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最新专利技术
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511514901.7
    器件包括：衬底；半导体沟道，位于衬底上方；以及栅极结构，位于半导体沟道上方并且横向围绕半导体沟道。栅极结构包括：第一介电层，位于半导体沟道上方；第一功函金属层，位于第一介电层上方；第一保护层，位于第一功函金属层上方；第二保护层，位于第一保护...
    2026-02-07
  • 包括顶部纳米带之上的牺牲层的基于纳米带的晶体管制造技术
    包括顶部纳米带之上的牺牲层的基于纳米带的晶体管制造技术_英特尔公司_202511528215.5
    公开了在纳米带堆叠体之上使用牺牲层的基于纳米带的晶体管制造技术，其除了保护顶部纳米带免受由后续处理引起的损坏之外，还可以实现栅极电极材料在顶部纳米带之上的更均匀的沉积。在一个示例中，该技术可以涉及在半导体材料的交替层的堆叠体之上沉积牺牲层(...
    2026-02-07
  • 具有保护层的薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示装置
    具有保护层的薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示装置_乐金显示有限公司_202510890631.3
    本公开内容的实施方式提供了具有保护层的薄膜晶体管和包括薄膜晶体管的显示装置，该薄膜晶体管包括：有源层、有源层上的第一保护层、与有源层和第一保护层间隔开的栅电极，其中，有源层包括：沟道部分，其与栅电极交叠；源极连接部分，其连接至沟道部分的一侧...
    2026-02-07
  • 一种阵列基板、制作方法、显示面板及装置
    一种阵列基板、制作方法、显示面板及装置_上海天马微电子有限公司_202511492312.3
    本申请实施例提供一种阵列基板、制作方法、显示面板及装置。其中，阵列基板包括：衬底、第一薄膜晶体管、电容、刻蚀阻挡结构。第一薄膜晶体管位于衬底的一侧；第一薄膜晶体管包括金属氧化物半导体部；电容与第一薄膜晶体管位于衬底的同一侧；电容包括第一极板...
    2026-02-07
  • 阵列基板和显示面板
    阵列基板和显示面板_广州华星光电半导体显示技术有限公司_202511760065.0
    本申请公开了一种阵列基板和显示面板，属于显示技术领域，阵列基板包括设于像素区的子像素，子像素包括晶体管和像素电极，晶体管包括输出极、输入极以及控制极，输出极与像素电极电连接，输出极包括第一子部，第一子部沿第一方向延伸；输入极与输出极同层设置...
    2026-02-07
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_惠科股份有限公司_202511789523.3
    本申请公开了一种显示面板及显示装置，显示面板包括阵列基板、对设基板和框胶；阵列基板包括：第一衬底；栅极驱动电路层，设置于第一衬底的非显示区；公共电极转接层，设置于第一衬底的非显示区，包括第一凸起部和设置于第一凸起部顶面的第一透明导电层；对设...
    2026-02-07
  • 阵列基板以及显示装置
    阵列基板以及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202411017494.4
    本公开涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板以及显示装置；该阵列基板具有显示区域和非显示区域，该阵列基板包括衬底基板、遮光层、第一缓冲层以及有源层；遮光层设于衬底基板的一侧，遮光层包括第一遮光部，第一遮光部位于显示区域；第一缓冲层设于遮光层背...
    2026-02-07
  • 有机发光显示面板及其制作方法
    有机发光显示面板及其制作方法_武汉华星光电技术有限公司_202511525968.0
    本申请公开了一种有机发光显示面板及其制作方法，包括衬底、薄膜晶体管、第一半导体层，所述薄膜晶体管设于所述衬底上；所述第一半导体层设于所述衬底与薄膜晶体管之间，所述第一半导体层内注入有带电离子，所述带电离子的浓度为~。本申请能够改善显示面板的...
    2026-02-07
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_武汉华星光电技术有限公司_202511536424.4
    本申请公开了一种显示面板及显示装置；显示面板包括多个像素驱动电路和开关控制信号线，像素驱动电路包括开关晶体管以及驱动晶体管，开关晶体管与驱动晶体管均连接于第一节点，开关控制信号线连接于开关晶体管的开关栅极；显示面板还包括基板、第一导电层和第...
    2026-02-07
  • 一种显示面板及显示装置
    一种显示面板及显示装置_厦门天马显示科技有限公司_202511601870.9
    本申请实施例提供一种显示面板及显示装置，显示面板包括显示区和位于显示区一侧的弯折区；显示面板还包括衬底、阵列层及第一凹槽，阵列层包括多个晶体管及多个绝缘层，沿垂直于衬底所在平面的方向，多个绝缘层叠层设置；第一凹槽位于弯折区，沿垂直于衬底所在...
