Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
最新专利技术
  • 本申请涉及金属表面处理技术领域,尤其涉及一种高抗盐雾腐蚀工件表面磷化处理方法。该方法,包括以下工序:超声除油→水洗→水洗→水洗→活化→浸渍磷化→水洗→水洗→超声波热水洗→烘干,其中,所述浸渍磷化是指将活化后的工件放入磷化液中进行磷化处理;所...
  • 本申请公开了一种应用于铁路货车轴承外圈悬挂磷化的装置,涉及悬挂装置领域,其包括支撑组件,其设置有两组,所述外圈本体能够倾斜放置在两组支撑组件上;连接件,其用于连接两组支撑组件;所述外圈本体的倾斜角度为5°‑35°;所述支撑组件包括板体;挂钩...
  • 本发明涉及一种汽车用热镀锌钢涂装薄膜处理工艺,包括S1、精细化预处理:将热镀锌钢板进行脱脂与水洗;S2、配制硅烷处理液;S3、成膜处理:将经步骤S1处理后的热镀锌钢板浸渍于步骤S2配制的硅烷处理液中浸渍,随后取出沥液;S4、可控梯度干燥与固...
  • 本发明公开了镀锌管高湿环境耐蚀化合物成膜装置及方法,属于镀锌管高湿环境耐蚀化合物成膜技术领域,包括加工支架和安装在加工支架上的钝化槽,钝化槽上方固定安装有防护罩,防护罩中安装有喷淋管,防护罩外部固定有与喷淋管贯通的出料管;钝化槽底部居中固定...
  • 本发明公开了不额外加KCN的化学还原金工作液,工作液不包含氰化钾(KCN);并按照以下质量或者容量百分比配比获得,包括:氰化亚金钾;纯水;络合剂,包括:为8%的无水醋酸钠,6%的乙二胺四乙酸钠,3%的硫酸钠,2%的甘氨酸,0.08%的甲醛,...
  • 本发明涉及印刷电路板技术领域,且公开了一种优化铜晶格以提高镀层结合力的工艺方法,包括以下步骤:除胶渣处理:对钻孔后的印制电路板进行除胶渣处理,使孔壁表面形成粗化结构;活化处理:在粗化后的孔壁表面吸附钯催化颗粒,形成均匀分布的催化中心;化学铜...
  • 本发明涉及化学镀覆技术领域,具体为一种高抗磨梳棉机金属针布的多元多层复合化学镀覆方法,包括以下步骤:基底预处理:梳棉机金属针布基底为65Mn钢或20CrMnTi钢,对该基底依次进行除油、除锈、活化处理,获得表面洁净的预处理基底;所述底层为镍...
  • 本发明公开一种超低孔隙率银包铜粉的制备方法,属于金属粉末表面改性技术领域。本发明将铜粉加入含NaOH、SDS、Tween 80和柠檬酸钠的混合溶液中超声处理;过滤后固体浸入H22SO44溶液超声,过滤后固体二次分散于NaOH溶液超声得到活化...
  • 本发明提供了一种薄膜沉积设备、半导体器件的加工方法及存储介质。所述薄膜沉积设备包括:缓冲腔,包括隔板、第一加热机构及冷却机构,其中,所述隔板横向安装于所述缓冲腔的内部,以将所述缓冲腔分隔为第一隔层及第二隔层,所述第一加热机构安装于所述第一隔...
  • 一种沉积方法,包括:进行多种子沉积循环,每种子沉积循环包括:通入前驱体;进行第一扫气处理;通入共反应物;进行第二扫气处理;其中,每种子沉积循环中,通入的前驱体的浓度不同。本公开有利于提高沉积膜层的均匀性。
  • 本申请涉及薄膜制备技术领域,具体公开了一种硬度梯度薄膜的制备方法及硬度梯度薄膜和柔性导电结构。本方法通过动态调控软成分气体和硬成分气体的流量配比,实现了薄膜硬度从软质区间至硬质区间的连续梯度过渡,具有过渡平滑、制备效率高等优势。硬度梯度薄膜...
  • 本申请涉及光伏和半导体技术领域,具体涉及一种镀膜装置,解决了镀膜装置对基片整体加热,导致基片出现严重的热损伤的问题。该镀膜装置包括炉体、第一料盒和加热组件。炉体具有第一容纳腔,第一容纳腔具有第一开口,第一料盒具有第二容纳腔,第二容纳腔具有第...
  • 本发明涉及半导体设备技术领域,更具体地说,涉及一种加热盘及半导体设备。为了实现上述目的,本发明提供了一种加热盘,包括盘体和盘柄;所述盘体上设置有多圈同心吸附沟槽和多个径向吸附沟槽,所述多圈同心吸附沟槽通过所述径向吸附沟槽连通;所述盘柄内部设...
  • 本发明涉及半导体设备技术领域,更具体地说,涉及一种真空吸附加热盘及半导体设备。为了实现上述目的,本发明提供的真空吸附加热盘,包括盘体和盘柄:所述盘体上设置有多圈同心吸附沟槽和多个径向吸附沟槽;所述同心吸附沟槽或径向吸附沟槽上设置有多个垂直抽...
  • 本发明公开了一种MPCVD金刚石生长用的多散热基台结构的制造工艺,包括以下步骤,S1、制造主散热治具:在主散热治具的底部设置有散热通道,所述散热通道为环向分布的阶梯状结构,所述阶梯结构是由基台中心向边缘按照梯度逐级分布形成;所述主散热治具的...
  • 本发明公开了一种半导体生长设备,包括:衬底载体,底面中部设有槽结构;旋转装置;内部转轴;活动套设于所述内部转轴外的外部转轴,所述外部转轴顶部与所述槽结构相适配,所述旋转装置连接所述外部转轴以带动所述衬底载体转动,所述内部转轴延伸并设于所述旋...
  • 本发明涉及一种设有旋转装置的半导体生长设备,包括:衬底载体,底面中部设有槽结构;转轴;旋转驱动装置,设于所述转轴以驱动所述转轴转动;所述转轴顶部包括转轴凸起段和围设于所述转轴凸起段底部的转轴延长段;所述转轴凸起段与所述槽结构相适配以在所述旋...
  • 本发明公开了一种电阻式加热MOCVD设备中的双涂层载盘及其制备方法,所述双涂层载盘包括石墨基体、石墨基体加热面上的碳化硅涂层、石墨基体承载衬底面上的碳化钽涂层;以及设置在碳化硅涂层与碳化钽涂层界面处的梯度过渡层。该方法包括:石墨基体预处理;...
  • 本发明提供一种改善低压化学气相沉积工艺中薄膜厚度均匀性的方法。该方法通过采用陪片非满配的晶舟进行薄膜沉积,其中,晶舟顶部和/或底部的空置槽位改变了局部反应气体浓度及温度分布,使得邻近晶圆边缘区域的沉积速率增加,从而有效补偿中心与边缘的膜厚差...
  • 本申请涉及一种用于气相沉积炉的工件支撑点切换装置,涉及气相沉积技术领域;该用于气相沉积炉的工件支撑点切换装置包括底座,所述底座用于设置于气相沉积炉内,所述底座上还设置有支撑机构,所述支撑机构包括支撑架、切换架与升降组件,所述支撑架与切换架上...
技术分类