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最新专利技术
  • 单晶硅电阻率的调控方法、系统和程序产品
    单晶硅电阻率的调控方法、系统和程序产品_双良硅材料(包头)有限公司_202511898957.7
    本发明公开了一种单晶硅电阻率的调控方法、系统和程序产品。方法中，获得当前段单晶硅棒头部的电阻率实测值、尾部的电阻率实测值、以及各电阻率实测值对应测量时刻对应测量点位的温度值；根据单个电阻率实测值及其对应的温度值确定对应的电阻率补偿值，将所述...
    2026-03-20
  • 一种单晶硅棒及其收尾方法
    一种单晶硅棒及其收尾方法_上海新昇半导体科技有限公司_202511658720.1
    本申请提供一种单晶硅棒及其收尾方法，包括：等径结构；收尾结构，所述收尾结构连接于所述等径结构远离其生长起始端的一端，所述收尾结构的径向尺寸沿单晶硅棒的生长方向呈先减小、后增大、再减小的变化趋势；其中，在所述增大的阶段中，所述收尾结构的径向尺...
    2026-03-20
  • 金刚石超晶格结构的制备方法及金刚石超晶格结构
    金刚石超晶格结构的制备方法及金刚石超晶格结构_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511761381.X
    本发明提供一种金刚石超晶格结构的制备方法及金刚石超晶格结构，涉及半导体材料制备技术领域。该方法包括：在第一反应条件下，在单晶金刚石衬底上生成本征金刚石层；其中，所述第一反应条件为向所述单晶金刚石衬底所处的反应腔室内通入氢气和第一浓度的碳源气...
    2026-03-20
  • 一种制备大尺寸多晶硒化锌的装置及生长方法
    一种制备大尺寸多晶硒化锌的装置及生长方法_安徽光智科技有限公司_202511942739.9
    本发明公开了红外材料技术领域的一种制备大尺寸多晶硒化锌的装置及生长方法，包括化学气相沉积炉组件、石墨塔组件和收尘组件，本发明通过优化沉积工艺参数，并结合多坩埚连续供料机制，成功制备出直径和厚度均达标的高品质硒化锌晶体，满足下游高端器件对材料...
    2026-03-20
  • 一种多晶硅的制备方法
    一种多晶硅的制备方法_广州增芯科技有限公司_202511680348.4
    本发明提供了一种多晶硅的制备方法，沿第一方向，若干个晶圆卡槽内放置的多片晶圆依次包括若干片第一挡控晶圆、若干片第一监控晶圆、若干片第一产品晶圆、若干片第二监控晶圆、若干片第二产品晶圆、若干片第三监控晶圆以及若干片第二挡控晶圆，且第一产品晶圆...
    2026-03-20
  • 一种基于硼磷氮共掺技术外延生长的高导电性N型金刚石及其制备方法
    一种基于硼磷氮共掺技术外延生长的高导电性N型金刚石及其制备方法_浙江大学_202511348551.1
    本发明公开了一种基于硼磷氮共掺技术外延生长的高导电性N型金刚石及其制备方法，涉及一种新型N型金刚石的生长方法。本发明通过使用氨气、硼烷和磷烷作为掺杂气体源，采用微波等离子体化学气相沉积MPCVD方法在金刚石衬底上制备金刚石，利用硼磷氮共掺技...
    2026-03-20
  • 一种多元氧化物薄膜及其制备方法和应用
    一种多元氧化物薄膜及其制备方法和应用_合肥致真精密设备有限公司_202610030527.1
    本发明属于半导体材料制备技术领域，涉及一种多元氧化物薄膜及其制备方法和应用。针对现有技术中多元氧化物薄膜难以大面积均匀制备的技术问题。本申请提供了一种多元氧化物薄膜的制备方法，采用分子束外延共蒸发制备，包括以下步骤：将衬底放置在分子束外延共...
    2026-03-20
  • 一种低压硅外延生长方法及半导体结构
    一种低压硅外延生长方法及半导体结构_上海新微技术研发中心有限公司_202511678385.1
    本发明公开一种低压硅外延生长方法及半导体结构，包括以下步骤：S1：在硅基底上生长一层保护层；S2：刻蚀保护层直至硅基底的表面形成生长窗口；S3：对硅基底进行外延工艺处理，在生长窗口内生长单晶硅，在保护层表面生长多晶硅；外延生长工艺的压力为5...
    2026-03-20
  • 一种柔性单晶纳米结构阵列薄膜及其制备方法和应用
    一种柔性单晶纳米结构阵列薄膜及其制备方法和应用_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202511358292.0
    本发明涉及一种柔性单晶纳米结构阵列薄膜及其制备方法和应用，属于单晶纳米材料技术领域，本发明柔性单晶纳米结构阵列薄膜包括从下到上依次设置的氟晶云母单晶衬底、单晶种子层和单晶纳米结构阵列，且单晶种子层、单晶纳米结构阵列与氟晶云母单晶衬底具有外延...
    2026-03-20
  • 一种半导体衬底的外延生长装置及外延生长方法
    一种半导体衬底的外延生长装置及外延生长方法_山东大学_202511655436.9
    本发明公开了一种半导体衬底的外延生长装置及外延生长方法，属于微电子和半导体制造技术领域。本发明提供的外延生长装置包括由上至下一体设置的第一反应腔、隔板和第二反应腔；隔板上设置竖直贯通的圆孔；还包括传输轴，以及由连接杆、第一圆盘、第二圆盘和托...
