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最新专利技术
  • 一种高倍率压实负极材料及其制备方法
    一种高倍率压实负极材料及其制备方法_江西盛创新能源科技有限公司_202510387790.1
    本发明属于负极材料制备领域，提供了一种高倍率压实负极材料及其制备方法。首先，以硝酸钴和2‑甲基咪唑为前驱体合成ZIF‑67，通过溶胶‑凝胶法引入四乙氧基硅烷和钛酸四丁酯进行改性，获得前驱体粉末，随后将该前驱体在管式炉中分阶段升温，在混合气体...
    2025-12-04
  • 一种含氮修饰层的硅基负极及其制备方法、锂离子电池
    一种含氮修饰层的硅基负极及其制备方法、锂离子电池_复旦大学_202510399423.3
    本发明提供了一种含氮修饰层的硅基负极及其制备方法、锂离子电池，属于锂离子电池领域。本发明提供了一种含氮修饰层的硅基负极，包括表面含氧元素的硅基颗粒和包覆于所述硅基颗粒表面的氮修饰层；所述氮修饰层中的氮元素与氧元素通过化学键连接；所述氮修饰层...
    2025-12-04
  • 一种具有界面改性层的锂金属负极及其制备方法和应用
    一种具有界面改性层的锂金属负极及其制备方法和应用_中北大学_202510386197.5
    本发明公开了一种具有界面改性层的锂金属负极及其制备方法和应用，属于锂离子电池技术领域。锂金属负极由锂片及其表面的2‑丙烯酰胺‑2‑甲基丙磺酸锂构成，该锂金属负极用于液态锂离子电池可以改善锂离子电池的库伦效率和循环寿命。
    2025-12-04
  • 一种负极极片、电池
    一种负极极片、电池_浙江冠宇电池有限公司_202510391050.5
    本申请属于电池制备技术领域，具体涉及一种负极极片、电池。负极极片包括负极集流体和设置在所述负极集流体至少一侧表面的负极活性物质层；所述负极活性物质层包括负极活性物质和第一粘结剂；所述负极活性物质层包括负极活性物质颗粒，所述第一粘结剂包括颗粒...
    2025-12-04
  • 电迁移测试结构及测试方法
    电迁移测试结构及测试方法_上海华力微电子有限公司_202510397245.0
    本发明提供一种电迁移测试结构及测试方法，电迁移测试结构包括：测试金属线；以及围绕测试金属线设置的温度调控单元；温度调控单元包括多个依次连接的温度调控子单元；温度调控子单元中设有第一多晶硅层和第二多晶硅层，第一多晶硅层和第二多晶硅层分别与测试...
    2025-12-04
  • 一种互连结构、功率模块以及制备方法
    一种互连结构、功率模块以及制备方法_华北电力大学_202510394424.9
    本发明提供一种互连结构、功率模块以及制备方法，涉及芯片焊接技术领域，互连结构为金属材料制成的桥型结构，互连结构包括至少两个焊脚，焊脚的顶端通过连接体连接，焊脚之间具有绝缘通道，焊脚的下表面以及连接体的上表面均为平面，且焊脚的下表面与连接体的...
    2025-12-04
  • 一种具有翅片的液冷板
    一种具有翅片的液冷板_毫厘机电(苏州)有限公司_202510389156.1
    本发明提供一种具有翅片的液冷板，具有翅片的液冷板包括：顶板，顶板包括相背的第一表面和第二表面，第一表面形成有供冷却液流动的多组波浪形凹槽，每组波浪形凹槽包括多个间隔开设置的波浪形凹槽，顶板的第二表面用于连接多个芯片，多个芯片与多组波浪形凹槽...
    2025-12-04
  • 具有波浪形凹槽的散热器
    具有波浪形凹槽的散热器_毫厘机电(苏州)有限公司_202510389112.9
    本发明提供一种具有波浪形凹槽的散热器，具有波浪形凹槽的散热器包括：基板，基板的上表面形成有多个沿着第一方向间隔开设置且沿着第二方向延伸的波浪形凹槽，基板形成有与波浪形凹槽连通的进液孔和出液孔，冷却液能够从进液孔进入波浪形凹槽，且从出液孔流出...
    2025-12-04
  • 一种焊盘阵列封装结构及其制造工艺
    一种焊盘阵列封装结构及其制造工艺_苏州元脑智能科技有限公司_202510396540.4
    本申请公开一种焊盘阵列封装结构及其制造工艺，涉及器件封装技术领域。封装结构，包括：第一基板、第二基板、器件核心、封装外壳、第一焊盘阵列以及第二焊盘阵列；第一基板的底部设置于封装外壳的底部内表面，第一焊盘阵列设置于封装外壳的底部外表面，器件核...
    2025-12-04
  • 金属互连结构的制备方法及半导体器件
    金属互连结构的制备方法及半导体器件_上海积塔半导体有限公司_202510395621.2
    本发明提供了一种金属互连结构的制备方法及半导体器件，制备方法包括如下步骤：提供一衬底，衬底包括基底、基底上的半导体层、半导体层中形成的多个接触孔以及与接触孔内的第一导电介质；在衬底的表面依次形成刻蚀停止层、牺牲层以及金属间介质层；刻蚀衬底形...
