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显示面板和包括显示面板的电子设备
本发明的一个实施方式公开了显示面板,显示面板包括:衬底,在衬底中限定有透射区域、围绕透射区域的虚设区域、围绕虚设区域的显示区域;驱动电路,设置在显示区域中并且包括晶体管;电压线,设置在显示区域中并且电连接到驱动电路;绝缘层,在电压线上;第一...
包括空穴注入层的有机电子器件,其中空穴注入层包括式(I)的化合物和式(III)的化合物
本发明涉及一种有机电子器件,所述有机电子器件包括基底(110)、阳极层(120)、阴极层(190)、至少一个第一发光层(150)和空穴注入层(130),其中空穴注入层包括式(I)的金属络合物和式(III)的化合物,其中空穴注入层布置在阳极层...
用于有机发光装置的有机材料层的组合物、包括组合物的有机发光装置以及用于制造有机发光装置的方法
本说明书涉及用于有机发光装置的有机材料层的组合物、包括组合物的有机发光装置以及用于制造有机发光装置的方法。
用于制备Nb3Sn超导线材的半成品线材的子元件
本发明涉及用于制备Nb3Sn超导线材(32)的半成品线材(34)的子元件(1),其中,所述子元件(1)包括:‑含Sn的芯部区域(2);‑含Cu的内部基质区域(3),其包围含Sn的芯部区域(2);‑束区域(4),其包括多个相互贴靠的含Nb的棒...
金属氧化物的气相热蚀刻
所公开和要求保护的主题涉及用于蚀刻金属氧化物膜的气相方法,其不需要使用等离子体或腐蚀性卤化气体,所述方法包括(1)用于选择性去除如Mo或W金属顶部上的含氧化金属材料的薄层的过程,和(2)用于进行包括ZrO2、HfO2、(Hf‑Zr)O2合金...
基板处理方法和基板处理系统
一种基板处理方法,用于对基板进行处理,所述基板处理方法包括以下处理:对基板的表面进行磨削;以及对磨削后的基板的表面进行蚀刻,在所述基板处理方法中,对多个基板的表面进行磨削及蚀刻,在预想到第一基板的磨削后的表面形状与继所述第一基板之后的第二基...
半导体晶片提供方法及半导体晶片提供系统
利用第一实体进行的半导体晶片提供方法具有:获得步骤,从第二实体获得残余晶片;加工步骤,对残余晶片的切片面进行加工;生长步骤,在残余晶片的经加工的面上使半导体结晶层生长;以及晶片提供步骤,将具有在残余晶片的经加工的面上生长的半导体结晶层的至少...
可伸缩晶圆键合机
披露了可伸缩半导体卡盘。这种半导体卡盘可以包括第一部分,该第一部分包括多个第一联接器,该多个第一联接器被配置为接纳对应的多个致动器。这种半导体卡盘可以包括环绕该第一部分的第二部分,该第二部分包括多个分段。每个分段可以包括用于选择性地将相应的...
多件式狭缝阀闸
公开了一种狭缝阀闸。狭缝阀闸包括基部部分,基部部分配置为耦接到狭缝阀致动器并且包括第一成角度的对准特征。狭缝阀闸进一步包括密封部分,密封部分与基部部分耦接。密封部分经配置为在狭缝阀闸和狭缝阀开口的密封表面之间建立气密密封。狭缝阀闸进一步包括...
模块保持器
提供一种模块保持器,其可旋转地附接到冲洗模块。所述模块保持器包含一或多个接合特征,所述一或多个接合特征经配置以插入穿过设置在衬底容器中的开口,且当在插入穿过所述开口之后旋转时接合突片。所述模块保持器可相对于所述冲洗模块旋转,使得可在不影响所...
基板处理装置和基板处理系统
一种对基板进行处理的基板处理装置,具备处理腔室和配置在所述处理腔室内且在上面具有支撑托盘的托盘支撑面的支撑部件,所述托盘在其上面形成有收纳所述基板的凹部,所述支撑部件包括在所述支撑部件的上部使所述托盘升降的升降销,在所述支撑部件形成有所述升...
多区段陶瓷加热器
本发明提供一种能够抑制破损且能够实现良好的均热性的多区段陶瓷加热器。该陶瓷加热器具备:陶瓷板,其包括内侧区段及外侧区段;内侧区段加热器电路,其植入于内侧区段;外侧区段加热器电路,其以与内侧区段加热器电路不同的深度位置植入于外侧区段;1对第一...
静电吸盘和静电吸盘的制造方法
本发明提供能够减少在静电吸盘所保持的基片的背面产生的伤痕的技术。静电吸盘用于保持基片,静电吸盘包括电介质和配置在电介质的内部的电极,电介质包括:上表面;和从上表面向上方突出的、构成为支承基片的多个突起部,突起部包括晶质的基部和配置在基部上的...
用于可编程三维半导体电力输送网络的设备、系统和方法
所公开的半导体器件包括:(1)硅堆叠,该硅堆叠包括正面后端工艺(BEOL)堆叠和背面BEOL堆叠,该正面BEOL堆叠包括多个信号路线,并且该背面BEOL堆叠包括多个电力输送路线;和(2)多个辅助电力路径,该多个辅助电力路径形成在正面BEOL...
电子部件及电子部件的制造方法
本发明的电子部件具备基板,所述基板上设置有电路部件、与将所述电路部件与外部屏蔽开的屏蔽件的导电性成分导电连接的导体、以及与所述导电性成分和所述导体这两者接触的导电性构件,并且,所述导电性构件与所述导电性成分合金化。
采用核心层和相邻绝缘层的其中嵌入式金属结构从核心层定位的用于集成电路(IC)封装件的基板
一种基板包括核心层和一个或多个金属化层。核心层向基板提供稳定化以减少或避免翘曲。核心层可以包括编织在整个核心中的玻璃材料,以提供稳定化并避免翘曲。与基板中的核心层相邻的金属化层包括绝缘层和从核心层定位的嵌入式金属结构。绝缘层的厚度大于嵌入式...
包括其中嵌入无源电子组件的衬底的设备
一种设备包括芯层,该芯层包括上芯电介质层、下芯电介质层、接触该上芯电介质层和该下芯电介质层的中芯电介质层以及嵌入在该中芯电介质层内的无源电子组件。该设备包括上层压叠层,该上层压叠层耦接至该上芯电介质层。该上层压叠层包括上金属层和接触焊盘,该...
用于制造具有间隔保持件的晶圆的方法
本发明涉及一种用于制造具有用于保护晶圆(110)的金属触点(132)的间隔保持件(150)的晶圆(100)的方法,具有下列步骤:提供包括载体基底(140、140')、功能层(120)和布置在所述载体基底(140、140')与功能层(120)...
半导体装置的制造方法以及半导体装置
本发明的半导体装置的制造方法具备第一工序、第二工序、第三工序以及第四工序。在所述第三工序中,使焊盘部从密封树脂的底面露出。在所述第三工序中,使从所述底面至第一支承部的第二面的所述密封树脂的第一方向的尺寸小于从所述密封树脂的顶面至所述第一支承...
层叠体及层叠体的制造方法
一种层叠体及层叠体的制造方法,该层叠体具备:密封层,其包括密封材料和具有电路的部件;再配线层A,其与密封层的一个面接触且与部件的电路连接;及再配线层B,其与密封层的另一个面接触且与部件的电路不直接连接,再配线层A及再配线层B形成为能够与其他...
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工程元件,部件;绝热;紧固件装置的制造及其应用技术
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