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最新专利技术
  • 一种确定碳化硅外延炉气浮托盘稳定旋转的方法
    一种确定碳化硅外延炉气浮托盘稳定旋转的方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511424804.9
    本发明公开了一种确定碳化硅外延炉气浮托盘稳定旋转的方法，属于碳化硅外延技术领域，包括：根据外延材料测试结果，选取掺杂浓度和厚度均匀的外延片对应的气浮组合作为标准组合；其进气端外接惰性气体并逐步升压，记录气浮托盘稳定旋转至预设转速时的转速和对...
    2026-05-10
  • 用于抑制辐照诱生缺陷的碳化硅外延片、制备方法及应用
    用于抑制辐照诱生缺陷的碳化硅外延片、制备方法及应用_中国工程物理研究院电子工程研究所_202511315696.1
    本申请公开了用于抑制辐照诱生缺陷的碳化硅外延片、制备方法及应用，属于半导体材料技术领域，碳化硅外延片包括：以n型或p型碳化硅片为衬底，衬底上外延生长有IV族原子掺杂的外延层。制备方法包括：将n型或p型碳化硅片进行清洗；将清洗后的碳化硅片置于...
    2026-05-10
  • SiC单晶、SiC基板和SiC外延晶片
    SiC单晶、SiC基板和SiC外延晶片_株式会社力森诺科_202510987479.0
    本发明为SiC单晶、SiC基板和SiC外延晶片。本发明的目的是提供能够减少基面位错密度的SiC单晶。本实施方式涉及的SiC单晶，分别沿着第1直线、第2直线、第3直线、第4直线、第5直线以及第6直线测定出的晶格面均弯曲成凸形状，在分别沿着第1...
    2026-05-10
  • 一种XAlO3(X= Gd、Tb)单晶光纤及其制备方法与应用
    一种XAlO3(X= Gd、Tb)单晶光纤及其制备方法与应用_山东大学_202511641812.9
    本发明涉及新材料和温度传感技术领域，具体涉及一种XAlO33(X=Gd、Tb)单晶光纤及其制备方法与应用。本发明通过组分调制工艺制备原料棒，使其在轴向形成GdAlO33‑TbAlO33的组分突变，并通过稳定的晶体生长过程得到直径均匀，取向一...
    2026-05-10
  • 一种发光波长可调谐的快衰减氧化镓晶体及其制备方法与应用
    一种发光波长可调谐的快衰减氧化镓晶体及其制备方法与应用_同济大学_202511510320.6
    本发明涉及一种发光波长可调谐的快衰减氧化镓晶体及其制备方法与应用，该晶体为In、Si共掺氧化镓晶体，其化学组成表示为β‑Ga22O33 : xIn, ySi，其中，x=10 at%~30 at%，y=0.05at%~0.5 at%。与现有技...
    2026-05-10
  • 提升12寸重掺砷晶棒产量的拉晶方法
    提升12寸重掺砷晶棒产量的拉晶方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511756220.1
    本发明涉及单晶硅生产技术领域，尤其涉及一种提升12寸重掺砷晶棒产量的拉晶方法，该方法使用12寸单晶炉拉制12寸重掺砷晶棒，且单晶炉内设置有32英寸的石英坩埚；该方法包括以下步骤：投料、熔化、引晶、放肩、等径及收尾；其中，在投料过程中，投入石...
    2026-05-10
  • 一种同步辐射用金刚石单色器制备方法
    一种同步辐射用金刚石单色器制备方法_河北省激光研究所有限公司_202511485096.X
    本发明提供了一种同步辐射用金刚石单色器制备方法，属于同步辐射光学元件制备技术领域，包括以下步骤：选取天然Ⅱa型金刚石或CVD金刚石为晶体坯料；对坯料激光切割，获得含第一、第二晶体的样品，二者晶体取向偏差<1′；对两晶体表面抛光，使表面粗糙度...
    2026-05-10
  • 一种单晶金刚石晶片的低损耗制备方法
    一种单晶金刚石晶片的低损耗制备方法_广东工业大学_202511391412.7
    本发明公开了一种单晶金刚石晶片的低损耗制备方法，包括以下步骤：A、对单晶金刚石晶锭的表面进行激光烧蚀；B、对表面进行激光辅助抛光；C、将超快脉冲激光调制成N个改质光斑，使所有改质光斑同时在对应的深度位置按照预设路径扫描，且同一改质光斑所形成...
    2026-05-10
  • 一种MXene抑制锡晶须生长的方法
    一种MXene抑制锡晶须生长的方法_东南大学_202511514300.6
    本发明公开了一种MXene抑制锡晶须生长的方法，包括以下步骤：(1)制备空位有序的i‑MXene；球磨Ti22SnC粉末；(2)将i‑MXene、Ti22SnC粉末和无铅锡基焊料粉末混合均匀，压制成块、打磨并保温。i‑MXene为Mo1.3...
    2026-05-10
  • 硅衬底上氮化铝的生长方法
    硅衬底上氮化铝的生长方法_苏州中科重仪半导体材料有限公司_202511389073.9
    本申请公开了一种硅衬底上氮化铝的生长方法，该硅衬底上氮化铝的生长方法包括：提供硅衬底；在硅衬底上形成缓冲层；在硅衬底上生长氮化铝；其中，缓冲层位于硅衬底与氮化铝之间，缓冲层为单层碳化硅薄膜。缓冲层的制作方法包括：对硅衬底进行高温氢气退火；在...
