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最新专利技术
  • 一种自清洁的蒸发源系统以及连续制备大面积薄膜的方法
    一种自清洁的蒸发源系统以及连续制备大面积薄膜的方法_杭州纤纳光电科技股份有限公司_202411053659.3
    本发明涉及一种自清洁的蒸发源系统以及连续制备大面积薄膜的方法，自清洁的蒸发源系统包括材料蒸发装置、蒸气传输装置、自清洁装置、蒸气扩散装置、载气供给装置和真空镀膜装置。自清洁装置分别设置在材料蒸发装置和真空镀膜装置上，蒸气扩散装置设置在真空镀...
    2026-03-25
  • 一种泄漏自检型真空蒸镀机
    一种泄漏自检型真空蒸镀机_苏州佑伦真空设备科技有限公司_202610002773.6
    本发明涉及真空蒸镀技术领域，具体为一种泄漏自检型真空蒸镀机，包括蒸镀机壳体以及贯穿安装在其顶部的载具旋转机构，且蒸镀机壳体的底面内部安装有蒸镀组件，所述蒸镀机壳体的后侧固定有抽真空腔室，且抽真空腔室的后侧上方通过抽真空管连接有初抽真空机构，...
    2026-03-25
  • 一种矫正陶瓷片翘曲的镀膜工装及电极制备方法
    一种矫正陶瓷片翘曲的镀膜工装及电极制备方法_中国人民解放军国防科技大学_202610003670.1
    本发明属于镀膜设备领域，具体涉及到一种矫正陶瓷片翘曲的镀膜工装及电极制备方法。其中矫正陶瓷片翘曲的镀膜工装包括磁铁安装盘、第一托盘、第二托盘和掩膜板转移板；所述磁铁安装盘能够选择性地放置于所述第一托盘或第二托盘的背面，以将掩模版吸附于基础容...
    2026-03-25
  • 一种电子束蒸镀装置及方法
    一种电子束蒸镀装置及方法_中国印钞造币集团有限公司_202511657195.1
    本发明公开了一种电子束蒸镀装置及方法，该装置包括：蒸发源、放置蒸发源的坩埚、电子枪、动态挡板、安装动态挡板的挡板支架和成分监测系统；所述蒸发源包括至少两种不同的镀料，不同的镀料分区置于坩埚中；所述动态挡板悬空于坩埚上方；所述挡板支架用于根据...
    2026-03-25
  • 一种用于双联导向器叶片真空电弧镀的工装以及加工方法
    一种用于双联导向器叶片真空电弧镀的工装以及加工方法_国营川西机器厂_202511573201.5
    一种用于双联导向器叶片真空电弧镀的工装，涉及发动机涡轮加工技术领域，其包括叶片下缘板保护壳体和叶片上缘板保护壳体，叶片上缘板保护壳体包括相对设置的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁位于双联导向器叶片构件的叶盆侧，第一侧壁设置有叶盆侧挡条，叶盆侧挡...
    2026-03-25
  • 一种双周期梯度结构涂层刀具、制备方法及用途
    一种双周期梯度结构涂层刀具、制备方法及用途_台州市锐安硬质合金工具有限公司_202511597337.X
    本发明提供了一种双周期梯度结构涂层刀具、制备方法及用途，属于涂层刀具技术领域。它解决了现有涂层刀具性能综合稳定性差的问题。本双周期梯度结构涂层刀具，涂层刀具由基体和沉积于基体表面的双周期梯度结构涂层构成，双周期梯度结构涂层由复合涂层Ci依次...
    2026-03-25
  • 一种用于剃须刀片表面的复合涂层及其制备方法
    一种用于剃须刀片表面的复合涂层及其制备方法_陕西埃恩束能碳基技术有限公司_202511673818.4
    本发明公开了一种用于剃须刀片表面的复合涂层及其制备方法，属于面处理技术领域。本发明公开的制备方法，包括以下步骤：对刀片基体表面进行预处理，得到预处理后的基体；在预处理后的基体表面沉积CrN过渡层；随后在CrN过渡层表面沉积C层，得到Cr(C...
    2026-03-25
  • 一种钇掺杂的铜镓氧化物溅射靶材及其制备方法与应用
    一种钇掺杂的铜镓氧化物溅射靶材及其制备方法与应用_中山智隆新材料科技有限公司_202511532438.9
    本发明公开了一种钇掺杂的铜镓氧化物溅射靶材及其制备方法与应用。涉及半导体靶材领域。一种钇掺杂的铜镓氧化物溅射靶材，上述靶材包括铜、镓和钇的氧化物，其中以铜、镓和钇的总原子数为100%计，铜的原子百分比为50%‑55%，镓的原子百分比为44%...
    2026-03-25
  • 钙间隙位置掺杂氧化铪基铁电薄膜及制备方法
    钙间隙位置掺杂氧化铪基铁电薄膜及制备方法_北京科技大学_202511545767.7
    本发明实施例公开了钙间隙位置掺杂氧化铪基铁电薄膜及制备方法；方法包括：靶材制备：氧化铪、氧化钙按照设定比例混合、研磨得到混合原料粉；混合原料粉进行第一次煅烧；第一次煅烧后的混合原料粉进行研磨、压制成型为靶材素坯；靶材素坯进行第二次煅烧，得到...
    2026-03-25
  • 一种高熵氮化物抗冲蚀涂层的制备方法
    一种高熵氮化物抗冲蚀涂层的制备方法_中国科学院力学研究所_202511464241.6
    本发明提供了一种高熵氮化物抗冲蚀涂层的制备方法, 其包括：(1)对试样依次进行抛光、清洗及烘干后置于真空的镀膜室内，通入氩气Ar并调整其流量，进行试样表面的离子轰击清洗；(2)获取通入氩气Ar后的等离子体的光学发射强度以及通入氮气N22后的...
