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  • 本发明提供一种磷酸铁电池黑粉的处理方法,包括以下步骤:S1、包括磷酸铁渣与复合金属氧化物催化剂的第一混合物料在含氧气氛、580℃‑650℃下进行焙烧处理,得到的焙烧料进行酸浸处理、除杂处理得到含磷酸根液体和铁渣;S2、在50℃‑70℃下,包...
  • 本发明公开了一种高铝低品位磷矿的高值化综合利用方法。以高铝低品位磷矿为原料,在溶铝抑制剂的作用下与过量的磷酸混合酸解,反应结束后过滤得到酸解液和酸浸渣;向酸解液中加入硫酸,继续反应后过滤即可得到高品质湿法磷酸和磷石膏;向酸浸渣中加入氢氧化钠...
  • 本发明公开了一种连续流制备高纯度、高热稳定性亚磷酸铝的方法,采用连续流制备工艺,将亚磷酸水溶液和氢氧化铝浆料,通过计量泵泵入超声管式反应器中,在40~80℃下反应10~60秒,生成三水合亚磷酸铝的反应液;经过滤、纯水洗涤,于150℃下干燥后...
  • 本发明公开了一种双热场加热矿石生产五氧化二磷的方法,属于化工技术领域,包括:原料配制与烘干;矿粉磨制与成球;气热场直接加热;气热场燃料燃烧;电热场加热;炉气除尘;第一级炉气相变换热;第一级炉气气固分离;第一级炉气间接冷却,得到固相P22O5...
  • 本发明提供一种利用次磷酸钠副产尾气生产电子级磷化氢的方法:包括次磷酸钠尾气净化、工业磷化氢预处理、无水磷化氢深度提纯、磷化氢催化分解、高纯红磷制备等工序,其特征在于:首先将生产次磷酸钠的副产尾气采用二硫化碳等有机溶剂喷淋洗涤,随后利用精度为...
  • 本发明公开了一种六方氮化硼及其制备方法,属于六方氮化硼技术领域,包括将氮源与硼源烘干混合、压制得到致密化坯体、制备致密前驱体、制备得到氮化硼烧结块、破碎过筛、酸洗烘干得到六方氮化硼。本发明制得的六方氮化硼结晶质量优异,具备显著的各向异性导热...
  • 本发明公开了一种NiSe赝电容电极材料、其制备方法和超级电容器。所述NiSe赝电容电极材料的制备方法包括如下步骤:将硒粉溶解于水合肼溶液中并反应,得到联氨硒溶液;搅拌条件下,将所述联氨硒溶液加入到镍盐水溶液中得到混合物,将所述混合物于90~...
  • 本发明公开了一种基于碳还原法的高纯硫化锂制备方法,属于材料制备技术领域。包括如下步骤:S1、将无水硫酸锂与还原剂混合,加入无水乙醇作为溶剂,S2、将湿法研磨后的物料干燥,去除无水乙醇溶剂及水分,转移至管式炉或气氛烧结炉中,得到干燥后的物料;...
  • 本发明公开了一种基于机械力化学原理制备高纯硫化锂的方法及系统,属于无机化学与电池材料领域。所述方法通过向氢化锂、硫源和锂源化合物施加机械力,“触发并维持其自蔓延放热反应”来生成硫化锂;系统则包括反应腔体、机械力发生机构、控制模块和集成的气体...
  • 本发明公开了一种钾离子电池正极预钾化剂及其制备方法和应用,属于钾离子电池技术领域,步骤S1:在惰性气体环境下,将多环芳香族化合物、金属钾和钾基溶质盐溶解于有机溶剂中,置于反应容器内,使用磁力搅拌装置对混合体系进行持续搅拌,搅拌完成后获得均匀...
  • 本发明提供了一种用于X射线探测及防护的Bi基材料及其制备方法和应用,属于X射线探测与防护技术领域。本发明所述Bi基材料为BiO(IO33)、BiVO44或Bi22WO66;将I22O55溶液和BiH1010N33O1414悬浮液混合后进行反...
  • 本发明涉及二氧化氯制备技术领域,具体的是一种节约能源的综合法二氧化氯制备系统,本发明包括氯化钠电解单元、盐酸合成单元、二氧化氯生成单元、二氧化氯吸收单元、氢气供给单元和能量转化单元;所述氢气供给单元与所述能量转化单元通过管道连接,用于将所述...
  • 本发明公开了一种氟硅酸络合提取制备氟化氢的工艺和装置。该工艺包括:将氟硅酸溶液与有机含氮类络合剂及助剂混合络合反应,所得悬浊液固液分离得到固体氟硅酸有机络合物,固体氟硅酸有机络合物真空干燥或喷雾干燥后加热分解得到氟化氢。该装置包括:反应器,...
  • 本发明属于微纳结构领域,涉及一种纳米针尖支撑的双层金纳米孔结构及其制备方法和应用。该制备方法通过电子束热蒸发系统、聚苯乙烯微球自组装技术和反应离子刻蚀(RIE)得到了纳米针尖支撑的双层金纳米孔结构,不仅制备过程简单、成本低、可重复性好,而且...
  • 本发明公开了一种基于HIM预成孔与STEM闭环控制的亚纳米二维异质结纳米孔制备方法,属于微纳制造与MEMS技术领域,本发明先利用HIM在二维异质结薄膜上形成1‑3 nm初孔,再在STEM中通过HAADF像强阈值监测与PID自适应控制实现孔径...
  • 本申请公开了一种晶圆级真空封装方法及结构、红外探测器、热成像设备,属于半导体封装技术领域,该方法包括:准备封盖晶圆和器件晶圆;将锡膏印刷到封盖晶圆表面的预设环状区域;将封盖晶圆与器件晶圆进行对准;在真空环境下通过梯度温度键合工艺,将封盖晶圆...
  • 本发明公开了一种MEMS传感器芯片的封装方法,涉及芯片封装的技术领域,封装方法包括:S1、在上晶圆蚀刻出导气槽和上空腔,导气槽连通于上空腔,导气槽远离上空腔的一端延伸至MEMS传感器芯片的边界;S2、将上晶圆、中晶圆和下晶圆键合,其中,中晶...
  • 一种滤波器DBR膜层刻蚀工艺方法包括步骤:在DBR膜层沉积前流程的衬底上沉积二氧化硅,形成二氧化硅膜层;在二氧化硅膜层上沉积铝,形成铝膜层;通过光刻和湿法铝腐蚀将保留DBR膜层部分的铝膜层腐蚀干净,以使腐蚀干净的铝膜层的对应部位的二氧化硅膜...
  • 本发明提供一种基于双单向阀的开放式结构MEMS致动冷却芯片,属于微机电系统技术领域。冷却芯片包括振动组件、驱动组件和密封膜。振动组件包括振动层,振动层包括中心振动件和连接件,多个连接件设置于中心振动件的外周侧。驱动组件被配置为驱动振动组件振...
  • 本申请公开一种具有防吸附结构的薄膜机械振子及其制备方法,薄膜机械振子包括:衬底基片;第一金属化层,生长于衬底基片的一面;第一牺牲层,生长于第一金属化层上,且为周期性排列的柱状结构;第二牺牲层,生长于第一牺牲层上,并作为位于第一牺牲层的边缘的...
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