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最新专利技术
  • 电磁波屏蔽材料、电子部件及电子设备
    电磁波屏蔽材料、电子部件及电子设备_富士胶片株式会社_202480048968.3
    本发明提供一种电磁波屏蔽材料、包括该电磁波屏蔽材料的电子部件及电子设备，上述电磁波屏蔽材料具有包含磁性粒子的磁性层，上述磁性层的划痕截面积为0.08μm22以上且1.25μm22以下。
    2026-03-03
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202480001469.9
    本公开内容涉及用于半导体装置中的栅极线结构的方法、装置、系统和技术。示例半导体装置包括半导体结构，半导体结构包括交替的导电层和隔离层的堆叠体。半导体装置还包括沿第一方向延伸穿过堆叠体的沟道结构。沟道结构至少包括沿第一方向具有顶端和底端的第一...
    2026-03-03
  • 具有横向电极构造的超薄相变存储器器件
    具有横向电极构造的超薄相变存储器器件_国际商业机器公司_202480048528.8
    一种相变存储器(PCM)器件(10)包括电绝缘材料(11)及嵌入于电绝缘材料(11)中的PCM单元(12‑16)。PCM单元(12‑16)包括相变材料层(或简称为PCM层)，例如包括锗‑锑‑碲合金的层。PCM层(14)具有顶表面、底表面和连...
    2026-03-03
  • 高电子迁移率晶体管及其制造方法
    高电子迁移率晶体管及其制造方法_露西德微系统私人有限公司_202480040367.8
    一实施例，提供一种HEMT(high electron mobility transistor)，包括：第一漏极端子；栅极端子；第二漏极端子；沟道层，一部分与所述第一漏极端子及所述栅极端子共同形成第一元件，另一部分与所述第二漏极端子及所述栅...
    2026-03-03
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202480048044.3
    提供一种电特性良好的晶体管、通态电流大的晶体管、寄生电容小的晶体管。提供一种微型化的晶体管、能够高集成化的半导体装置、存储装置或显示装置。该半导体装置包括晶体管、第一绝缘层、第一绝缘层上的第二绝缘层、第二绝缘层上的第三绝缘层，晶体管包括第一...
    2026-03-03
  • 半导体器件、用于操作半导体器件的方法以及用于生产半导体器件的方法
    半导体器件、用于操作半导体器件的方法以及用于生产半导体器件的方法_日立能源有限公司_202380100588.5
    根据实施例，半导体器件(100)包括半导体本体(1)，该半导体本体具有第一导电类型的第一类型接触区(11)、第二导电类型的第二类型接触区(12)和第一导电类型的漂移区(14)。半导体器件进一步包括主电极(2)和栅极电极(3)。在漂移区与第二...
    2026-03-03
  • 具有第一掺杂剂扩散区和第二掺杂剂扩散区的半导体器件
    具有第一掺杂剂扩散区和第二掺杂剂扩散区的半导体器件_华为数字能源技术有限公司_202380100622.9
    本发明涉及一种半导体器件(100)，所述半导体器件(100)包括：芯片层(101)；延伸到所述芯片层(101)中的沟槽(111)，其中，所述沟槽(111)包括沟槽底部(111a)和沟槽侧壁(111b)；布置在所述沟槽底部(111a)下方的第...
    2026-03-03
  • 全环绕栅极半导体结构及其制备方法
    全环绕栅极半导体结构及其制备方法_索泰克公司_202480048230.7
    本发明涉及一种半导体结构(SC)，该SC包括支撑体(1a)以及直接设置在支撑体(1a)上的介电层(1b)。至少一个pFET结构直接位于介电层(1b)上，每个pFET结构包括由压缩应变硅锗制成的沟道纳米片的第一堆叠体以及对第一堆叠体的每个沟道...
    2026-03-03
  • 阵列基板、显示面板和显示装置
    阵列基板、显示面板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000390.4
    本公开实施例提供一种阵列基板、显示面板和显示装置。所述阵列基板包括：衬底；多个端子，位于所述衬底一侧的所述绑定区；第一公共走线，位于所述衬底的一侧，所述第一公共走线环绕所述显示区设置，至少包括：位于所述绑定对侧区、且沿第一方向延伸的第一子部...
    2026-03-03
  • 器件在读出矩阵上的集成
    器件在读出矩阵上的集成_原子能和辅助替代能源委员会_202480028441.4
    本发明涉及一种光电子器件，包括：‑至少一个像素，包括：‑由第一材料制成并设置在第一基底的第一面上的吸收层，该吸收层用于将入射辐射转换为电荷；‑用于收集电荷的下电极；‑以及设置在吸收层上的上电极；‑读出电路，其设置在第二基底上并包括专用于像素...
