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最新专利技术
  • 连续环形真空镀膜系统及镀膜方法
    连续环形真空镀膜系统及镀膜方法_宁波锦辉光学科技股份有限公司_202610018299.6
    本发明公开了一种连续环形真空镀膜系统及镀膜方法，属于真空镀膜技术领域。该系统包括呈闭环回路布局的产线主体和传输机构，工艺通道内依次相邻布置化学气相沉积区、隔离模组和物理气相沉积区。所述隔离模组包括流阻通道、环形差分抽气槽及喷射单元。其中，流...
    2026-04-20
  • 胶带基材表面改性与涂布优化方法与系统
    胶带基材表面改性与涂布优化方法与系统_东莞市欣美电子材料有限公司_202511664648.3
    本发明涉及新一代信息技术领域的胶带基材表面改性与涂布优化方法与系统，包括：从胶带基材表面获取化学组成数据，通过X射线光电子能谱分析表面官能团分布，确定微波激光耦合所需的化学特性参数，得到适配等离子体改性的表面特性数据；从强结合力基材表面获取...
    2026-04-20
  • 工业级规模的石墨烯薄膜超快卷对卷沉积方法
    工业级规模的石墨烯薄膜超快卷对卷沉积方法_电子科技大学_202511726814.8
    本发明提供一种工业级规模的石墨烯薄膜超快卷对卷沉积方法，包括：将CVD设备内部抽为真空状态后充入预处理气体，对作为初始基底的铜箔进行预处理；向CVD设备中充入甲烷和惰性气体的混合气体，将CVD设备的腔室内从真空状态变为1~100 Torr的...
    2026-04-20
  • 一种通氯气实时调控碳硅比的方法及碳化硅涂层
    一种通氯气实时调控碳硅比的方法及碳化硅涂层_铠欣半导体(苏州)有限公司_202511639044.3
    本发明属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种通氯气实时调控碳硅比的方法及碳化硅涂层。该方法在1000~1300℃、5~15kPa的条件下，在通入含硅碳前驱体和氢气的同时，连续通入0.05~2%的氯气，并利用电感耦合等离子体光发射光谱仪(I...
    2026-04-20
  • 一种基于二乙酸二丁基锡前驱体的化学气相沉积制备氧化锡薄膜的方法
    一种基于二乙酸二丁基锡前驱体的化学气相沉积制备氧化锡薄膜的方法_湖北大学_202511709702.1
    本发明提供一种基于二乙酸二丁基锡前驱体的化学气相沉积制备氧化锡薄膜的方法，具体采用二乙酸二丁基锡(DBTAC)作为前驱体，在化学气相沉积反应系统中，以高纯氧气(O₂)作为载气和反应气体，在蓝宝石衬底上生长透明SnO₂外延薄膜。方法包括：(1...
    2026-04-20
  • 抽气装置及半导体加工设备
    抽气装置及半导体加工设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511727778.7
    本发明提供了抽气装置及半导体加工设备。所述抽气装置包括行程开关、旁路及控制器。所述行程开关设于工艺腔室的腔盖处，用于在所述腔盖开启时，获取指示所述腔盖开启的第一信号。所述旁路的一端连接于所述工艺腔室及一热阱之间，而其另一端连接于所述热阱与一...
    2026-04-20
  • 一种可移动的抽气结构、薄膜沉积设备
    一种可移动的抽气结构、薄膜沉积设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511751443.9
    本申请涉及一种可移动的抽气结构、薄膜沉积设备，该抽气结构包括：侧抽气通道，设置在反应腔室的侧部；设置于所述侧抽气通道内的侧抽气环，所述侧抽气环安装在反应腔室的喷淋头下方；底抽气环，安装在底抽气通道的顶部，所述底抽气通道设置在所述反应腔室的底...
    2026-04-20
  • 用于处理腔室的涂覆材料
    用于处理腔室的涂覆材料_应用材料公司_202511409485.4
    本发明涉及用于处理腔室的涂覆材料。本文描述的实施方式涉及控制沉积在大基板上的SiN膜的均匀性的方法。当通过向腔室施加射频(RF)功率来激励所述腔室中的前驱物气体或气体混合物时，流过等离子体的RF电流在电极间间隙中产生驻波效应(SWE)。当基...
    2026-04-20
  • 一种无定形纳米薄膜的晶化方法
    一种无定形纳米薄膜的晶化方法_西安近代化学研究所_202511464655.9
    本发明提供了一种无定形纳米薄膜的晶化方法，该方法首先采用原子层沉积法在反应腔内沉积无定形纳米薄膜，再对无定形纳米薄膜的表面进行高能激光退火处理，将无定形纳米薄膜中的无定形非晶态转变为晶态，制得晶态纳米薄膜。本发明的方法通过在ALD沉积后引入...
    2026-04-20
  • 一种原位激光辅助沉积晶态氧化镓薄膜的制备方法
    一种原位激光辅助沉积晶态氧化镓薄膜的制备方法_西安近代化学研究所_202511464660.X
    本发明提供了一种原位激光辅助沉积晶态氧化镓薄膜的制备方法，该方法包括X个晶态氧化镓薄膜生长周期；每个晶态氧化镓薄膜生长周期包括执行x次氧化镓原子层沉积工艺及y次原位激光退火工艺。氧化镓原子层沉积工艺的反应室温度为300℃。晶态氧化镓薄膜的厚...
