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最新专利技术
  • 晶粒到晶圆的直接混合键合方法
    晶粒到晶圆的直接混合键合方法_法国原子能源和替代能源委员会_202380089824.8
    本发明涉及一种将裸片(10)直接混合键合到晶片(20)的方法，包括以下步骤：提供至少一个包括第一铜焊盘(11)和第一氧化硅层(12)的裸片(10)；提供包含第二铜焊盘(21)和第二氧化硅层(22)的晶片(20)；操作裸片(10)，通过对准第...
    2026-01-14
  • 树脂成型装置、以及树脂成型品的制造方法
    树脂成型装置、以及树脂成型品的制造方法_TOWA株式会社_202480038496.3
    本发明涉及的树脂成型装置具备：第一模，其能够配置已安装有电子元件的基板；第二模，其在与所述第一模之间形成型腔；传递机构，其通过柱塞将树脂材料朝向所述型腔供给；以及控制部，在所述基板配置于所述型腔内的状态下，基于所述型腔内的能够填充树脂材料的...
    2026-01-14
  • 用于模制和熔融或混合键合的集成电路的边缘凹部设计
    用于模制和熔融或混合键合的集成电路的边缘凹部设计_苹果公司_202480038691.6
    描述了集成电路(IC)结构、IC管芯结构和制造方法，其中在IC管芯中形成一个或多个边缘凹部。在直接键合到电子部件时，可以将模制化合物施加到键合结构，其中模制化合物填充一个或多个边缘凹部并且侵入IC管芯下方以及IC管芯与电子部件之间。
    2026-01-14
  • 半导体装置
    半导体装置_罗姆股份有限公司_202480037697.1
    本发明的半导体装置具备一个以上的半导体元件、导电支承部件以及具有朝向第一方向的一侧的树脂侧面的密封树脂。所述导电支承部件包括外引线，该外引线具有：根部，其从所述树脂侧面延伸；安装部，其位于比所述根部靠厚度方向的一侧；以及延伸部，其经由弯曲部...
    2026-01-14
  • 散热构件、散热构件的制造方法、封装体以及基板
    散热构件、散热构件的制造方法、封装体以及基板_NGK电子器件株式会社_202480037484.9
    散热构件(11)具备：烧结材料部，其含有钨和钼中的至少任一种、以及铜；以及多个硅氧化物颗粒，其分散在所述烧结材料部中。在所述散热构件(11)中，相对于铜、钨和钼的总重量，铜的含量为MCuCu重量百分比，钨的含量为MWW重量百分比，钼的含量为...
    2026-01-14
  • 裸片供给装置
    裸片供给装置_株式会社富士_202380099190.4
    提供一种在更换翻转头的吸嘴与供给头的吸嘴的裸片供给装置中能够减轻管理更换用的吸嘴的负担的裸片供给装置。裸片供给装置具备：翻转头，具备能够拆装第一吸嘴的第一吸嘴安装部，通过第一吸嘴从对晶圆进行切割而得到的裸片集合体吸附裸片；翻转机构，使翻转头...
    2026-01-14
  • 衬底支撑件
    衬底支撑件_ASML荷兰有限公司_202480029562.0
    衬底支撑件包括具有上表面的主体和在上表面之上突出的多个支撑构件，其中支撑构件中的一个或多个支撑构件包括由第一材料形成的第一部分和由第二材料形成的第二部分，第二部分被设置在第一部分与主体之间，并且第二材料在与上表面平行的方向上的杨氏模量小于第...
    2026-01-14
  • 搬送装置、树脂成形装置及树脂成形品的制造方法
    搬送装置、树脂成形装置及树脂成形品的制造方法_东和株式会社_202480038972.1
    本发明不使用定位销地对成形对象物进行定位并加以保持，一种搬送装置6，对成形对象物W进行搬送，且包括：保持单元61，对成形对象物W进行保持；以及多关节臂部62，使保持单元61移动，保持单元61包括：基座构件63，连接在多关节臂部62的前端部6...
    2026-01-14
  • 半导体装置的制造装置
    半导体装置的制造装置_雅马哈智能机器株式会社_202480038519.0
    制造装置(10)包括：基座(12)；工作台(14)，载置有半导体装置或其原材料；以及移动机构(16)，使所述工作台(14)相对于所述基座(12)移动，所述移动机构(16)具有：可动单元(30)，与所述工作台(14)一起沿规定的滑动方向移动；...
    2026-01-14
  • 打线接合装置及修复方法
    打线接合装置及修复方法_雅马哈智能机器株式会社_202480038840.9
    一种打线接合装置，对接合对象中的多个接合点进行打线接合处理，所述打线接合装置包括控制部、以及对打线尾端的状态进行检测的检测部，所述控制部执行：判定处理，对由所述检测部检测出的所述打线尾端的状态是否能够执行下一个接合处理进行判定；以及尾端再放...
