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最新专利技术
  • 半导体装置、半导体存储器以及半导体装置形成方法
    半导体装置、半导体存储器以及半导体装置形成方法_长鑫科技集团股份有限公司_202410805947.3
    本公开实施例提供了一种半导体装置、半导体存储器以及半导体装置形成方法，包括：衬底和侧壁，衬底的正面设置有正面介质层，衬底的背面设置有背面介质层，正面介质层和/或背面介质层包括低K材料；侧壁沿衬底的背面延伸到衬底的正面，侧壁包括正面介质层的侧...
    2026-01-14
  • 通孔刻蚀方法
    通孔刻蚀方法_原集微(上海)电子有限公司_202511725667.2
    本发明提供一种通孔刻蚀方法，通过形成具有特定倾角α、底部宽度及厚度的灰度掩膜层，解决了现有技术角度调控不灵活、工艺窗口狭窄、角度容差大以及晶圆级刻蚀均匀性差的问题。通过调整掩膜层的倾角α，实现对通孔倾角β的连续调节和精确控制，从而显著提升了...
    2026-01-14
  • 形成半大马士革金属互联的绝缘介质反刻蚀方法及其结构
    形成半大马士革金属互联的绝缘介质反刻蚀方法及其结构_泉州师范学院_202511724976.8
    本发明提出一种形成半大马士革金属互联的绝缘介质反刻蚀方法及其结构，该方法通过在硅基绝缘介质层中形成通孔和沟槽；在通孔和沟槽中填充金属钴，形成金属结构；以金属结构为自对准掩模，将至少一种含氟气体和至少一种钝化气体进行混合，采用等离子体刻蚀工艺...
    2026-01-14
  • 一种通孔形成工艺
    一种通孔形成工艺_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511416292.1
    本申请公开了一种通孔形成工艺，包括：提供一半导体器件，半导体器件包括形成有金属连线的第一介质层、第一介质层和金属连线上形成有阻挡层，阻挡层上形成有第二介质层；通过光刻工艺，在第二介质层表面形成图形化的光刻胶层，光刻胶层的开口定义出通孔区域；...
    2026-01-14
  • 一种转接板及其形成方法
    一种转接板及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410804239.8
    本申请提供一种转接板及其形成方法，所述转接板包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域以及分别位于所述第一区域的第一开口和位于所述第二区域的第二开口，所述第一开口和第二开口的底部和侧壁以及所述半导体衬底表面依次形成有隔离层以及D...
    2026-01-14
  • 一种浅沟槽隔离结构及其制备方法
    一种浅沟槽隔离结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511727118.9
    本申请公开了一种浅沟槽隔离结构及其制备方法，属于半导体技术领域，该制备方法包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成衬垫氧化层和氮化层；在所述衬垫氧化层、氮化层和半导体衬底中形成沟槽；所述沟槽从所述氮化层延伸至所述半导体衬底中，将所...
    2026-01-14
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511727064.6
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，所述制备方法包括：提供基底；所述基底包括衬底，所述衬底形成有定义有源区的浅沟槽；其中，所述浅沟槽两侧具有暴露的部分有源区，且所述部分有源区的表面与所述浅沟槽的侧壁相邻接形成初始顶角区域；在所述浅沟槽的...
    2026-01-14
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511727063.1
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，所述制备方法包括：提供基底；所述基底包括衬底，所述衬底形成有定义有源区的浅沟槽；其中，所述浅沟槽两侧具有暴露的第一有源区，且所述第一有源区的表面与所述浅沟槽的侧壁相邻接形成初始顶角区域；针对所述初始顶...
    2026-01-14
  • 间隙填充方法及其处理系统
    间隙填充方法及其处理系统_ASMIP私人控股有限公司_202510807087.1
    提供了一种填充间隙或特征的方法。该方法可以包括：将设置有特征间隙的衬底引入处理系统；执行一个或多个循环，循环包括沉积步骤和固化步骤，沉积步骤包括：提供第一前体和第二前体，第一前体包含含Si前体；提供处理气体，其中处理气体包含Ar、H2、N2...
    2026-01-14
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_南亚科技股份有限公司_202411340405.X
    一种半导体装置的制造方包含在半导体阵列的半导体层及衬垫层中形成多个沟槽，其中所述衬垫层位于所述半导体层上、在沟槽中及衬垫层上形成隔离层、在隔离层上形成氮化层、图案化氮化层、通过使用氮化层为罩幕以蚀刻隔离层、衬垫层及半导体层以形成多个通孔以及...
    2026-01-14
  • 一种具有双层多晶硅夹层的SOI衬底及其制备方法
    一种具有双层多晶硅夹层的SOI衬底及其制备方法_上海新微技术研发中心有限公司_202410781480.3
    本发明提供一种具有双层多晶硅夹层的SOI衬底及其制备方法，制备方法包括如下步骤：提供第一硅片，在所述第一硅片的表面依次形成第一多晶硅层和第一氧化层，对所述第一氧化层进行化学机械抛光，得到光滑氧化层；提供第二硅片，在所述第二硅片的表面依次形成...
