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一种多级热泵减压精馏联产重氧水和重水的方法、系统与应用
本发明属于分离、精馏技术领域,公开了一种多级热泵减压精馏联产重氧水和重水的系统,所述系统包括一级热泵减压精馏塔T1、二级热泵减压精馏塔T2、三级热泵减压精馏塔T3、四级热泵减压精馏塔T4、常规减压精馏塔T5、产品塔T6,压缩机和换热器,压缩...
一种多级热泵减压精馏生产重氧水的方法、系统与应用
本发明属于分离、精馏技术领域,公开了一种多级热泵减压精馏生产重氧水的系统,系统包括一级热泵减压精馏塔T1、二级热泵减压精馏塔T2、三级热泵减压精馏塔T3、常规减压精馏塔T4、重氧水产品塔T5,混合器M、一级热泵减压精馏塔T1、二级热泵减压精...
一种碱性电解水制氢的氢气纯化方法及系统
本发明提供了一种碱性电解水制氢的氢气纯化方法及系统,属于氢气纯化技术领域。该方法是将碱性电解水制氢产生的粗氢气,经一级脱硫装置和二级脱硫装置除去含硫物质,获得高纯度氢气,所述一级脱硫吸附剂装置的吸附塔中含有催化剂,通过化学吸附去除H22S,...
一种利用膜分法回收硅烷和乙硅烷混合气中氢气的方法
本申请涉及气体分离与提纯技术领域,具体涉及一种利用膜分法回收硅烷和乙硅烷混合气中氢气的方法。包括如下步骤:步骤S1.将含有20%~25%硅烷、10%~15%乙硅烷、60~70%氢气的混合气进行预处理去除固体颗粒和水分;步骤S2.经过预处理的...
一种含烃原料气非催化、催化耦合制合成气工艺
本发明公开一种含烃原料气非催化、催化耦合制合成气工艺,包括以下步骤:(S1)将预热后的原料气分流为第一原料气和第二原料气;(S2)将所述第一原料气、水蒸汽与预热后的氧气通入非催化反应器,进行非催化转化反应生成第一合成气;(S3)将所述第二原...
太阳能辅助甲醇燃烧供热制氢方法及系统
本发明涉及可再生能源制氢技术领域,尤其涉及一种太阳能辅助甲醇燃烧供热制氢方法及系统,该系统包括太阳能集热单元、熔盐储热与换热单元、耦合制氢反应单元、氢气提纯单元及配套部件。通过太阳能集热加热熔盐并储热,利用高温熔盐对甲醇水蒸气进行多级换热预...
一种甲醇水蒸气可调套管式催化燃烧转化制氢一体化系统与装置
本发明公开了一种甲醇水蒸气可调套管式催化燃烧转化制氢系统与装置,是由一体化转化制氢模块与一体化变压吸附提氢模块,以及模块之间由相应的管道、阀门、压缩机、输送泵、缓冲罐、冷却水、热交换器、蒸汽罐、辅助管道、脚架、平台与各种阀门、设备接口拼接组...
一种基于水岩反应原理的固体钢渣制氢方法及制氢设备
本发明提出一种基于水岩反应原理的固体钢渣制氢方法及制氢设备,涉及氢能技术领域,包括钢渣原料筛选与预处理:选取熔炉钢渣作为反应原料,采用磁选方式筛选出富含Fe2+2+的组分;将经筛选的钢渣破碎,然后置入反应炉中;反应过程控制与氢气生成:使氩气...
一种光引发暗处制氢的方法
本发明涉及一种光引发暗处制氢的方法,属于光化学反应制氢技术领域。将光催化剂、含碳生物质衍生物、碱和水加入透明反应器中;使用光催化剂对应吸收波段的光源照射反应器,在室温空气环境下进行光照激发,激发时间为数分钟到数小时,而后将反应体系置于黑暗条...
一种纳米纤维状Nb2O5催化Mg/MgH2-Ni-Ti富镁体系低温放氢复合材料及其制备方法
一种纳米纤维状Nb22O55催化Mg/MgH22‑Ni‑Ti富镁体系低温放氢复合材料及其制备方法,包括以下步骤;步骤1:将聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈以及草酸铌酸铵水合物依次加入到N, N二甲基甲酰胺溶液中进行搅拌,然后将溶液转移至静电纺丝推...