    2025-12-04
  • 键合片的处理方法及键合片
    键合片的处理方法及键合片_上海新傲芯翼科技有限公司_202510397707.9
    本发明提供一种键合片的处理方法及键合片，所述处理方法包括：提供键合片，所述键合片包括支撑衬底、器件层和埋氧层，所述埋氧层将所述支撑衬底和所述器件层隔离开来，所述支撑衬底的背面形成有氧化层；对键合片执行研磨工艺；以及，对所述键合片进行热氧化处...
    2025-12-04
  • 键合工艺方法
    键合工艺方法_上海华力集成电路制造有限公司_202510398612.9
    本发明公开了一种键合工艺方法，包括：将第一晶圆放置在键合设备的顶部真空吸盘上，顶部真空吸盘上包括多圈真空吸孔，将顶部真空吸盘的外圈真空吸孔的真空度设置为大于内圈真空吸孔的真空度，以保证第一晶圆的中心内圈呈下沉的形态。进行键合，在键合时，中心...
    2025-12-04
  • 浸润式光刻机CTC晶圆自动更换方法和系统
    浸润式光刻机CTC晶圆自动更换方法和系统_上海华力集成电路制造有限公司_202510398547.X
    本发明公开了一种浸润式光刻机CTC晶圆自动更换方法，包括：提供装有新CTC晶圆的FOUP，通过EAP进行下货作业。track机台对新CTC晶圆进行HMDS预处理作业。新CTC晶圆从track机台传送到浸润式光刻机并通过第一指令进行CTC晶圆...
    2025-12-04
  • 一种晶圆扩膜装置及晶圆测试设备
    一种晶圆扩膜装置及晶圆测试设备_苏州联讯仪器股份有限公司_202510393933.X
    本发明提供了一种晶圆扩膜装置及晶圆测试设备，涉及晶圆测试技术领域。本发明中在晶圆扩膜装置的结构上新增了卡扣结构，每个卡扣结构具有与第二承载台可转动连接的卡接板，卡接板具有与被测晶圆分离的自由状态以及与被测晶圆的钢环卡接的卡接状态，卡接板设置...
    2025-12-04
  • 晶圆缺陷检测方法和装置
    晶圆缺陷检测方法和装置_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510391095.2
    本发明提供了一种晶圆缺陷检测方法和装置，涉及半导体技术领域，所述晶圆缺陷检测方法，包括：对晶圆进行激光扫描，得到所述晶圆上缺陷的第一位置信息和第一尺寸信息；根据所述第一位置信息和所述第一尺寸信息，利用光学显微镜对所述晶圆进行光学扫描以及利用...
    2025-12-04
  • 直接混合键合方法
    直接混合键合方法_上海华力集成电路制造有限公司_202510398516.4
    本发明提供一种直接混合键合方法，在电子元件的衬底之上的电介质层中形成第一开口以定义出功能键合键合图形，功能键合图形具有不同的尺寸；以及在电介质层中第一开口周围的空白区域上形成第二开口以定义出伪键合图形，每个第二开口从俯视角度观察，第二开口的...
    2025-12-04
  • 微凸块的制备方法
    微凸块的制备方法_广东芯成汉奇半导体技术有限公司_202510390674.5
    本发明公开一种微凸块的制备方法，包括如下步骤：S1、在晶圆的硅面设置金属种子层，金属种子层包括叠设第一种子层以及第二种子层，第二种子层的材质为铜；S2、在金属种子层上铺设光刻胶层并形成若干成型孔；S3、在成型孔内依次叠设第一金属层、第二金属...
    2025-12-04
  • 一种大功率贴片桥封装及其生产工艺
    一种大功率贴片桥封装及其生产工艺_安徽辰达半导体有限公司_202510389021.5
    本发明公开了一种大功率贴片桥封装及其生产工艺，涉及贴片桥封装技术领域，包括外壳，所述外壳的内部设置有多个芯片，每个所述芯片均安装在框架上，每个所述框架上均连接有引脚，所述引脚上电镀有电镀层。所述外壳由环氧树脂胶通过模具注塑形成的。括以下步骤...
    2025-12-04
  • 半导体器件的封装方法
    半导体器件的封装方法_新光科技新加坡有限公司_202510389255.X
    本发明提供了一种半导体器件的封装方法，包括：提供基底芯片，基底芯片包括相对的正面和背面；在基底芯片的正面形成若干组间隔设置的光电转换模块，光电转换模块通过通孔连接基底芯片；在相邻光电转换模块之间的基底芯片的正面上形成防护盖，防护盖包括内表面...
    2025-12-04
  • 一种高可靠性的高精度多层陶瓷基板的制备方法
    一种高可靠性的高精度多层陶瓷基板的制备方法_江苏富乐华功率半导体研究院有限公司_202510390082.3
    本发明公开了一种高可靠性的高精度多层陶瓷基板的制备方法，涉及多层陶瓷基板技术领域；具体包括以下步骤：S1：陶瓷微孔加工；S2：磁控溅射；S3：溅射陶瓷图形化；S4：丝印填孔；S5：贴箔烧结；S6：金属箔图像蚀刻和对位丝印；S7：多层陶瓷基板...
    2025-12-04
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