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最新专利技术
  • 导线对齐装置
    导线对齐装置_韩华思路信株式会社_202480052103.4
    提供一种导线对齐装置。根据本发明一个方面的导线对齐装置，可包括：对齐单元，能够将与第一电池片电连接的第一导线的第一部分及与第二电池片电连接的第二导线的第二部分，在所述第二电池片的一表面上进行并排对齐(align)；移动单元，能够将所述对齐单...
    2026-04-02
  • 透明电极、太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统
    透明电极、太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统_株式会社东芝_202480055458.9
    实施方式的透明电极以包含Zn、O及M0所表示的元素的化合物作为主体，M0所表示的元素在包含Zn、O及M0所表示的元素的化合物中在厚度方向上具有疏密的分布地分散。
    2026-04-02
  • 包括结构化保护膜的系统、太阳能制品和方法
    包括结构化保护膜的系统、太阳能制品和方法_3M创新有限公司_202480052821.1
    描述了一种系统，该系统包括：太阳能制品(110)，该太阳能制品包括第一主表面(在日间使用期间面向太阳)和相对的第二主表面。保护膜(150)，该保护膜包括第一主表面(在日间使用期间面向太阳)和相对的第二主表面。太阳能制品(110)的第一主表面...
    2026-04-02
  • 光电器件、阵列以及用于处理光电器件、阵列的方法
    光电器件、阵列以及用于处理光电器件、阵列的方法_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202480054421.4
    本发明涉及光电器件特别是包括基于磷化物材料系统的层堆叠的µLED，所述层堆叠分别包括p掺杂侧和n掺杂侧，其间具有有源层。层堆叠包括暴露至少p掺杂侧和有源层的侧壁的台面结构。n掺杂侧的层在横向方向上延伸超过层堆叠的台面结构的侧壁。介电层覆盖p...
    2026-04-02
  • 双侧蚀刻光生成结构和光电器件
    双侧蚀刻光生成结构和光电器件_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202480054986.2
    本发明涉及光生成结构，该光生成结构包括至少第一导电类型的第一层、第二导电类型的第二层以及第一层与第二层之间的有源区的半导体层堆叠。半导体层堆叠包括发光表面、与发光表面相对的底表面以及从底表面向发光表面的方向延伸的第一侧壁部分。第一侧壁部分包...
    2026-04-02
  • 发光二极管、使用该发光二极管的显示装置及其制造方法
    发光二极管、使用该发光二极管的显示装置及其制造方法_LG电子株式会社_202380101622.0
    本发明可应用于与显示装置相关的技术领域，并且涉及例如微型发光二极管(LED)、使用其的显示装置及其制造方法。本发明可以包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层；有源层，所述有源层位于所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层...
    2026-04-02
  • 显示基板及其制作方法、显示装置
    显示基板及其制作方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001427.5
    一种显示基板及其制作方法、显示装置，显示基板包括：衬底；驱动走线层，设置在所述衬底上，所述驱动走线层包括多个第一导电垫；多个键合结构，设置在所述驱动走线层远离所述衬底的一侧；所述键合结构与所述第一导电垫一一对应连接，所述键合结构包括键合部，...
    2026-04-02
  • 显示装置
    显示装置_三星显示有限公司_202480054293.3
    本发明的一个实施例提供一种显示装置，该显示装置包括：基板，包括显示区域和在显示区域外部的非显示区域；以及多个发光二极管，布置在显示区域中，其中多个发光二极管中的每个具有双多孔层结构，双多孔层结构包括第一多孔层和设置在第一多孔层下方的第二多孔...
    2026-04-02
  • 包括位于钙钛矿光敏层与背电极之间的金属氧化物层且具有n-i-p-n架构的钙钛矿光伏元件
    包括位于钙钛矿光敏层与背电极之间的金属氧化物层且具有n-i-p-n架构的钙钛矿光伏元件_赫里亚泰克有限责任公司_202480055195.1
    本发明涉及钙钛矿光伏元件(100)，该钙钛矿光伏元件包括：透明前电极(2)、背电极(12)和布置在前电极(2)与背电极(12)之间的叠堆(20)，该叠堆具有n‑i‑p‑n架构，其中钙钛矿光敏层(5)作为i层，该叠堆依次包括以下层：a)透明前...
    2026-04-02
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001465.0
    本申请公开了一种显示面板及显示装置。所述显示面板包括基板，发光单元、封装层、黑矩阵层和色阻层。通过设置分布在边缘显示区中的第一色阻单元的厚度，大于或等于分布在主显示区中的第一色阻单元的厚度，可以避免边缘显示区中的色阻单元偏薄导致的四边发亮的...
