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最新专利技术
  • 除胶渣处理方法及光处理装置
    除胶渣处理方法及光处理装置_优志旺电机株式会社_202480043321.1
    提供能够有效地进行除胶渣处理的方法。除胶渣处理方法包括：对于具有孔和上述孔中的胶渣的基板，按照基板的水接触角成为40～70度的方式照射真空紫外光；对照射了上述真空紫外光的上述基板供给使上述胶渣溶胀的溶胀液；以及，对使上述胶渣溶胀后的上述基板...
    2026-02-04
  • 防爆通风阀装置
    防爆通风阀装置_曼·胡默尔有限公司_202580003374.5
    一种用于电池组的防爆通风阀(100)，其包括：顶部盖(1)，其包括盖孔(12)；阀体(3)，其可拆卸地安装至所述顶部盖(1)，所述阀体(3)包括第一安装部分(36)和第二安装部分(136)；水不可渗透且气体可渗透的膜(2)，膜(2)设置在所...
    2026-02-04
  • 散热膜、显示模组及显示装置
    散热膜、显示模组及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001068.3
    一种散热膜(10)包括散热组件(11)及缓冲粘结层(12)。散热组件(11)的周边外侧具有多个直边部(111)。散热组件(11)面向显示基板(20)的一侧具有区域(100)。区域(100)在散热组件(11)上的正投影的边界与每个直边部(11...
    2026-02-04
  • 散装供料器
    散装供料器_株式会社富士_202380100040.0
    散装供料器具备：供料器主体；支撑部件，设为能够相对于供料器主体进行振动，支撑以可拆装的方式安设的元件壳体；及加振装置，对元件壳体施加振动，以从设于元件壳体的下部的排出口排出元件。
    2026-02-04
  • 用于减少4F2 DRAM中浮体效应的掺杂分布
    用于减少4F2 DRAM中浮体效应的掺杂分布_应用材料公司_202480027567.X
    本技术包括具有改进浮体效应的垂直单元阵列晶体管(VCAAT)。这些阵列包括沿第一水平方向排列的一个或多个位元线和沿第二水平方向排列的一个或多个字线。阵列包括在与第一方向和第二水平方向大致正交的垂直方向上延伸的一个或多个通道，使得位元线与复数...
    2026-02-04
  • 包含闪存存储器和CMOS逻辑电路系统的集成电路
    包含闪存存储器和CMOS逻辑电路系统的集成电路_德州仪器公司_202380100046.8
    公开了一种包含闪存存储器和CMOS逻辑电路系统的集成电路(IC)(400)和其制造方法。所述IC(400)包括：衬底，其包含第一区(403A/C)和第二区(403B)，其中闪存存储器单元栅极堆叠(485‑1)形成在所述第一区(403A/C)...
    2026-02-04
  • 包括超晶格吸杂层的存储器器件及相关方法
    包括超晶格吸杂层的存储器器件及相关方法_阿托梅拉公司_202480044798.1
    半导体器件可以包括半导体基板以及位于半导体基板上的存储器器件，该存储器器件包括与半导体基板相邻的金属诱导结晶(MIC)沟道，以及与MIC沟道相关联的栅极。该半导体器件还可以包括位于基板与MIC沟道之间的超晶格吸杂层。该超晶格吸杂层可以包括多...
    2026-02-04
  • 非对称的竖直薄膜晶体管选择器
    非对称的竖直薄膜晶体管选择器_美光科技公司_202480044921.X
    提供用于非对称的竖直薄膜晶体管选择器的系统、方法及设备。一种设备包含：第一及第二源极/漏极区，其形成在衬底上；沟道，其分离所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区；及栅极，其通过栅极介电材料与所述沟道分离。所述第一源极/漏极区、所述第二源...
    2026-02-04
  • 芯片封装结构及电子设备
    芯片封装结构及电子设备_荣耀终端股份有限公司_202380099545.X
    本申请公开了一种芯片封装结构及电子设备，该芯片封装结构包括主基板、第一芯片、过渡基板以及第二芯片。其中，第一芯片设置于主基板的一侧，过渡基板设置于第一芯片远离主基板的一侧，第二芯片设置于过渡基板远离第一芯片的一侧。本申请提供的芯片封装结构，...
    2026-02-04
  • 与接触垫结构集成的电容器结构
    与接触垫结构集成的电容器结构_BAE系统信息和电子系统集成有限公司_202480041439.0
    描述了一种集成电容器结构。在一个示例中，互连结构包含第一导电材料层及第二导电材料层。该第一层包含第一水平部及第一垂直部，该第一水平部具有第一开口且沿第一水平平面延伸。该第二层包含第二水平部及第二垂直部，该第二水平部具有第二开口且沿第二水平平...