    2026-05-10
  • 一种高质量增强型氮化镓外延片的制备方法
    一种高质量增强型氮化镓外延片的制备方法_北京中博芯半导体科技有限公司_202511298050.7
    本申请提供了高质量增强型氮化镓外延片的制备方法，包括如下步骤：步骤1 : 提供氮化镓异质结外延结构；步骤2 : 在氮化镓异质结外延结构上采用脉冲式生长法制备氮化镓2D层，步骤3 : 在氮化镓2D层上制备P型氮化镓帽层；步骤4 : 在P型氮化...
    2026-05-10
  • 外延片生长的旋转石墨基座
    外延片生长的旋转石墨基座_广东天域半导体股份有限公司_202511411574.2
    本申请公开了一种外延片生长的旋转石墨基座，包括底座，底座包括相对设置的第一面和第二面，第二面背向第一面延伸出第一台面，第一台面的背向第二面的一面面向第二面凹陷形成凹槽，凹槽用于生长外延片，第一面的中心开设有背向第二面贯穿的定位槽，定位槽被配...
    2026-05-10
  • 一种溅射外延装置及其应用
    一种溅射外延装置及其应用_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202511577777.9
    本发明公开了一种溅射外延装置，包括：真空腔室；溅射单元；衬底承载单元；以及抽真空系统；所述抽真空系统，包括主真空泵组、副真空泵组和真空管路；所述主真空泵组通过阀门与所述真空腔室相连；所述副真空泵组通过所述真空管路与所述真空腔室相连，所述真空...
    2026-05-10
  • 碳化硅晶体的生长系统以及籽晶固定和晶体生长的方法
    碳化硅晶体的生长系统以及籽晶固定和晶体生长的方法_江苏集芯先进材料有限公司_202511655908.0
    本申请公开了碳化硅晶体的生长系统以及籽晶固定和晶体生长的方法。该生长系统包括热场装置，热场装置包括：籽晶固定件、导流筒、外环件、坩埚和石墨纸，导流筒和外环件设置在籽晶固定件的下侧；坩埚设置在导流筒的下方，石墨纸设置在坩埚和导流筒之间，且石墨...
    2026-05-10
  • 一种氮化物籽晶的培育方法
    一种氮化物籽晶的培育方法_山东协和学院_202511549766.X
    本发明属于氮化物晶体生长技术领域，具体涉及一种氮化物籽晶的培育方法，将AlN烧结体粉末置于坩埚的底端，然后于AlN烧结体粉末的上方设置导流罩，在导流罩上方依次设置底钨环，底钨环上方设置中钨环，将底部粘接AlN籽晶的籽晶托架设在中钨环上，再于...
    2026-05-10
  • 一种在二氧化钛表面低温制备四方相钛酸钡外延层的方法
    一种在二氧化钛表面低温制备四方相钛酸钡外延层的方法_浙江工业大学_202511527356.5
    本发明公开了一种在二氧化钛表面低温制备四方相钛酸钡外延层的方法，制备过程为：对钛基体进行预处理后得到表面生长有二氧化钛层的钛基体，将钡盐、碱溶于水中，得到反应前驱液，将上述钛基体放入反应前驱液中，水热反应后在钛基体表面的二氧化钛层上，通过晶...
    2026-05-10
  • 一种泡生法制备高强度蓝宝石晶体的生长方法
    一种泡生法制备高强度蓝宝石晶体的生长方法_宁夏鑫晶盛电子材料有限公司_202511940885.8
    本发明公开一种泡生法制备高强度蓝宝石晶体的生长方法，属于人工晶体生长技术领域。本发明通过优化泡生法生长工艺以显著提升蓝宝石单晶机械强度与抗损伤性能。特别涉及通过调控生长过程中的热场分布、界面应力状态及缺陷演化行为，获得具有高抗弯强度、高断裂...
    2026-05-10
  • 抑制氧化镓单晶生长中坩埚氧化和原料分解的装置及方法
    抑制氧化镓单晶生长中坩埚氧化和原料分解的装置及方法_武汉大学_202511523966.8
    本发明公开抑制氧化镓单晶生长中坩埚氧化和原料分解的装置及方法，装置包括炉体、铱金坩埚、保温层、感应线圈和提拉机构等，在所述铱金坩埚与所述保温层之间设有温度动态调控系统，所述温度动态调控系统用于实时监测所述铱金坩埚以及所述内腔的温度分布，并通...
    2026-05-10
  • 一种液相法碳化硅晶体生长装置及生长方法
    一种液相法碳化硅晶体生长装置及生长方法_北京天科合达半导体股份有限公司_202511956657.X
    本发明公开了一种液相法碳化硅晶体生长装置，包括内部有保温腔的保温组件、固定于保温腔内的坩埚、与坩埚适配的测温仪和加热组件；坩埚内有生长腔，保温组件顶部贯穿有籽晶杆，籽晶杆与坩埚同轴且籽晶杆的轴线沿竖直方向延伸，籽晶杆底端联动设置有承载碳化硅...
    2026-05-10
  • 基于自适应调控的单晶炉拉晶收尾参数控制方法及系统
    基于自适应调控的单晶炉拉晶收尾参数控制方法及系统_合肥众波功能材料有限公司_202511852912.6
    本发明提供一种基于自适应调控的单晶炉拉晶收尾参数控制方法及系统，包括通过分布式传感器网络和加工设备接口，采集收尾起始点的生产数据和参数数据并进行处理后，得到晶体当前的状态数据；对晶体当期的状态数据执行相似度比对获得收尾阶段的初始工艺参数，基...
    2026-05-10
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