一种基于TiFe合金掺杂改性的高密度固态储氢材料及其制备方法
本发明公开了一种基于TiFe合金掺杂改性的高密度固态储氢材料及其制备方法,具体涉及固态储氢材料与氢能应用领域,所述材料具有B2有序金属间化合物结构;所述材料的晶体结构包括相互占位独立的第一子晶格、第二子晶格以及间隙位集合;其中:所述第一子晶...
一种铈掺杂Cu-BTC低温储氢材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种铈掺杂Cu‑BTC低温储氢材料,以三水合硝酸铜、六水合硝酸铈和均苯三甲酸为原料,通过一步溶剂热法制得,所得铈掺杂Cu‑BTC低温储氢材料Cu‑BTC/Ce经活化处理后,微观形貌可保持为Cu‑BTC的八面体结构,颗粒直径为20...
一种MEMS结构的制备方法
本发明公开了一种MEMS结构的制备方法,包括准备衬底,在衬底正面生长压电层,采用临时键合工艺将基底键合在压电层远离衬底的表面,用减薄工艺减小衬底厚度,准备基板并贯穿其形成背腔,将基板连接在衬底远离压电层的表面,背腔为振膜提供振动空间,最后用...
MEMS器件及其制备方法
本申请公开了一种MEMS器件及其制备方法。其中,该MEMS器件的制备方法包括:提供衬底,衬底具有相对的第一表面和第二表面;沿第一图像自第一表面进行蚀刻以形成至少一个第一凹槽;以及沿第二图像自第二表面进行蚀刻以形成至少一个第二凹槽,第二凹槽与...
一种具有微凸峰-纳米线阵列结构的柔性自愈电极及其制备方法和应用
本发明涉及柔性电子器件技术领域,特别是涉及一种具有微凸峰‑纳米线阵列结构的柔性自愈电极及其制备方法和应用。该方法包括下列步骤:提供具有微结构的柔性基底;依次进行酸蚀处理、热处理、氧等离子体处理和聚合物溶液处理;在经上述处理的柔性基底表面形成...
陶瓷封装窗口片焊料环设置工艺
一种陶瓷封装窗口片焊料环设置工艺包括步骤:S1,提供半导体衬底,半导体衬底是指在半导体封装工艺中完成金属化图形化工艺之前流程的晶圆;S2,采用真空蒸镀机在晶圆沉积金属化膜层;S3,采用真空蒸镀机在金属化膜层上沉积铟银焊环膜层;S4,退火。在...
惯性传感器及其制造方法
本发明提供一种惯性传感器及其制造方法,包括 : 提供衬底,并形成绝缘介质层,以覆盖衬底;在绝缘介质层上依次形成互连线路及牺牲层,牺牲层覆盖互连线路;于牺牲层上沉积外延种子层;去除位于牺牲层正面的外延种子层,同时选择性保留位于牺牲层边缘倒角及...
NIFE刻蚀方法
本发明公开了一种NIFE刻蚀方法,其用于MEMS,执行离子束刻蚀包括以下步骤:以第一角度自沿第一方向执行第一时长离子束轰击;以第二角度自沿第二方向执行第一时长离子束轰击;以第三角度自沿第二方向执行第二时长离子束轰击;以第四角度自沿第二方向执...
一种MEMS器件限位结构
一种MEMS器件限位结构,包括:上限位结构以及下限位结构;上限位结构用于在器件结构朝向第一方向、第三方向以及第四方向运动时为器件结构提供反向力,提高器件结构在X/Y方向的抗冲击性;下限位结构用于在器件结构朝向第二方向运动时为器件结构提供反向...
像素级封装结构及其制备方法
提供一种像素级封装结构及其制备方法。像素级封装结构包括像元结构以及封装结构。像元结构包括读出电路衬底和焦平面像素单元阵列,焦平面像素单元阵列包括热敏层和桥墩;封装结构包括封装盖帽结构以及密封增透层,封装盖帽结构包括下层盖帽以及上层盖帽,下层...
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