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最新专利技术
  • 一种利用定向凝固法生长半绝缘氧化镓晶体的方法
    一种利用定向凝固法生长半绝缘氧化镓晶体的方法_杭州镓仁半导体有限公司_202311172445.3
    本发明公开了一种利用铸造法生长半绝缘氧化镓晶体的方法， 包括以下几个步骤：原料的处理：将氧化镓粉末和掺杂原料粉末放入铱金坩埚中， 加热熔完全熔化， 增加中频感应线圈功率使得氧化镓熔体温度升高并保温， 降温至氧化镓的熔点；晶体的生长：打开观察...
    2025-12-05
  • 一种用于制备钇铝石榴石晶体的熔化炉
    一种用于制备钇铝石榴石晶体的熔化炉_安徽蚌合光电科技发展有限公司_202511084587.3
    本发明涉及晶体制造技术领域， 尤其是一种用于制备钇铝石榴石晶体的熔化炉， 包括有支撑座和设置于所述支撑座顶部的抬升加热组件， 所述抬升加热组件包括有设置于所述支撑座顶部的加热件和设置于所述加热件内部的抬升盛料件， 所述加热件的端部设置有往复...
    2025-12-05
  • 一种高含量(202)/(222)/(123)高指数晶面的YFeO3晶体材料及其制备方法
    一种高含量(202)/(222)/(123)高指数晶面的YFeO3晶体材料及其制备方法_上海应用技术大学_202510875578.X
    本发明公开了一种高含量(202)/(222)/(123)高指数晶面的YFeO3晶体材料及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：按照Y3+：Fe3+＝1：1的摩尔比称取Y(NO3)3·6H2O和Fe(NO3)3·9H2O倒入烧杯， 溶于去离子...
    2025-12-05
  • 一种用于大尺寸单晶钙钛矿的减薄液及减薄方法
    一种用于大尺寸单晶钙钛矿的减薄液及减薄方法_上海君宇浩升光电科技有限公司_202510970911.5
    本发明提供了一种用于大尺寸单晶钙钛矿的减薄液及减薄方法， 其中用于大尺寸单晶钙钛矿的减薄液， 包括去离子水以及分散在去离子水中的纳米粉末， 所述纳米粉末的质量占比为5‑15wt%。去离子水解钙钛矿单晶待减薄层， 其表面会生成质地松散的产物，...
    2025-12-05
  • 一种基于光照和肖特基势垒层耦合的单晶硅挠曲电系数的增强方法
    一种基于光照和肖特基势垒层耦合的单晶硅挠曲电系数的增强方法_北京理工大学_202511115362.X
    本发明公开了一种基于光照和肖特基势垒层耦合的单晶硅挠曲电系数的增强方法， 包括：在单晶硅样片的上下表面分别蒸镀电极材料形成叠层结构， 叠层结构包括顶电极、单晶硅样片和底电极；当顶电极和底电极分别与单晶硅样片形成肖特基势垒层， 且两势垒的内建...
    2025-12-05
  • 大尺寸单晶硅棒的多棒拉制方法
    大尺寸单晶硅棒的多棒拉制方法_宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司_202510686038.7
    本发明提供一种大尺寸单晶硅棒的多棒拉制方法， 属于大尺寸晶棒生产领域， 包括：S1、向坩埚内进行装料， 装料至预设高度时将钡粉均匀地撒在硅料上；S2、进行化料， 使硅料与钡粉熔化， 熔化的钡粉随着硅液流动至坩埚内壁， 以在坩埚内壁形成保护层...
    2025-12-05
  • 一种基于高温超导磁控技术的超大规模硅单晶生长方法
    一种基于高温超导磁控技术的超大规模硅单晶生长方法_无锡学院_202510677346.3
    本发明公开了一种基于高温超导磁控技术的超大规模硅单晶生长方法， 涉及硅单晶生长技术领域， 包括设定并校准初始磁场强度， 结合梯度石墨毡导热系数函数优化温场均匀性；在熔体阶段引入动态磁场调控机制， 通过流速－磁场联控抑制熔体对流并同步氧浓度监...
    2025-12-05
  • 一种多晶硅生产用降温冷却装置
    一种多晶硅生产用降温冷却装置_南京信息工程大学南通研究院_202511243704.6
    本发明涉及多晶硅生产技术领域， 且公开了一种多晶硅生产用降温冷却装置， 固定底座板顶部位置固定连接有下层降温箱， 下层降温箱表面且靠近底部位置固定套接有增压水箱， 下层降温箱位于固定连接增压水箱的底部位置开设有排列规整的进风口， 通过设有排...
    2025-12-05
  • 生长锗硅叠层外延薄膜的方法及半导体工艺设备
    生长锗硅叠层外延薄膜的方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510772618.8
    本发明涉及半导体技术领域， 具体而言， 涉及一种生长锗硅叠层外延薄膜的方法及半导体工艺设备。生长锗硅叠层外延薄膜的方法包括：第一器件沉积步， 沉积第一器件；隔离层沉积步， 在第一器件的顶部依次沉积第一隔离锗硅层、单晶锗层和第二隔离锗硅层， ...
    2025-12-05
  • 一种III-V族化合物材料生长方法
    一种III-V族化合物材料生长方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510804417.1
    本发明提供了一种III‑V族化合物材料生长方法， 获取衬底， 对衬底进行预处理；对处理过的衬底进行V族浸润， 并在进行过V族浸润的衬底上表面生成III‑V族化合物的形核层；其中， 形核层和衬底上表面之间形成有界面失配位错阵列；在形核层上依次...