    2026-04-02
  • 柔性显示器和包括柔性显示器的电子设备
    柔性显示器和包括柔性显示器的电子设备_三星电子株式会社_202480052975.0
    根据一个实施例的电子设备可以包括：第一壳体；第二壳体，该第二壳体被联接为使得相对于所述第一壳体可移动或可旋转；以及柔性显示器，该柔性显示器被容纳在第一壳体和第二壳体中，并且被配置为使得其至少一部分变形。柔性显示器可以包括可变形显示面板和玻璃...
    2026-04-02
  • 包括线栅偏振层的显示装置
    包括线栅偏振层的显示装置_三星显示有限公司_202480053738.6
    根据本文中公开的实施方式，提供包括线栅偏振层的显示装置。显示装置包括：显示层；量子点层，设置在显示层上，并且包括包含量子点和散射体的颜色转换层；以及上部层，设置在量子点层上，并且包括相位延迟层和设置在相位延迟层上的线栅偏振层。
    2026-04-02
  • 用于有机发光器件的材料
    用于有机发光器件的材料_默克专利有限公司_202480054842.7
    本发明涉及用于电子器件中、特别是有机发光器件中的OLED材料，并且涉及含有这些OLED材料的电子器件、特别是有机发光器件。
    2026-04-02
  • 用于有机发光器件的材料
    用于有机发光器件的材料_默克专利有限公司_202480055707.4
    本发明涉及用于电子器件中、特别是有机发光器件中的OLED材料，并且涉及含有这些OLED材料的电子器件、特别是有机发光器件。
    2026-04-02
  • 基于电活性聚合物的器件和制造方法
    基于电活性聚合物的器件和制造方法_辛格尔浮筒系船公司_202480055546.9
    本申请示出了一种基于电活性聚合物EAR的器件(10, 20)，其包括：布置在两个电极层(12, 14)之间的介电层(13, 23)，该介电层(13, 24)由可拉伸材料组成，该两个电极层(12, 14)包含形成可拉伸层的基于碳的导电材料和固...
    2026-04-02
  • 用于电学表征和激光退火的集成电光装置
    用于电学表征和激光退火的集成电光装置_国际商业机器公司_202480053031.5
    一种装置包括光学装置和电学表征装置。光学装置和电学表征装置包括集成配置，以执行激光退火操作，用于调谐量子芯片上的超导隧道结器件的结电阻，并且执行原位电阻测量，以测量量子芯片上的超导隧道结器件的结电阻。
    2026-04-02
  • 同时选择性沉积金属膜和介电膜的方法
    同时选择性沉积金属膜和介电膜的方法_朗姆研究公司_202480052255.4
    提供了用于二元选择性沉积的方法和装置，其用于选择性地在衬底的第一表面上沉积第一材料和在同一衬底的不同的第二表面上沉积第二材料。还提供了在硅氧化物沉积期间减少悬垂的方法。选择性沉积的材料包括含金属材料或介电材料。
    2026-04-02
  • 基片处理系统和基片处理装置
    基片处理系统和基片处理装置_东京毅力科创株式会社_202480055016.4
    本发明的基片处理系统包括：真空输送模块；主接口单元，其具有与上述真空输送模块连接的第一面、位于上述第一面的相反侧的第二面、上表面和下表面；和基片处理模块，上述基片处理模块包括：具有上表面和下表面的可更换中间腔室单元；能够以可拆装的方式与上述...
    2026-04-02
  • 氧化膜的形成条件确定方法、氧化膜的形成方法及晶圆的制造方法
    氧化膜的形成条件确定方法、氧化膜的形成方法及晶圆的制造方法_胜高股份有限公司_202480055121.8
    氧化膜的形成条件确定方法具备：预氧化膜形成工序，使用第1托盘主体在第1晶圆上形成第1氧化膜；相关关系获取工序，获取托盘主体的槽部及接触部中的至少一个构成要件与氧化膜的膜厚分布之间的相关关系；目标膜厚分布获取工序，获取所述氧化膜的目标膜厚分布...
    2026-04-02
  • 用于形成具有减低介电常数和增加密度的低K介电材料的方法
    用于形成具有减低介电常数和增加密度的低K介电材料的方法_应用材料公司_202480053732.9
    示例性半导体处理方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供沉积前驱物。所述沉积前驱物可以包括含硅氧和碳的前驱物。可以将基板设置在所述处理区域内。所述方法可以包括形成沉积前驱物的等离子体流出物。所述方法可以包括在基板上沉积含硅氧和碳的材料的层...
    2026-04-02
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