规定N个周期性基元位置的N个周期性...
    2026-03-24
  • 一种光罩空白及其保护镀层
    一种光罩空白及其保护镀层_绍兴芯链半导体科技有限公司_202511986005.0
    本发明公开了一种光罩空白及其保护镀层，所述光罩空白包括：透明基板，设置于光罩空白最下方；遮光性膜，设置于所述透明基板上，包括：第一抗反射层，设置于所述透明基板上；遮光层，设置于所述第一抗反射层上；第二抗反射层，设置于所述遮光层上；保护膜，设...
    2026-03-24
  • 一种掩膜组、量测标记结构、形成方法及尺寸量测方法
    一种掩膜组、量测标记结构、形成方法及尺寸量测方法_粤芯半导体技术股份有限公司_202610103461.4
    本申请公开了一种掩膜组、量测标记结构、形成方法及尺寸量测方法，涉及光刻工艺技术领域。掩膜组包括第一掩膜和第二掩膜，第一掩膜和第二掩膜分别用于深沟槽刻蚀工艺和中沟槽刻蚀工艺，第一掩膜和第二掩膜均设置有量测标记组，第一掩膜和第二掩膜的量测标记组...
    2026-03-24
  • 用于光罩量测的辅助定位框架结构及光罩量测系统
    用于光罩量测的辅助定位框架结构及光罩量测系统_合光光掩模科技(安徽)有限公司_202511943060.1
    本发明涉及一种用于光罩量测的辅助定位框架结构及光罩量测系统，结构包括：框架本体，呈矩形构造，且所述框架本体的外形尺寸与待量测光罩的轮廓尺寸相同；四个套合标记，分别设置在所述框架本体的四角并用于与所述待量测光罩的四角处的对准标记进行套合；以及...
    2026-03-24
  • 降低掩模版热效应的掩模版及方法
    降低掩模版热效应的掩模版及方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511432269.1
    本发明提供了一种降低掩模版热效应的掩模版及方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过在掩模版上形成高发射率的辐射冷却层，根据辐射制冷技术原理，形成所述辐射冷却层之后能有效地将所述掩模版表面的热量辐射到环境中，减小所述掩模版的热膨胀和热应力...
    2026-03-24
  • 基于分片密度配置误差反馈系数的光学邻近校正方法
    基于分片密度配置误差反馈系数的光学邻近校正方法_重庆芯联微电子有限公司_202511810537.9
    本发明提供基于分片密度配置误差反馈系数的光学邻近校正方法，包括以下步骤：S1.将待修正的芯片版图划分为多个独立的分片单元；S2.计算每个分片单元的图案密度，根据图案密度对分片单元进行分级，得到至少两个密度等级；S3.为不同密度等级的分片单元...
    2026-03-24
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