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  • 本发明涉及脉冲功率技术半导体换路开关技术领域,公开了一种纳秒高压脉冲开关模块的堆叠式封装结构及方法,结构包括芯片单元模块、绝缘柱和正、负电极板;所述芯片单元模块包括紧密层叠的芯片和热沉片,热沉片采用高导热、导电材料;所述芯片单元模块首尾连接...
  • 提供一种半导体模块,该半导体模块具备板状的基底和框状的壳体,其中,该框状的壳体由树脂组合物构成,且具有与基底的外周部粘接的粘接部,在俯视时,壳体的外形具有彼此相向的一对第一边和彼此相向的一对第二边,在壳体的与一对第二边对应的位置处设置有用于...
  • 本申请实施例公开了一种埋入式封装结构、电源模组及电子设备。该埋入式封装结构包括依次叠合设置的第一埋嵌框架、第二埋嵌框架和第三埋嵌框架,以及埋嵌于该埋入式封装结构中的输入电容、电感和输出电容;其中,输出电容位于第一埋嵌框架中,电感位于第二埋嵌...
  • 本申请提供一种芯片封装结构及其封装方法,芯片封装结构包括载体和封装主体,封装主体包括主体元件和金属连接层,金属连接层设置有多个纳米孔结构,沿芯片封装结构的高度方向,金属连接层位于主体元件靠近载体的一侧,金属连接层与载体固定连接,与焊接固定相...
  • 本申请公开了一种晶圆的切边方法,包括:在第一晶圆上形成高应力氧化物层,高应力氧化物层覆盖形成于第一晶圆上的半导体器件区域,半导体器件区域中形成有半导体器件及其金属互连结构;在高应力氧化物层上形成PEOX层;在PEOX层上形成TEOS层;对T...
  • 本发明公开了一种表面阻焊粗糙封装基板的生产方法,它属于半导体集成电路封装基板领域,其通过载膜进行真空压制和热压整平,以增加阻焊油墨面粗糙度,增大封装时塑封料与基板表面阻焊接触面积,提升附着力,减小分层、开裂的风险。它主要包括包括如下步骤:预...
  • 本发明实施例公开了一种芯片封装基板中的焊球排布结构、方法、芯片及电子设备。该芯片封装基板中的焊球排布结构中:芯片封装基板中包括接地焊球、正差分信号焊球、以及负差分信号焊球;接地焊球,用于传输接地信号;正差分信号焊球与负差分信号焊球构成差分对...
  • 本发明属于芯片封装技术领域,特别的,属于一种提高晶圆凸块侧壁可靠性的方法。步骤:在晶圆上通过凸块工艺电镀凸块,凸块包括金层、镍层、铜层,铜层侧壁与镍层侧壁之间存在距离,该距离为裸露的间隔区域;在晶圆和凸块表面都涂布光刻胶,形成胶层一,胶层一...
  • 本发明公开了光电器件的封装方法及结构。封装方法包括:提供多个第一通孔基板和多个光芯片;提供对位板;对位贴装多个第一通孔基板和对位板,对位贴装多个光芯片和对位板;提供包括多个第二通孔基板的第二基板单元并键合连接第二基板单元和多个第一通孔基板;...
  • 本发明涉及半导体芯片加工技术领域,提出了一种芯片凸点制作方法包括:所述芯片凸点制作方法包括:将芯片及治具放置在真空焊炉的加热板上;氧化层厚度检测装置检测芯片的氧化层厚度;根据氧化层厚度设置甲酸浓度、清洗时间和清洗温度;根据所述甲酸浓度、所述...
  • 本发明公开了一种适用于基板翘曲的自适应植球治具,涉及基板植球技术领域,包括校正装置,用于对真空吸盘吸附的基板的位置进行校正;助焊剂蘸点装置,用于将助焊剂点涂到基板的pad上,包括设置在三轴移动装置上的PIN固定板,PIN固定板中部固定连接有...
  • 本发明公开了一种焊线机的偏焊预防与自动纠准方法及系统,属于半导体封装设备的技术领域;本方法通过实时图像识别再搜索与结果比对机制,计算实时位置与对应的初始扫描位置之间的位移偏差,根据结果执行位置迭代更新,智能纠偏,在提升UPH的同时实现了全自...
  • 本发明公开了一种异尺寸晶圆键合装置及其使用方法,涉及晶圆键合技术领域,包括:顶部夹持装置、箱体、导轨模块、上料单元、XYZθ四向对准运动单元、承片底座模块以及底部镜头单元,所述顶部夹持装置用于吸附上晶圆基板;所述上料单元安装于导轨模块上;所...
  • 本发明公开了一种UBM跨越式晶圆级封装结构,包括芯片、介质层、再分布层、凸块下金属化层、焊料凸块;通过RDL和UBM跨越结构,将焊垫信号引至芯片任何位置,实现了更高的I/O密度和更灵活的设计布局,嵌入式腔体为MEMS、传感器等敏感元件提供了...
  • 本发明公开一种半导体结构,包括多个第一晶圆与基底穿孔。多个第一晶圆包括多个连接导线。每个连接导线位于对应的第一晶圆中。基底穿孔穿过多个第一晶圆与多个连接导线的多个端部。多个端部嵌入基底穿孔。
  • 本发明属于大功率电子元器件基材技术领域,公开了一种大功率场景用嵌入式高导热陶瓷封装基板及其制备方法,陶瓷封装基板中陶瓷芯板上方和下方均设置ABF复合层;陶瓷基板内固定高导热基材;陶瓷基板上设置互联孔,陶瓷基板上表面、下表面以及互联孔内均设置...
  • 本申请公开了一种基于SIP工艺的新型Ka上变频模块,属于微波系统技术领域;其中,第二基板与第一基板通过焊球垂直堆叠互联,构成三维集成结构;射频源单元用于提供本振信号;射频单元包括本振链路、中频链路以及射频链路;本振链路、中频链路、射频链路间...
  • 本公开提供一种电子装置及其制造方法。该电子装置包括一温度敏感结构、一第一多层结构及一第二多层结构。该温度敏感结构具有一第一表面及与该第一表面相对之一第二表面。该第一多层结构安置于该温度敏感结构之该第一表面下方且经组态以响应于一第一温度变化而...
  • 一种半导体封装件包括:基底,包括多个过孔;以及芯片堆叠件,在基底上。芯片堆叠件包括多个半导体芯片,其中,第一半导体芯片是芯片堆叠件中的所述多个半导体芯片中的最下面的半导体芯片,第一半导体芯片的芯片垫和基底的基底垫彼此接合,并且芯片垫和基底垫...
  • 本发明涉及芯片封装技术领域,公开了一种能够双面焊接的LGA封装结构及其制作工艺,本封装结构包括基板、裸芯片和塑封层,基板的中部设有装焊区,装焊区的四侧分别与其对应的基板的边缘之间形成侧部焊接区,侧部焊接区的外侧设有多个沿基板的外周间隔布置的...
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