    2026-03-03
  • 摄像元件和电子设备
    摄像元件和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480048085.2
    提供了一种具有更合适构造的光检测装置。本公开的光检测装置包括：第一浮动扩散区域，其对应于第一像素的第一光电二极管；第二浮动扩散区域，其对应于所述第一像素的第二光电二极管；第三浮动扩散区域，其对应于第二像素的第一光电二极管；第四浮动扩散区域，...
    2026-03-03
  • 光检测元件
    光检测元件_索尼半导体解决方案公司_202480048429.X
    为了减小光检测元件的尺寸。光检测元件包括：像素，包括：布置在半导体基板上并构造为通过执行入射光的光电转换生成电荷的光电转换部；构造为保持电荷的第一电荷保持部；构造为将电荷传输到第一电荷保持部的电荷传输部；构造为生成与第一电荷保持部中保持的电...
    2026-03-03
  • 发光装置和电子设备
    发光装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480048802.1
    提供了一种即使不设置玻璃基板作为密封件也能够抑制水分进入的发光装置。该发光装置设置有：多个发光元件；用于密封所述多个发光元件的密封件；以及设置在所述密封件上的第一无机薄膜。所述密封件包括树脂层和第二无机薄膜中的至少一者。所述第一无机薄膜包括...
    2026-03-03
  • 有机光电子元件和显示装置
    有机光电子元件和显示装置_三星SDI株式会社_202480047013.6
    本发明涉及一种有机光电子元件，其包括：彼此面对的阳极和阴极、位于阳极和阴极之间的发光层、位于阳极和发光层之间的空穴传输层以及位于发光层和空穴传输层之间的空穴传输辅助层，其中发光层包含由化学式1表示的第一化合物和由化学式2或由化学式3和化学式...
    2026-03-03
  • 有机光电子二极管和显示装置
    有机光电子二极管和显示装置_三星SDI株式会社_202480048767.3
    公开了一种有机光电子二极管，其包括：彼此面对的阳极和阴极、位于阳极和阴极之间的发光层、位于阳极和发光层之间的空穴传输层和位于发光层和空穴传输层之间的空穴传输辅助层，其中发光层包含由化学式1表示的第一化合物和由化学式2或由化学式3和化学式4的...
    2026-03-03
  • 有机电子器件
    有机电子器件_默克专利有限公司_202480048821.4
    本发明涉及一种有机电子器件，特别是有机发光器件，所述有机电子器件含有有机层，所述有机层又含有作为OLED材料的式(1)的化合物和作为OLED材料的式(2)的化合物，并且本发明涉及含有式(1)和(2)的化合物的混合物或制剂。式(1)的化合物选...
    2026-03-03
  • 热电转换元件及热电转换器件
    热电转换元件及热电转换器件_国立大学法人东京大学_202480048416.2
    热电转换元件1a具备第一片材10、热电转换部30、和第二片材20。第一片材10、热电转换部30及第二片材20在第一片材10的厚度方向上按第一片材10、热电转换部30及第二片材20的顺序被配置。热电转换部30包含磁性体。
    2026-03-03
  • 磁阻随机存取存储器中的自由层
    磁阻随机存取存储器中的自由层_国际商业机器公司_202480048526.9
    本发明的实施例提供了一种磁阻随机存取存储器(MRAM)。该MRAM包括参考层；氧化镁(MgO)的隧道势垒层；以及自由层，其中自由层包括位于隧道势垒层顶部的第一钴铁硼(CoFeB)层；位于第一CoFeB层顶部的间隔层；位于间隔层顶部的第二Co...
    2026-03-03
  • 多层深沟槽电容器
    多层深沟槽电容器_路特斯微系统公司_202480034030.6
    本发明涉及一种在基板上的集成电容器，该集成电容器包括：基板内的至少一个沟槽；多层堆叠，该多层堆叠包括沉积在基板上的至少三个导电层且由电隔离层分隔，并且其中该多层堆叠包括第一组奇数层和第二组偶数层，并且其中该多层堆叠沿基板的多个表面布置在基本...
    2026-03-03
  • 用于制备多材料基材的方法
    用于制备多材料基材的方法_法国原子能源和替代能源委员会_202480048414.3
    一种用于制备基材(100)的方法，该基材(100)包括第一材料和/或由第一材料获得的第二材料的表面层，该表面层设置在第三材料的支撑层(104)上，包括：在包括第一材料的第一基材中进行离子注入；将第一基材附接到临时基材上，使得第一基材的第一部...
    2026-03-03
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