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最新专利技术
  • 集成嵌入式绝缘栅双极晶体管、逆变器系统及电力设备
    集成嵌入式绝缘栅双极晶体管、逆变器系统及电力设备_中国南方电网有限责任公司超高压输电公司电力科研院_202511322193.7
    本发明公开一种集成嵌入式绝缘栅双极晶体管、逆变器系统及电力设备, 绝缘栅双极晶体管包括集电极金属、P+集电极区、N型缓冲区和N型漂移区，集电极金属与P+集电极连接；N型漂移区上方的一侧设有P基区，P基区的上设有第一P+区和N+区；P型屏蔽区...
    2026-02-12
  • LIGBT器件及其制造方法
    LIGBT器件及其制造方法_华润微电子(重庆)有限公司_202411026833.5
    本发明提供了一种LIGBT器件及其制造方法，形成了N型掺杂区、P型基掺杂区和阳极N型掺杂区，所述N型掺杂区、所述P型基掺杂区和所述阳极N型掺杂区形成NPN晶体管，在关断时，NPN晶体管会穿通形成载流子通道，抽取N型漂移层中过量的载流子，提高...
    2026-02-12
  • 一种氧化镓肖特基二极管终端器件及其制备方法
    一种氧化镓肖特基二极管终端器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511583551.X
    本发明公开了一种氧化镓肖特基二极管终端器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：衬底；外延层，位于衬底的上表面；外延层包括单区JTE终端；多个间隔排布的P型微岛JTE终端，位于外延层的上表面；P型微岛JTE终端的侧面与平行于衬底的方向的夹...
    2026-02-12
  • 一种具有结终端扩展和浮空场板复合终端结构的氧化镓功率二极管
    一种具有结终端扩展和浮空场板复合终端结构的氧化镓功率二极管_泉镓科技(福州)有限公司_202511617776.2
    本发明涉及一种具有结终端扩展和浮空场板复合终端结构的氧化镓功率二极管，属于功率半导体技术领域。所述氧化镓功率二极管，包括自下而上依次层叠设置的阴极金属层、高掺杂n型氧化镓衬底、低掺杂n型氧化镓外延层、p型半导体层、介质层、阳极金属及阳极场板...
    2026-02-12
  • 用于双层间电介质的器件，系统和方法
    用于双层间电介质的器件，系统和方法_三星电子株式会社_202511078393.2
    本文公开了方法、装置和系统，其包括：第一电极、平行于第一电极延伸的第二电极、在第一电极和第二电极之间的第一电介质材料、在第一电极和第二电极之间的第二电介质材料、接触第一电极的第三电极，该第三电极在与第一电极和第二电极正交的方向上延伸、接触第...
    2026-02-12
  • 半导体封装结构及其制备方法
    半导体封装结构及其制备方法_长江存储控股股份有限公司_202410997972.6
    本公开提供了一种半导体封装结构及其制备方法，该半导体封装结构包括：沿第一方向堆叠排布的多个第一半导体芯片；第一半导体芯片包括至少一个第一导电结构；第一导电结构包括沿第一方向延伸的第一连接结构、沿第一方向延伸的第二连接结构，以及在第一方向上位...
    2026-02-12
  • 半导体封装结构及其制备方法
    半导体封装结构及其制备方法_长江存储控股股份有限公司_202410994338.7
    本公开提供了一种半导体封装结构及其制备方法，所述半导体封装结构包括：沿第一方向堆叠排布的多个第一半导体芯片；所述第一半导体芯片包括至少一个导电结构；所述导电结构包括沿所述第一方向延伸的第一连接结构、沿所述第一方向延伸的第二连接结构，以及在所...
    2026-02-12
  • 半导体结构及制作方法
    半导体结构及制作方法_长江存储控股股份有限公司_202410986567.4
    本公开实施例公开了一种半导体结构及制作方法，所述半导体结构包括：沿第一方向键合的第一半导体芯片和第二半导体芯片；所述第一半导体芯片包括：第一半导体层；多个第一连接结构，所述多个第一连接结构沿所述第一方向贯穿所述第一半导体层；任意两个所述第一...
    2026-02-12
  • 半导体结构及其制作方法、存储器系统
    半导体结构及其制作方法、存储器系统_长江存储控股股份有限公司_202410986547.7
    本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法、存储器系统，所述半导体结构包括：沿第一方向键合的第一子半导体结构和第二子半导体结构；所述第一子半导体结构包括：半导体层；第一连接结构，沿所述第一方向贯穿所述半导体层；第一介电层，位于所述第一连接...