    2026-02-04
  • 半导体装置
    半导体装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480043702.X
    本发明抑制在IGBT的关断时在通过有源区域的内部的配线区域的近旁发生破坏。半导体装置(1)具备通过具有IGBT的有源区域(2)的内部的配线区域(4)，配线区域(4)具有第一导电型的漂移层(11)、设于比漂移层(11)靠背面侧的第二导电型的集...
    2026-02-04
  • 半导体器件、半导体模块和无线通信装置
    半导体器件、半导体模块和无线通信装置_索尼集团公司_202480044793.9
    按照本公开的一个实施例的半导体器件包括：衬底；沟道层，所述沟道层包括设置在所述衬底的一个表面上的第一氮化物半导体；势垒层，所述势垒层包括设置在所述沟道层的与所述衬底相对的表面上的第二氮化物半导体；第一半导体层，所述第一半导体层部分埋入所述沟...
    2026-02-04
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202480043836.1
    提出在温度上升时耐压难以降低的半导体元件。一种半导体装置，具有：在外周区域内与元件p型层相接的外周p型层；外周n型层，与外周p型层隔开间隔地配置于比所述外周p型层靠外周侧的位置；耐压p型层，配置于位于所述外周p型层与所述外周n型层之间的包含...
    2026-02-04
  • 半导体装置
    半导体装置_富士电机株式会社_202480044319.6
    半导体装置(70)在第一导电型的半导体基板(1)上具备有源区(50)和终端区(60)。在有源区(50)具有第一导电型的第一半导体层(2)和第二导电型的第二半导体区(4a、6)。在终端区(60)具有：第一半导体层(2)；第二导电型的第一半导体...
    2026-02-04
  • 电路基板以及具备该电路基板的显示装置
    电路基板以及具备该电路基板的显示装置_夏普显示科技株式会社_202380100136.7
    在有机EL显示装置(1)中，覆盖第一TFT(50A)的第一栅极(24)的层叠体(36p)由两种无机绝缘膜层叠而成。在层叠体的内部构成有第二TFT(50B)。在由覆盖第一TFT的第一半导体层(22)的第一栅极绝缘膜(23)和层叠体构成的层叠绝...
    2026-02-04
  • 晶体管结构、栅极驱动电路和显示面板
    晶体管结构、栅极驱动电路和显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202480001018.5
    本公开提供一种晶体管结构、栅极驱动电路和显示面板。所述晶体管结构中的晶体管组包括：至少两个控制部，至少两个第一电极部，以及至少两个第二电极部；第二电极部和第一电极部沿沟道长度方向交替排列，相邻的第二电极部在衬底基板上的正投影和第一电极部在衬...
    2026-02-04
  • 半导体装置、显示装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置、显示装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480044815.1
    提供一种包括微型晶体管且集成度高的半导体装置。半导体装置包括两个垂直晶体管及绝缘层。绝缘层中设置有使用曝光装置形成的线状开口部，以开口部的相对的侧壁为沟道长度方向的两个垂直晶体管相对。两个垂直晶体管共同使用源电极和漏电极中的一个，并且其上不...
    2026-02-04
  • 具有含侧向突起的栅极电极结构的竖直半导体器件和用于制造半导体器件的方法
    具有含侧向突起的栅极电极结构的竖直半导体器件和用于制造半导体器件的方法_日立能源有限公司_202480042840.6
    公开了半导体器件和用于制造半导体器件的方法。根据实施例，半导体器件(100)包括半导体本体(1)，该半导体本体具有第一导电类型的至少一个接触区(11)、第二导电类型的基极区(12)、以及第一导电类型的漂移区(14)。半导体器件进一步包括主电...
    2026-02-04
  • 半导体基板以及电力转换装置
    半导体基板以及电力转换装置_安斯泰莫株式会社_202380100027.5
    第一导体层具有一对第一开关部连接部位，该一对第一开关部连接部位沿着绝缘基板的一侧的面在与基准轴线正交的方向即正交方向上配置为将第三导体层夹在彼此之间，第三导体层具有一对第二开关部连接部位和焊盘形成部位，所述一对第二开关部连接部位在正交方向上...
    2026-02-04
  • 嵌入具有双侧连接性的玻璃层中的管芯
    嵌入具有双侧连接性的玻璃层中的管芯_英特尔公司_202480042785.0
    一种IC管芯封装包括：在玻璃层的第一表面上的第一IC管芯和第二IC管芯、在玻璃层中的开口内的位于第一IC管芯和第二IC管芯下方的桥接、以及在玻璃层的与第一侧相对的第二表面上的第一封装导电特征和第二封装导电特征。包括焊料的第一互连将桥接与第一...
    2026-02-04
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