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最新专利技术
  • 显示基板及其制备方法、显示装置
    显示基板及其制备方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001491.3
    一种显示基板及其制备方法、显示装置，显示基板包括显示区(100)、位于所述显示区(100)中的孔区(300)以及位于所述显示区(100)与所述孔区(300)之间的封装区(200)，所述封装区(200)包括设置在基底(101)上的至少一个隔离...
    2026-04-04
  • 具有竖直地堆叠的部件的显示器
    具有竖直地堆叠的部件的显示器_苹果公司_202480055818.5
    一种显示器可以包括像素(诸如发光二极管像素)的阵列。像素可以包括多个电路叠层，该多个电路叠层各自包括一个或多个电路部件，诸如晶体管、电容器和/或电阻器。电路叠层可以竖直地堆叠。每个电路叠层可以包括由硅氧烷材料形成的平面化层，该平面化层与下面...
    2026-04-04
  • 显示基板、显示面板以及显示装置
    显示基板、显示面板以及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001519.3
    一种显示基板、显示面板以及显示装置。显示基板包括衬底基板、多个子像素、像素限定层、无机图案以及有机层，像素限定层包括多个像素开口以及像素限定部，无机图案包括多个无机结构，无机结构包括彼此连接的限定主体部和限定连接部，有机层包括多个有机结构，...
    2026-04-04
  • 显示基板和显示装置
    显示基板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202280002385.8
    一种显示基板和显示装置。在显示基板(100)中，多个发光元件(120)位于驱动基板(110)上；彩膜层(130)位于多个发光元件(120)远离驱动基板(110)的一侧，且包括多个彩色滤光片(132)和位于相邻的彩色滤光片(132)之间的黑矩...
    2026-04-04
  • 显示装置和制造显示装置的方法
    显示装置和制造显示装置的方法_三星显示有限公司_202480056792.6
    本发明的一个实施例中公开显示装置，包括：第一膜；以及显示面板，设置在所述第一膜上，并且包括沿第一方向依次布置的显示部分、驱动部分和边框部分，其中所述显示部分包括多个第一岛部分，所述多个第一岛部分彼此间隔开并且包括发光元件，所述驱动部分包括彼...
    2026-04-04
  • 一种改变载流子密度的方法以及根据所述方法制造的电子器件
    一种改变载流子密度的方法以及根据所述方法制造的电子器件_剑桥企业有限公司_202480056659.0
    一种制造电子器件的方法，所述方法包括：改变导电材料的电荷载流子密度，所述导电材料包含离子材料，其中改变所述导电材料的电荷载流子密度包括：当所述导电材料处于所述离子材料的离子运动被冻结的状态时，改变所述电荷载流子密度。本发明还描述了一种电子器...
    2026-04-04
  • 用于有机发光器件的材料
    用于有机发光器件的材料_默克专利有限公司_202480055740.7
    本发明涉及用于电子器件、尤其是有机发光器件中的OLED材料和含有这些OLED材料的电子器件、尤其是有机发光器件。
    2026-04-04
  • 电力供给装置及动作装置
    电力供给装置及动作装置_日本化药株式会社_202480056307.5
    [课题]提供一种无需从外部通入电流即可供给电力的电力供给装置。[解决方法]电力供给装置40具备：具有自动点火剂的点火部41；以及通过自动点火剂点火所获得的能量进行发电的发电部43。
    2026-04-04
  • 压电体膜基板的制造方法及压电体膜基板
    压电体膜基板的制造方法及压电体膜基板_住友精密工业株式会社_202480053899.5
    该压电体膜基板的制造方法具备：在基板上形成下部电极层的工序；在下部电极层上形成下部调整层的工序，该下部调整层含有作为规定金属元素的下部调整元素；在下部调整层上成膜压电体层的工序，该压电体层含有具有钙钛矿结构的锆钛酸铅；在压电体层上形成上部调...
    2026-04-04
  • 具有超导体-绝缘体转变材料的微波滤波器
    具有超导体-绝缘体转变材料的微波滤波器_谷歌有限责任公司_202480056231.6
    一种微波滤波器包括超导体‑绝缘体转变(SIT)层，该SIT层包括呈现与超导能隙频率相关联的超导体‑绝缘体转变的材料。对于通过该层传输的信号，该微波滤波器是截止频率为该超导能隙频率的两倍的低通滤波器。
    2026-04-04
  • 用于通过聚焦离子束退火制造超导量子比特的方法
    用于通过聚焦离子束退火制造超导量子比特的方法_联邦国家自治高等教育机构 莫斯科国立鲍曼技术大学_202480050767.7
    本发明涉及制造量子计算机的量子比特和超导器件的领域，更具体地说，涉及基于薄膜约瑟夫森结的系统，并且可以在制造后用于微调包含薄膜约瑟夫森结的超导量子比特的谐振频率，例如可调频率或固定频率量子比特，以及低温约瑟夫森参量放大器。本发明的本质是一种...