    2025-12-05
  • 外延设备用的进气板、外延设备用的分流组件、外延设备用的分流件及外延设备
    外延设备用的进气板、外延设备用的分流组件、外延设备用的分流件及外延设备_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511189028.9
    一种外延设备用的进气板、外延设备用的分流组件、外延设备用的分流件及外延设备， 其中， 外延设备用的进气板包括：2个边缘部， 2个边缘部沿第一方向排列， 边缘部具有第一流气孔， 第一流气孔沿第一方向排列， 第一流气孔的出气方向与第一方向之间形...
    2025-12-05
  • 一种碳化硅外延生长用加热器
    一种碳化硅外延生长用加热器_中矽高温材料(泰州)有限公司_202510976587.8
    本发明涉及碳化硅外延加热领域， 具体的说是指一种碳化硅外延生长用加热器， 包括外延加热管及活动套接在外延加热管内侧壁面上的碳化硅加热限位架， 所述外延加热管的两侧表面上设置有液压杆， 所述液压杆的输出端上固定连接有弧形隔温板， 所述弧形隔温...
    2025-12-05
  • 一种提高金刚石单晶晶体质量的方法
    一种提高金刚石单晶晶体质量的方法_无锡光钻半导体科技有限公司_202510940387.7
    本发明公开了一种提高金刚石单晶晶体质量的方法， 本发明涉及金刚石制备技术领域， 包括设定MPCVD基础生长参数， 建立初始温度场， 引入动态温度调制机制， 通过温度波动程序打破静态温度场局限性， 本发明的优点在于：通过动态温度调制机制引入周...
    2025-12-05
  • 一种二维非层状晶体的制备方法
    一种二维非层状晶体的制备方法_天津理工大学_202510877829.8
    本发明公开了一种二维非层状晶体的制备方法， 将目标产物TiO2， CdS和PbS的原料粉末与助溶剂粉末混合均匀作为反应原料， 以硅片或蓝宝石作为衬底， 将反应原料夹在两片衬底之间， 放入CVD管式炉装置使反应原料充分反应， 在衬底上制备获得...
    2025-12-05
  • 一种含ZnTe缓冲层的碲锌镉薄膜及其制备方法和应用
    一种含ZnTe缓冲层的碲锌镉薄膜及其制备方法和应用_江西铜业集团有限公司_202510807941.4
    本发明属于半导体材料制备技术领域， 具体公开一种含ZnTe缓冲层的碲锌镉薄膜及其制备方法和应用。本发明分别以ZnTe多晶片和碲锌镉多晶片作为蒸发源， 同时将两个蒸发源置于近空间升华炉的腔体内部， 在不需要开炉腔破坏真空条件的情况下， 连续依...
    2025-12-05
  • 一种可动态调节温度梯度分布的碳化硅晶体生长用热场结构
    一种可动态调节温度梯度分布的碳化硅晶体生长用热场结构_安徽微芯长江半导体材料有限公司_202510923524.6
    本发明涉及碳化硅晶体生长技术领域， 尤其是涉及一种可动态调节温度梯度分布的碳化硅晶体生长用热场结构， 其包括多层保温组件、坩埚及动态调节机构。保温筒采用双层设计， 外层套筒可轴向移动， 内筒上下部分直径渐变， 结合热场升降功能实现温度梯度精...
    2025-12-05
  • 单晶硅棒的制备方法、硅片和太阳能电池
    单晶硅棒的制备方法、硅片和太阳能电池_青海晶科能源有限公司_202510897865.0
    本申请实施例涉及光伏领域， 提供一种单晶硅棒的制备方法、硅片和太阳能电池。该方法包括：获取坩埚内熔体的轴向温度梯度、径向温度梯度以及剩料率；根据轴向温度梯度、径向温度梯度以及剩料率， 确定晶棒的当前生长阶段， 当前生长阶段包括以下之一：自然...
    2025-12-05
  • 一种单晶炉感应加热器
    一种单晶炉感应加热器_包头美科硅能源有限公司_202511109845.9
    本发明公开了一种单晶炉感应加热器, 其特征在于， 包括溶体、石英坩埚、埚帮、感应加热器线圈、埚心、托杆及炉底盘；所述溶体承载于所述石英坩埚中， 所述石英坩埚承载于所述埚帮中， 所述埚帮上设有所述埚心， 所述感应加热器线圈设置安装在所述埚帮外...
    2025-12-05
  • 一种单晶炉掺杂装置、单晶炉及掺杂方法
    一种单晶炉掺杂装置、单晶炉及掺杂方法_鄂尔多斯市中成榆能源有限公司_202511189866.6
    本发明公开了一种单晶炉掺杂装置、单晶炉及掺杂方法， 属于单晶生长所用装置领域；本发明单晶炉掺杂装置中盛料容器顶部设置连接部；组装时， 连接部穿过隔离罩顶部的连接通孔， 连接部上设置连接结构， 连接后的盛料容器悬挂在隔离罩的容纳腔内部；这种连...
    2025-12-05
  • 一种单晶硅用高效掺杂剂制备方法及其掺杂工艺
    一种单晶硅用高效掺杂剂制备方法及其掺杂工艺_江西省科学院应用物理研究所_202510916230.0
    本发明属于掺杂剂合成技术领域， 具体是指一种单晶硅用高效掺杂剂制备方法及其掺杂工艺， 通过选取扩散促进剂来提高掺杂剂在整个单晶的制备过程的扩散， 通过表面活化处理， 提高掺杂剂的表面化学性能， 同时表面活化剂的阴离子可以与单晶硅当中的氧发生...
    2025-12-05
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