    2026-02-12
  • 交叉点存储器结构的构造方法
    交叉点存储器结构的构造方法_美光科技公司_202511056608.0
    本申请案涉及交叉点存储器结构的构造方法。提出例如三维交叉点存储器装置的存储器装置及制造此类装置的方法。用于制造此类存储器装置的一些已知方法依赖牺牲材料，其在处理期间至少部分挖出以完成存储器装置。用于移除此类牺牲材料的蚀刻化学品可能存在移除或...
    2026-02-12
  • 电阻式随机存取存储器与其形成方法
    电阻式随机存取存储器与其形成方法_联华电子股份有限公司_202411256637.7
    本发明公开一种电阻式随机存取存储器以及其形成方法，此电阻式随机存取存储器包括：第一电极，嵌入第一介电层中且具有弧形凸顶面；电阻转换层，位于第一电极的弧形凸顶面上；以及第二电极，位于电阻转换层上。
    2026-02-12
  • 柱状三维磁存储单元及写入方法
    柱状三维磁存储单元及写入方法_西安交通大学_202411048001.3
    公开了一种柱状三维磁存储单元及写入方法，磁存储单元中，中心纳米柱为具有自旋轨道耦合效应的材料制成的纳米柱结构；磁存储层包裹所述中心纳米柱外侧，磁自由层围绕且接触所述中心纳米柱，磁自由层的极化方向为沿纳米柱结构轴向延伸，所述磁自由层的磁化翻转...
    2026-02-12
  • 多层面存储器的板极布线架构
    多层面存储器的板极布线架构_美光科技公司_202511055095.1
    本申请案涉及多层面存储器的板极布线架构。一种存储器阵列可包含存储器单元的上层面及下层面，例如铁电随机存取存储器FeRAM存储器单元。存储器单元的所述下层面可定位在所述上层面与衬底之间。与存储器单元的所述下层面相关联的第一板极线可与存储器单元...
    2026-02-12
  • 高集成度纳米栅铁电3D-NAND闪存及其制备方法
    高集成度纳米栅铁电3D-NAND闪存及其制备方法_北京大学_202511672017.6
    本发明涉及一种高集成度纳米栅铁电3D‑NAND闪存及其制备方法，属于存储器件领域，包括一衬底，在衬底上设置有第一绝缘介质层及堆叠结构，在堆叠结构上包括交错层叠的若干第二绝缘介质层和FeFET存储结构；贯穿第一绝缘介质层和堆叠结构的若干通孔，...
    2026-02-12
  • 一种纳米栅铁电3D-NAND闪存及其制备方法
    一种纳米栅铁电3D-NAND闪存及其制备方法_北京大学_202511671105.4
    本发明涉及一种纳米栅铁电3D‑NAND闪存及其制备方法，属于存储器件领域，包括一衬底，在衬底上设置有第一绝缘介质层及堆叠结构，堆叠结构包括交错层叠的若干第二绝缘介质层和FeFET单元；贯穿第一绝缘介质层和堆叠结构的若干通孔，在每个通孔侧壁依...
    2026-02-12
  • 半导体装置和半导体装置的制造方法
    半导体装置和半导体装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510182960.2
    本申请涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：栅极结构，其包括交替层叠的绝缘层和导电层；狭缝结构，其延伸穿过所述栅极结构；沟道层，其延伸穿过所述栅极结构；数据存储层，其包括位于所述导电层中的每一个和所述沟道层之间的第一部分...
    2026-02-12
  • 半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法
    半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510162634.5
    本公开的一个实施方式提供能够实现电气特性的提高的半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。一个实施方式的半导体存储装置具备层叠体和柱状体。所述层叠体包括多个栅电极层和多个绝缘层。在将与所述第1方向交叉的方向设为第2方向，定义通过所述柱状体的...
    2026-02-12
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411054961.0
    一种半导体结构及其形成方法，方法包括：基底；栅极叠层，位于基底上，栅极叠层包括多个自下而上交替堆叠的隔离层与栅极层；沟道环，沟道环为贯穿栅极叠层的环形柱状结构；源极柱与漏极柱，贯穿于沟道环内部，源极柱与漏极柱分别与相对位置处的沟道环相接触，...
    2026-02-12
  • 存储装置
    存储装置_铠侠股份有限公司_202510268806.7
    本发明既抑制接口速度的劣化又缩小芯片尺寸。实施方式的存储装置包含衬底(W1)、第1电路层(100)、第2电路层(200)及布线层(300)。衬底具有第1区域(AA)及第2区域(DA)。第1电路层包含CMOS电路。布线层设置在第2电路层的上方...
    2026-02-12
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411053104.9
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：沿垂直于所述衬底方向堆叠的多个存储单元，字线和位线；所述字线平行于所述衬底方向延伸，所述位线垂直于所述衬底方向延伸，所述存储单元包括：晶体管以及电容；所述晶体管包...
    2026-02-12
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