    2026-04-20
  • 气体供应系统
    气体供应系统_弗萨姆材料美国有限责任公司_202511541558.5
    本发明的气体供应系统配备有气罐装置，该气罐装置具有将处理气体供应到处理室的气动阀，和通过向所述气动阀供应或停止阀致动气体的流来打开或关闭所述气动阀的电磁阀；和控制电磁阀的致动的气体供应控制装置。另外，所述气体供应控制装置包括主控制器，其在正...
    2026-04-20
  • 沉积设备
    沉积设备_浙江晶盛光子科技有限公司_202511642016.7
    本发明属于电池片生产技术领域，公开了沉积设备，包括腔室和舟组件，腔室内设有反应腔，腔室开设有连通反应腔的炉口，反应腔的顶部设置有进气组件，舟组件能够经炉口进出反应腔，并形成位于进气组件下方的沉积状态，沉积状态下的舟组件和进气组件之间具有间隙...
    2026-04-20
  • 用于处理工件的方法、等离子体设备及半导体工件
    用于处理工件的方法、等离子体设备及半导体工件_北京屹唐半导体科技股份有限公司_202511676884.7
    本公开提供了一种用于处理工件的方法、等离子体设备及半导体工件，涉及半导体设备技术领域。用于处理工件的方法，包括：将待处理的工件放置至反应腔室的托盘上；将工件的表面加热至目标温度；向反应腔室输送气体，将气体激发以形成等离子体，将等离子体输送至...
    2026-04-20
  • 一种BC电池的低温钝化方法及应用
    一种BC电池的低温钝化方法及应用_四川高景太阳能科技有限公司_202511694519.9
    本发明提供了一种BC电池的低温钝化方法及应用，涉及太阳能电池技术领域。具体而言，先在硅基体的表面依次沉积得到La掺杂的Al22O33层、SiO22层、F掺杂的SiNxx层，进而得到负载有三层钝化结构的硅材料；且在所述低温钝化方法中的全部沉积...
    2026-04-20
  • 匀气装置和镀膜装置
    匀气装置和镀膜装置_拉普拉斯新能源科技股份有限公司_202511707305.0
    本申请涉及光伏和半导体技术领域，具体涉及一种匀气装置和镀膜装置，解决了镀膜装置对片状材料的镀膜均匀性较差的问题。该匀气装置包括匀气组件和多个喷淋组件，匀气组件能够设置于镀膜装置的容纳腔，匀气组件具有沿第一方向依次排列的多个匀气部，匀气部能够...
    2026-04-20
  • 一种低压脉冲式供气沉积碳化硅涂层的CVD系统及方法
    一种低压脉冲式供气沉积碳化硅涂层的CVD系统及方法_湖南顶立科技股份有限公司_202511748057.4
    本发明公开了一种低压脉冲式供气沉积碳化硅涂层的CVD系统及方法。所述系统包括炉体、分气盘、供气回路、气氛切换模块、真空缓冲腔和控制单元，该系统利用真空缓冲腔控制炉体的炉腔压力维持在50‑200Pa的低压环境，并通过控制系统控制前驱体供气和惰...
    2026-04-20
  • 半导体工艺设备的挡板结构和半导体工艺设备
    半导体工艺设备的挡板结构和半导体工艺设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511967830.6
    本申请提供了一种半导体工艺设备的挡板结构和半导体工艺设备，涉及半导体技术领域。其中挡板结构包括：包括挡板，所述挡板设有第一通道和第二通道，所述第一通道用于传输清洁气体，所述第二通道用于传输工艺气体；所述第一通道内设置有扰流组件，所述扰流组件...
    2026-04-20
  • 原子层沉积设备
    原子层沉积设备_深圳市原速光电科技有限公司_202610008542.6
    本发明公开了一种原子层沉积设备，包括反应室、反应模块与加热模块，反应室的两端分别设有进口与出口，加热模块位于反应室内，并设置于反应模块朝向进口的一端以及反应模块朝向出口的一端。加热模块能够释放热量，反应室靠近进口与出口的区域被加热模块加热，...
    2026-04-20
  • 一种硅片成膜用托盘装置及成膜方法
    一种硅片成膜用托盘装置及成膜方法_中国机械总院集团北京机电研究所有限公司_202511551447.2
    一种硅片成膜用托盘装置及成膜方法，包括：一个或多个碳纤维板，碳纤维板用于承载硅片，碳纤维板的外形尺寸和数量对应镀膜面积；载具，载具的上表面用于承载碳纤维板，载具对应一个或多个碳纤维板设置，其上设置有一个或多个通孔，通孔位于托盘的下方位置，与...
    2026-04-20
  • 一种用于气相沉积炉的工件支撑点切换装置
    一种用于气相沉积炉的工件支撑点切换装置_昊石新材料科技南通有限公司_202511608517.3
    本申请涉及一种用于气相沉积炉的工件支撑点切换装置，涉及气相沉积技术领域；该用于气相沉积炉的工件支撑点切换装置包括底座，所述底座用于设置于气相沉积炉内，所述底座上还设置有支撑机构，所述支撑机构包括支撑架、切换架与升降组件，所述支撑架与切换架上...
    2026-04-20
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