    2026-01-14
  • 用于离子植入之高度精准原位确认与修正晶圆位置与方位
    用于离子植入之高度精准原位确认与修正晶圆位置与方位_应用材料股份有限公司_202480038272.2
    本文揭示了用于原位验证和校正晶圆位置的方式。在一种方式中，一种方法可包括照明定位在处理腔室内的压板的下侧，并使用定位在处理腔室外部、压板上方的成像装置检测压板的周长边缘。所述方法可还包括通过控制器，基于检测到的压板的周长边缘判定压板的位置数...
    2026-01-14
  • 半导体装置的制造方法及暂时固定用层叠体
    半导体装置的制造方法及暂时固定用层叠体_株式会社力森诺科_202480002367.9
    本发明公开一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具备：准备暂时固定用层叠体的工序，所述暂时固定用层叠体从支承部件依次具有支承部件、光吸收层及包含热固性树脂成分的固化物的暂时固定材料层；将半导体部件隔着光吸收层及暂时固定材料层暂时固...
    2026-01-14
  • 处理液、被对象物的处理方法、半导体器件的制造方法
    处理液、被对象物的处理方法、半导体器件的制造方法_富士胶片株式会社_202480035461.4
    本发明提供一种在适用于具有实施了化学机械研磨处理的铜表面的被对象物时铜的腐蚀少且铜表面上的有机残渣的去除性优异的处理液、及使用上述处理液的被对象物的处理方法、及半导体器件的制造方法。本发明的处理液包含阴离子性聚合物、膦酸化合物及含有羟基的羧...
    2026-01-14
  • Si基材料的选择性原子层蚀刻
    Si基材料的选择性原子层蚀刻_东京毅力科创株式会社_202480038548.7
    一种处理衬底的方法，该方法包括：在包含硅的衬底上形成包含金属和氧的光致抗蚀剂层；使用极紫外(EUV)光刻工艺图案化该光致抗蚀剂层，在该图案化之后暴露该衬底的一部分；以及进行原子层蚀刻(ALE)工艺以相对于该图案化光致抗蚀剂层选择性地蚀刻该衬...
    2026-01-14
  • 等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法
    等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法_东京毅力科创株式会社_202480036574.6
    一种等离子体蚀刻装置，具备：腔室；气体供给部，其向所述腔室供给气体；以及控制部，其中，所述气体供给部具备：气体箱，其供给所述气体；气体扩散室，来自所述气体箱的所述气体在所述气体扩散室的内部扩散，所述气体扩散室将所述气体导入到所述腔室；以及排...
    2026-01-14
  • 氧化物半导体及其制造方法、p型氧化物半导体以及功率器件
    氧化物半导体及其制造方法、p型氧化物半导体以及功率器件_国立大学法人东海国立大学机构_202480038539.8
    本发明涉及一种氧化物半导体的制造方法，具有：向包含氧化镓的半导体层的表面附近将过渡金属的离子进行离子注入的步骤、以及将经离子注入的上述半导体层在含氧的气氛中进行热处理的步骤。
    2026-01-14
  • 用于逻辑和存储器应用的无孔隙沟槽填充方法
    用于逻辑和存储器应用的无孔隙沟槽填充方法_朗姆研究公司_202480038648.X
    以介电材料填充间隙包括在沉积期间使用抑制等离子体。抑制等离子体会增加沉积膜的成核屏障。抑制等离子体选择性地在特征的顶部附近产生作用，与特征的底部相比，抑制在特征的顶部的沉积，从而增强由下而上的填充。
    2026-01-14
  • 使用基于单体的牺牲材料剥离进行图案化
    使用基于单体的牺牲材料剥离进行图案化_BAE系统信息和电子系统集成有限公司_202480037409.2
    一种方法，其包括在一层的多个第一区段上形成多个第一材料岛。该层的多个第二区段未经该第一材料覆盖。该方法进一步包括将第二材料沉积在(i)该第一材料岛及(ii)该层的未经该第一材料岛覆盖的第二区段上。该方法进一步包括蒸发和/或升华该第一材料岛及...
    2026-01-14
  • 电容结构及其制备方法和射频设备
    电容结构及其制备方法和射频设备_京东方科技集团股份有限公司_202580000394.7
    本公开提供一种电容结构，其中，包括基底，和沿远离基底的方向依次叠置在基底一侧的第一电极、介质层和第二电极；第一电极和第二电极中的至少一者包括沿远离基底的方向依次叠置的第一子层、第二子层和第三子层，其中，第一子层具有第一边缘部分，第三子层具有...
    2026-01-14
  • 磁性体及绝缘体的双层膜、隧穿磁阻元件及磁存储器
    磁性体及绝缘体的双层膜、隧穿磁阻元件及磁存储器_JSR株式会社_202480038270.3
    磁性体及绝缘体的双层膜具有含有六方晶的结晶结构、且至少一面为反铁磁性体的(10‑10)面的反铁磁性层、以及层叠在其(10‑10)面上的包含两种或三种或者四种原子的绝缘体层。磁性体及绝缘体的双层膜具有含有六方晶的结晶结构、且至少一面为反铁磁性...
    2026-01-14
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