    2026-03-20
  • 半导体外延生长组件、外延生长装置以及外延生长工艺
    半导体外延生长组件、外延生长装置以及外延生长工艺_北京天科合达半导体股份有限公司_202512014272.8
    一种半导体外延生长组件、外延生长装置以及外延生长工艺，其中半导体外延生长组件包括：晶片托；下半月结构，具有组装面，组装面内嵌有晶片托；组装面朝向外延生长的工艺气体，组装面与外延生长的工艺气体的气流方向呈预设角度以使晶片托所承托的晶片倾斜。将...
    2026-03-20
  • 一种激光诱导定位外延系统
    一种激光诱导定位外延系统_中国科学院半导体研究所_202511513421.9
    本发明公开了一种激光诱导定位外延系统，包括壳体、承载架、掩膜和激光发生器，所述壳体具有周转腔和反应腔；所述激光发生器通过所述透视窗口向所述掩膜发射激光并使激光穿过所述掩膜照射在所述衬底上。本发明通过掩膜和激光的精确控制，可以实现只在衬底的特...
    2026-03-20
  • InGaAs/InP异质材料外延生长方法
    InGaAs/InP异质材料外延生长方法_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202511655808.8
    本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种InGaAs/InP异质材料外延生长方法，该方法包括：打开磷烷源和三甲基铟源，以在预设衬底上生长第一InP外延层；关闭三甲基铟源，并开始计时，若计时时长达到第一预设时长，则关闭磷烷源；打开砷烷源、三甲基...
    2026-03-20
  • 一种高压气相合成的单晶氧化钴/碳复合材料及其制备方法与应用
    一种高压气相合成的单晶氧化钴/碳复合材料及其制备方法与应用_河南省科学院物理研究所_202511702385.0
    本发明属于电化学储能材料与新能源材料制备领域，公开了一种高压气相合成的单晶氧化钴/碳复合材料及其制备方法与应用。步骤为：(1)将钴盐溶解于有机溶剂中，得到前驱体溶液；(2)向前驱体溶液中加入干冰并密封，在惰性气体氛围下进行高压气相反应，得到...
    2026-03-20
  • 一种利用分子束外延生长技术制备高质量一维镍锑纳米条带的方法与应用
    一种利用分子束外延生长技术制备高质量一维镍锑纳米条带的方法与应用_大连理工大学_202610036829.X
    本发明公开了一种利用分子束外延生长技术制备高质量一维镍锑纳米条带的方法与应用，属于半导体材料技术领域。利用镍源和锑源作为蒸发源，结合超高真空环境和精准的温度控制，通过分子束外延生长技术在经过预处理的衬底上成功制备出高质量的一维镍锑纳米条带。...
    2026-03-20
  • 一种用于宽光谱探测器的带隙可调的二维材料及其制备方法
    一种用于宽光谱探测器的带隙可调的二维材料及其制备方法_河南省科学院半导体研究所_202511501583.0
    一种用于宽光谱探测器的带隙可调的二维材料及其制备方法，属于光电材料技术领域。该材料为三元过渡金属硫族化合物合金，通式为AxxB1‑x1‑xC22，通过化学气相传输法，利用相同晶体相的半导体与半金属材料合金化制备而得，解决了现有TMDs材料带...
    2026-03-20
  • 晶体生长收尾滑移线的改善方法及计算机程序产品
    晶体生长收尾滑移线的改善方法及计算机程序产品_上海超硅半导体股份有限公司_202511786860.7
    本发明涉及半导体技术领域，提供了一种晶体生长收尾滑移线的改善方法及计算机程序产品。所述方法包括如下步骤：提供等径生长完成后的晶体；设定收尾工艺参数，包括：设定收尾温度为随着收尾长度的逐渐增加收尾温度以阶梯式上升，设定收尾拉速为随着收尾长度的...
    2026-03-20
  • 用于提高轻掺硼晶体BMD的拉晶方法及单晶硅棒
    用于提高轻掺硼晶体BMD的拉晶方法及单晶硅棒_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511731361.8
    本发明提供的用于提高轻掺硼晶体BMD的拉晶方法及单晶硅棒，属于单晶硅拉晶技术领域，在预定热场进行晶棒拉制，以改变热场内的温度梯度，增加BMD成核温度的区间长度，并在拉晶过程中，调整晶转、埚转、拉速以提高晶棒内间隙氧及空位的浓度及分布均匀性，...
    2026-03-20
  • 提高单晶硅中BMD缺陷密度的拉晶方法及单晶硅棒
    提高单晶硅中BMD缺陷密度的拉晶方法及单晶硅棒_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511717689.4
    本发明提供的提高单晶硅中BMD缺陷密度的拉晶方法及单晶硅棒，属于单晶硅拉晶技术领域，具体而言：通过协同调控氩气流量、炉压、坩埚转速、晶棒转速及拉速，将晶体内氧含量稳定在较高的区间，为BMD缺陷的生成提供充足的氧源，在此基础上，在等径过程中通...
    2026-03-20
  • 一种便于清理单晶硅炉炉底的自动清灰设备
    一种便于清理单晶硅炉炉底的自动清灰设备_连城凯克斯科技有限公司_202511482924.4
    本发明属于单晶炉技术领域，具体的说是一种便于清理单晶硅炉炉底的自动清灰设备，包括连通在排废管底部的收缩管，及活动在排废管与收缩管内的清灰模块；所述清灰模块与收缩管同轴，所述排废管的顶部设置有抵接支架；所述清灰模块包括转轴、套管、承载部以及扩...
    2026-03-20
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