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干燥机
实施方式的干燥机(1)包括:收纳部(3),其收纳干燥对象物;以及微波照射部(6),其对收纳于收纳部(3)的干燥对象物照射微波。另外,干燥机(1)包括吸收从微波照射部(6)照射的微波并将其转换为热的电波吸收体(12)。并且,以收纳部(3)的内...
半导体装置以及通信系统
通过串行通信发送的写入数据(WDT)包括指示减少或增加的符号数据(CHnSG)、指示增益值的增益数据(CHnGAIN)和指示相对变化值的相对值数据(DUTYn)。相对计算器(221)通过根据符号数据,使占空比设定数据(DIMSETn)的当前...
接口电路、驱动器和控制方法
一种接口电路、驱动器和控制方法。接口电路包括:第一数字可寻址照明接口(DALI)接口电路,该第一数字可寻址照明接口接口电路被配置为与第一数据总线和控制器(MCU)连接,向控制器发送第一信号,并且接收来自控制器的反馈信号;和第二DALI接口电...
EUV源容器加热气体传递装置和方法
一种用于生成极紫外(EUV)辐射的系统包括源容器、源激光器和加热气体传递装置(336),源容器具有内部容积,源激光器被配置为生成光,光沿着光轴在入射光方向上进入内部容积,以向目标提供能量,从而引起内部容积内EUV的生成,加热气体传递装置在内...
用于产生热量的设备和方法
一种用于能量电池的电极承载插入件,该插入件包括:主体,该主体具有:近端区域、远端区域和密封区域;以及电极,该电极在主体内从近端区域延伸到远端区域;其中,插入件能插入到能量电池的壳体中,其中,密封区域对壳体中的开口进行密封,主体通过开口从壳体...
包括柔性印刷电路板的电子装置
根据本文公开的实施例,一种电子装置可包括:壳体结构,包括第一壳体和第二壳体;铰链结构,可旋转地连接第一壳体和第二壳体并且被配置为提供至少一个折叠轴,其中,折叠轴用作第一壳体或第二壳体的旋转中心;以及柔性印刷电路板,从第一壳体的内部延伸跨过铰...
电路板和包括该电路板的半导体封装
实施方式的电路板包括:绝缘层,该绝缘层的上表面中具有凹部;焊盘,该焊盘设置在绝缘层的凹部中;以及保护层,该保护层设置在绝缘层上,其中焊盘的侧表面包括与绝缘层接触的第一侧表面和与保护层接触的第二侧表面,并且第一侧表面在竖直方向上的第一长度与第...
包括柔性电路板的电子装置
根据本发明的各种实施例的一种电子装置可包括:框架,包括至少一个天线,并且包括金属材料和聚合物材料;前板,被结合到框架;后板,在与前板相反的方向上被结合到框架;至少一个电子组件,至少部分地被设置在由框架、前板和后板限定的内部空间中;印刷电路板...
电路板及电子控制装置
电路板具备:基板主体、第一电子部件、接触防止部件以及带盖电子部件,第一电子部件及接触防止部件的从安装面的突出高度设定为比带盖电子部件的突出高度高。带盖电子部件的第一电子部件侧的第一上端部收纳在由从第一电子部件的上端部连结接触防止部件的安装面...
包括金属壳体的电子装置及其制造方法
根据本公开的一个实施例的电子装置可包括:显示器;以及壳体,所述显示器安置在所述壳体中。所述壳体可包括至少部分地暴露于所述电子装置的外部的第一金属部件、被所述第一金属部件围绕的第二金属部件以及注塑成型部分。所述第一金属部件包括形成为穿过所述第...
电气/电子零件及电气/电子零件的制造方法
本发明是电气/电子零件,具备:具有以第一方向为法线方向的安装面的基板和安装于安装面的位置检测装置,位置检测装置具:第一主体部,具有通过焊料固定于在安装面设置的焊盘的第一固定部;第二主体部,能够对于第一主体部相对位移,且能够固定检测对象部件;...
电子设备的散热装置
本发明涉及一种电子设备的散热装置,所述散热装置包括:散热壳体,具有前方开口的内部空间;多种发热体,在对应于所述散热壳体的内部空间的内侧面布置于上下方向上的多个区域;以及多个散热器翅片,在所述散热壳体的背面部沿上下垂直方向细长地布置,并且沿左...
电磁噪声抑制片及其制造方法、以及使用该电磁噪声抑制片的电缆
本申请的电磁噪声抑制片具备基材和磁性层,所述磁性层包含磁性材料和粘合剂,所述粘合剂包含玻璃化转变温度为‑50℃~0℃的非晶性树脂(A)和玻璃化转变温度为10℃以上的非晶性树脂(B)。上述非晶性树脂(A)优选为玻璃化转变温度为‑50℃~0℃的...
电磁波吸收片及其制造方法
本申请的电磁波吸收片具备基材和磁性层,所述磁性层包含磁性材料和粘合剂,所述磁性材料包含扁平状的羰基铁,在所述磁性层的粉末X射线衍射中检测出的α铁的(200)面的峰的半值宽度为0.15以上且小于0.40。另外,本申请的电磁波吸收片的制造方法具...
半导体装置及其制造方法
难以稳定地制造通过在源极电极和漏极电极的下方设置AlN隔离层而降低接入电阻的同时使AlN隔离层不存在于栅极电极的正下方而降低了栅极漏电流的以往的GaN系HEMT。本公开所涉及的形成有GaN系HEMT的半导体装置的制造方法具备:在外延晶片(1...
半导体器件及其制造方法
提供了半导体器件及其制造方法。提供了一种半导体器件,其包括垂直晶体管(242)以及与所述垂直晶体管相应耦接的存储单元(244)。所述垂直晶体管包括半导体层(252)和栅极结构(256, 248)。所述半导体层包括沿垂直方向延伸的垂直部分(2...
半导体装置
提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管、电容器以及第二晶体管。第一晶体管包括具有沟道形成区域的硅层。电容器包括第一电极及第二电极。第二晶体管包括具有沟道形成区域的氧化物半导体层。第一电极与第一晶体管的第一栅电极电连接。...
半导体装置及半导体装置的制造方法
提供一种微型尺寸的晶体管。提供一种常关闭的晶体管。半导体装置包括氧化物半导体层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、第一绝缘层及第二绝缘层,第一绝缘层位于第一导电层上,第二导电层位于第一绝缘层上,氧化物半导体层与第一导电层的顶面、第二导电层...
半导体装置
提供一种占有面积小的半导体装置。半导体装置包括晶体管、第一绝缘层以及第一导电层。晶体管包括金属氧化物层、栅极绝缘层以及栅电极。第一绝缘层具有到达第一导电层的第一开口部。金属氧化物层包括与第一导电层的顶面接触的第一区域、与第一绝缘层的侧面接触...
用于半导体器件的功率晶体管
一种用于半导体器件的功率晶体管(1),该用于半导体器件的功率晶体管包括:支撑层(2),该支撑层由碳化硅制成并具有下表面(21):至少一个外延层(3),该至少一个外延层生长在该支撑层(2)的顶部,并且具有沿着第一方向(X‑X)与该下表面(21...
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