    2026-02-07
  • 集成电路器件及其制造方法
    集成电路器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511408445.8
    集成电路器件包括：沿第一方向延伸的第一有源区结构堆叠件，其包含彼此堆叠的下部有源区结构和上部有源区结构；在所述下部及上部有源区结构上方的上部导电层中延伸的前侧电源轨；在所述下部及上部有源区结构下方的下部导电层中延伸的背侧电源轨；多个垂直电源...
    2026-02-07
  • ESD保护器件及芯片
    ESD保护器件及芯片_无锡华润上华科技有限公司_202410986177.7
    本发明涉及一种ESD保护器件及芯片，所述器件包括：N型漂移区；第一P型掺杂区，位于N型漂移区中；第一N型掺杂区，位于N型漂移区中；肖特基势垒结构，包括肖特基金属层，肖特基金属层与其底部接触的半导体材料形成肖特基势垒；P阱，与N型漂移区连接；...
    2026-02-07
  • 具有ESD保护元件的半导体装置
    具有ESD保护元件的半导体装置_美光科技公司_202511015952.5
    本公开涉及一种具有ESD保护元件的半导体装置。实例设备包含数据端子、经供应有第一电压的第一电源线、经供应有与所述第一电压不同的第二电压的第二电源线、串联耦合在所述第一电源线与所述数据端子之间的第一及第二晶体管、耦合在所述第二电源线与所述数据...
    2026-02-07
  • ESD版图结构
    ESD版图结构_上海壁仞科技股份有限公司_202512000817.X
    本申请涉及一种ESD版图结构，包括堆叠的多个金属层，金属层包括连接于电源端的第一梳状金属线、连接于节点端的第二梳状金属线和连接于接地端的第三梳状金属线；其中，第一梳状金属线的梳齿与第二梳状金属线一侧的梳齿交错排列，第三梳状金属线的梳齿与第二...
    2026-02-07
  • 一种多结太阳能电池及其制备方法
    一种多结太阳能电池及其制备方法_福建慧芯激光科技有限公司_202512021386.5
    本发明公开了一种多结太阳能电池及其制备方法，涉及半导体技术领域，所述多结太阳能电池包括可转移的电池薄膜结构；所述电池薄膜结构包括依次堆叠的光入射层、第一电池单元、渐变缓冲层和第二电池单元；所述第一电池单元的材料体系与GaAs晶格常数匹配；所...
    2026-02-07
  • 一种太阳能电池、制造方法以及光伏组件
    一种太阳能电池、制造方法以及光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511546176.1
    本发明涉及一种太阳能电池、制造方法以及光伏组件，该太阳能电池包括硅基底、第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层和透明导电层；透明导电层至少设置于部分第一掺杂半导体层和部分第二掺杂半导体层上；硅基底的第一表面还包括未设置透明导电层的开口区域；透明...
    2026-02-07
  • 光伏组件及光伏系统
    光伏组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511587317.4
    本申请适用于光伏技术领域，提供了一种光伏组件及光伏系统，包括背板；设置于所述背板上的电池串；设置于所述背板和所述电池串之间的背胶膜层，所述背胶膜层具有朝向所述背板的第一表面，所述第一表面与所述背板粘接，所述第一表面设置为黑色，所述背板为玻璃...
    2026-02-07
  • 光伏组件及其生产工艺
    光伏组件及其生产工艺_晶科能源股份有限公司_202511626018.7
    本申请涉及光伏技术领域，尤其涉及一种光伏组件及其生产工艺，光伏组件包括依次层叠设置的第一盖板、第一胶膜、电池片层、第二胶膜和第二盖板，第一盖板设置于光伏组件的向光面；第一盖板与第一胶膜之间设有第一垫条，第一垫条覆盖第一胶膜的长边边缘区域、短...
    2026-02-07
  • 背接触电池组件及光伏系统
    背接触电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511588539.8
    本发明涉及硅太阳电池领域，具体公开了一种背接触电池组件及光伏系统。其包括相邻设置的第一电池串和第二电池串；第一电池串包括第一端部电池片和第一边缘焊带，第二电池串包括第二端部电池片、第二边缘焊带和第一次边缘焊带；第一边缘焊带、第一次边缘焊带分...
    2026-02-07
  • 一种背接触电池组件及光伏系统
    一种背接触电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511589342.6
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种背接触电池组件及光伏系统，包括第一类电池片和第二类电池片，第一类电池片和第二类电池片分别为整片电池片分片得到的两类电池片，且对整片电池片进行分片时，第一类电池片和第二类电池片沿第一方向共线的栅线极性...
    2026-02-07
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