    2026-01-14
  • 一种具有超薄器件层、单一多晶硅夹层的SOI衬底及其制备方法
    一种具有超薄器件层、单一多晶硅夹层的SOI衬底及其制备方法_上海新微技术研发中心有限公司_202410781445.1
    本发明提供一种具有超薄器件层、单一多晶硅夹层的SOI衬底及其制备方法，制备方法包括如下步骤：提供第一硅片，在第一硅片的表面形成第一氧化层；提供SOI晶圆，SOI晶圆包括底硅层、中间氧化层和顶硅层，顶硅层厚度为0.05‑5μm，在顶硅层表面形...
    2026-01-14
  • 一种半导体金属零部件加工的夹紧装置
    一种半导体金属零部件加工的夹紧装置_江苏惠北特种合金有限公司_202511356963.X
    本发明涉及半导体加工领域，尤其是一种半导体金属零部件加工的夹紧装置，包括活动支撑座、设置于活动支撑座上的支撑单元、设置于支撑单元上的夹持单元，以及设置于支撑单元上的稳定单元，本发明通过齿轮三驱动齿条带动调节杆向支撑杆的圆心靠近或者远离，以适...
    2026-01-14
  • 晶圆翻转装置
    晶圆翻转装置_无锡芯特思半导体科技有限公司_202511326111.6
    本申请公开了晶圆翻转装置，包括晶圆夹紧机构，设于所述安装架上，用于夹在晶圆的边缘并带动晶圆翻转；晶圆翻转机构，与所述晶圆夹紧机构相关联，用于驱动所述晶圆夹紧机构旋转以翻转被夹持的晶圆；晶圆缓存机构，设置于所述安装架上，用于接收和暂存来自外部...
    2026-01-14
  • 晶圆顶升装置和晶圆转移设备
    晶圆顶升装置和晶圆转移设备_上海集迦电子科技有限公司_202511250543.3
    本申请提供一种晶圆顶升装置和晶圆转移设备，晶圆顶升装置包括：支撑板，用于支撑晶圆，支撑板设置有帕尔贴制冷器、薄膜铂电阻和薄膜式塞贝克系数传感器阵列；升降机构，与支撑板固定连接，用于控制支撑板上升或者下降；热阻调控模块，用于根据温度值和晶圆‑...
    2026-01-14
  • 用于方形基板的卡盘
    用于方形基板的卡盘_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411358048.X
    本申请提出的用于方形基板的卡盘，包括卡盘本体和均匀分布在所述卡盘本体上的两个夹持装置，所述两个夹持装置分别用于夹持基板的相对的两个顶角位置；其中，每个夹持装置包括基座、支撑台、夹持件和限位件，所述基座固定在所述卡盘本体上，所述支撑台设置在所...
    2026-01-14
  • 用于方形基板的卡盘
    用于方形基板的卡盘_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410816350.9
    本发明提出的用于方形基板的卡盘，包括卡盘本体和均匀分布在所述卡盘本体上的两组夹持组件，所述两组夹持组件分别用于夹持基板的相对的两个顶角位置；每组夹持组件包括两个夹持装置，分别用于夹持基板的相邻的两条边，所述相邻的两条边构成一个顶角；其中，每...
    2026-01-14
  • 一种顶升组件及等离子体处理装置
    一种顶升组件及等离子体处理装置_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410815225.6
    本发明提供了一种顶升组件及等离子体处理装置，所述顶升组件包含：升降顶针，至少部分位于导向通道内，环绕升降顶针的周向设有可伸缩密封件；导向筒，固定设置在下电极组件下方，且导向筒的内壁设有若干个导向槽；套筒，设置在导向筒内且与该导向筒同轴，所述...
    2026-01-14
  • 支撑销、卡盘
    支撑销、卡盘_上海光通信有限公司_202410765044.7
    本申请涉及一种支撑销、卡盘，支撑销包括：第一销部；第二销部，和第一销部可拆卸连接，第二销部包括腔体，第一销部部分设置在与腔体中；以及高度调节机构，设置于第二销部腔体中，且高度调节机构通过调节自身高度从而调节位于腔体中的第一销部的高度，如此，...
    2026-01-14
  • 一种用于晶圆盘转移的污染物自排除吸盘抓手
    一种用于晶圆盘转移的污染物自排除吸盘抓手_广东科卓半导体设备有限公司_202511725162.6
    本发明涉及晶圆吸盘技术领域，具体来说是涉及一种用于晶圆盘转移的污染物自排除吸盘抓手，包括吸盘本体；吸盘本体底部凹设有容置腔；容置腔内设有主气管本体；主气管本体的下部的外周壁与容置腔的腔壁之间形成有伯努利气道；主气管本体底部的中心转动设有清洁...
    2026-01-14
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