    2026-04-04
  • 包含具有最小写入干扰的RRAM器件的交叉电路
    包含具有最小写入干扰的RRAM器件的交叉电路_特忆智能科技_202480052323.7
    本公开提供了一种具有最小化写入干扰的交叉电路。交叉电路可以包括多条位线与多条字线相交、多个交叉点器件以及一个或多个与多条位线操作性连接的第一电容器。多个交叉点器件中的每个均连接到至少一条字线和至少一条位线。该交叉电路还可以包括一个或多个与多...
    2026-04-04
  • 使绝缘体上硅衬底的表面层薄化的方法
    使绝缘体上硅衬底的表面层薄化的方法_索泰克公司_202480055065.8
    本发明涉及一种使绝缘体上硅衬底的表面层薄化的方法，其包括：a)测量该表面层的厚度以获得其平均厚度(E平均)及其厚度不均匀性(U)的步骤，随后在单晶圆化学处理装置中执行以下步骤：b)对该表面层的正面施行n个氧化及蚀刻循环，其中n为大于或等于1...
    2026-04-04
  • 基板处理装置的零件的组装系统及基板处理装置的零件的组装方法
    基板处理装置的零件的组装系统及基板处理装置的零件的组装方法_东京毅力科创株式会社_202480054646.X
    在所公开的基板处理装置的零件的组装系统中，机器人将零件搬送到基板处理装置内的指定位置。图像传感器获取半导体制造装置的基板支承部的上表面及零件的图像。测定部通过根据该图像求出零件内的至少两个测定点各点与基板支承部的上表面内的至少两个基准点各点...
    2026-04-04
  • 蚀刻方法和等离子体处理装置
    蚀刻方法和等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202480055314.3
    本发明提供能够提高选择比的蚀刻技术。本发明的蚀刻方法是在包括腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法，其包括：步骤(a)，在配置在腔室内的基片支承部上准备基片，基片包括包含硅和氮的第一膜、以及包含硅和氧的第二膜；步骤(b)，向腔室内供给包括含...
    2026-04-04
  • 具有金属键合界面的半导体结构及其制造方法
    具有金属键合界面的半导体结构及其制造方法_凌北卿_202380101011.6
    本公开涉及半导体结构、存储器件及其制造方法。该方法包括提供第一结构，该第一结构包括第一衬底和位于第一衬底上方的布线层。该方法包括提供第二结构，该第二结构包括第二衬底。该方法包括在第一结构上形成第一金属键合层，和在第二衬底的第一表面上形成第二...
    2026-04-04
  • 基板处理方法、基板处理装置以及处理液
    基板处理方法、基板处理装置以及处理液_株式会社斯库林集团_202480053432.0
    本发明涉及一种基板处理方法、基板处理装置以及处理液。基板处理方法具有处理液供给工序、固化膜形成工序以及升华工序。在处理液供给工序中，处理液被供给至基板。处理液包含升华性物质以及溶剂。在固化膜形成工序中，溶剂从基板上的处理液中蒸发。在固化膜形...
    2026-04-04
  • 过滤器清洗方法
    过滤器清洗方法_胜高股份有限公司_202480055484.1
    提供一种能够有效地减少从未使用的过滤器产生的微粒的过滤器清洗方法。过滤器清洗方法具有：第1清洗工序，用作为第1清洗液的臭氧水对氟树脂制的过滤器进行清洗处理；以及第2清洗工序，用作为第2清洗液的含酸液或含碱液对前述第1清洗工序后的前述过滤器进...
    2026-04-04
  • 保护胶带、半导体芯片的制造方法
    保护胶带、半导体芯片的制造方法_古河电气工业株式会社_202480055620.7
    提供一种保护胶带，具有基材和粘合剂层，粘贴在被粘物以及支承被粘物的环形框上使用，该保护胶带难以从环形框剥离，在使粘合剂层的粘合力降低之后，容易拉伸，凹凸追随性也优异，粘合剂难以残留在被粘物上。基材(2)具备在粘合剂层(3)侧的面上形成的第一...
    2026-04-04
  • 基板处理方法
    基板处理方法_株式会社斯库林集团_202480055371.1
    提供一种可有效地降低基板的图案的崩坏率的技术。基板处理方法包含：保持工序、液供给工序、第1干燥液供给工序、第2干燥液供给工序、及干燥工序。在第1干燥液供给工序中，将具有第1沸点(bp1)、且表面张力较处理液低的第1干燥液供给至基板的第1主面...
    2026-04-04
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