    2026-03-25
  • 一种TiNbCrZr高熵薄膜及其制备方法和应用
    一种TiNbCrZr高熵薄膜及其制备方法和应用_荆楚理工学院_202511466606.9
    本发明提供一种TiNbCrZr高熵薄膜及其制备方法和应用，上述制备方法采用高功率脉冲磁控溅射技术通过特定质量比且纯度≥99.9%的Ti块材、Nb块材、Cr块材、Zr块材周期排列组成复合靶材，并搭配50~70mm靶基距、0.3~0.5Pa工作...
    2026-03-25
  • 一种工艺设备和镀膜装置
    一种工艺设备和镀膜装置_浙江晶盛光子科技有限公司_202511496959.3
    本发明涉及一种工艺设备和镀膜装置。工艺设备，用于对产品镀膜，所述工艺设备设有上下布置的两个腔室，所述工艺设备还包括镀膜组件，每一所述腔室均设有第一开口，两所述腔室中均设置有至少部分所述镀膜组件，使两所述腔室均可对经所述第一开口进入所述腔室的...
    2026-03-25
  • 一种基于线圈感应耦合辅助的溅射系统
    一种基于线圈感应耦合辅助的溅射系统_安徽越好电子装备有限公司_202610004703.4
    本发明属于半导体封装技术领域，具体涉及一种基于线圈感应耦合辅助的溅射系统。溅射系统，包括真空室、设置于真空室内的基板，真空室内的基板上设置有四个倾斜环绕式平面磁控靶，以及二个设置于真空室的腔体中心轴线处的圆柱磁控靶，且真空室的腔体内设置有四...
    2026-03-25
  • 一种ION激光离子源辅助的磁控溅射镀膜系统及工艺
    一种ION激光离子源辅助的磁控溅射镀膜系统及工艺_安徽越好电子装备有限公司_202610004704.9
    本发明属于TGV玻璃深孔镀膜技术领域，具体涉及一种ION激光离子源辅助的磁控溅射镀膜系统及工艺。所述系统包括真空室、设置于真空室内的基板，其特征在于，还包括分布于基板上的一个中心垂直靶与三个偏心动态倾角靶，中心垂直靶垂直设置于基板中心位置，...
    2026-03-25
  • 一种真空镀膜装置和镀膜均匀性修正方法
    一种真空镀膜装置和镀膜均匀性修正方法_光驰科技(上海)有限公司_202411119769.5
    本发明公开了一种真空镀膜装置和镀膜均匀性修正方法。该真空镀膜装置包括真空室、第一靶材组、第二靶材组和基座；第一靶材组和第二靶材组设置在真空室内；基座绕第一轴线转动设置于真空室内，第一靶材组和第二靶材组分设于第一轴线的两侧；工件绕第二轴线转动...
    2026-03-25
  • 金属蒸镀自动悬架
    金属蒸镀自动悬架_桂林雷光科技有限公司_202511601370.5
    本发明涉及金属蒸镀技术领域，具体涉及一种金属蒸镀自动悬架，包括蒸镀仓、基板、蒸镀悬架和蒸镀组件；蒸镀组件包括冷却悬架仓、两个夹持板和两个移动机构，将多个基板一次性安放在蒸镀悬架的内部，启动蒸镀仓进行金属蒸镀；待到基板上形成薄膜后，最下方的基...
    2026-03-25
  • 承载装置及磁控溅射镀膜设备
    承载装置及磁控溅射镀膜设备_深圳市捷佳芯创科技有限责任公司_202511957558.3
    本发明公开了一种承载装置及磁控溅射镀膜设备，承载装置包括托架以及工件架，其中，托架设有承载部和第一导向环，承载部的中部设有避让空间，第一导向环设置于避让空间的周部，第一导向环的中心轴线与避让空间的中心轴线重叠；工件架的底部设有第二导向环，第...
    2026-03-25
  • 一种磁控溅射镀膜装置
    一种磁控溅射镀膜装置_光驰科技(上海)有限公司_202411119773.1
    本发明公开了一种磁控溅射镀膜装置。该磁控溅射镀膜装置包括靶材组和第一调节模块；所述靶材组的数量为至少两组，每组所述靶材组包括两个互为对靶的靶材；每组的两个所述靶材中的一个位于工件组件的一侧，且每组的两个所述靶材中的另一个位于所述工件组件的另...
    2026-03-25
  • 沉积速率控制方法、设备、存储介质及程序产品
    沉积速率控制方法、设备、存储介质及程序产品_上海升翕光电科技有限公司_202610007942.5
    本申请实施例提供一种沉积速率控制方法、设备、存储介质及程序产品。属于半导体器件技术领域。该方法包括：周期性获取沉积速率，所述沉积速率与数据采集时刻对应；根据所述数据采集时刻对应的沉积速率，确定所述数据采集时刻对应的沉积速率变化率；根据所述数...
    2026-03-25
  • 一种高均匀性的氧化物半导体沉积方法及其应用
    一种高均匀性的氧化物半导体沉积方法及其应用_北京超弦存储器研究院_202511530485.X
    本发明公开了一种高均匀性的氧化物半导体沉积方法及其应用，属于半导体器件制造技术领域。本发明通过富含氢氧根的溶液对基片表面进行预处理，形成亲水表面，然后利用原子层沉积技术所特有的自限制反应特性，精确控制沉积过程中的工艺参数，依次通入x次Ⅰ型前...
    2026-03-25
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