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最新专利技术
  • 一种确定碳化硅外延炉气浮托盘稳定旋转的方法
    一种确定碳化硅外延炉气浮托盘稳定旋转的方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511424804.9
    本发明公开了一种确定碳化硅外延炉气浮托盘稳定旋转的方法，属于碳化硅外延技术领域，包括：根据外延材料测试结果，选取掺杂浓度和厚度均匀的外延片对应的气浮组合作为标准组合；其进气端外接惰性气体并逐步升压，记录气浮托盘稳定旋转至预设转速时的转速和对...
    2026-05-11
  • 晶体生长设备及晶体生长方法
    晶体生长设备及晶体生长方法_重庆奕欣科技有限公司_202511558498.8
    本公开涉及晶体生长设备及晶体生长方法。在一方面中，提供了一种晶体生长设备，包括：坩埚，用于在其中容置碳化硅原料和籽晶；等离子发生装置，设置于坩埚内，并位于碳化硅原料与籽晶之间，等离子发生装置用于将碳化硅原料受热分解产生的气相组分电离为等离子...
    2026-05-11
  • 坩埚装置、晶体生长系统、碳化硅晶体的制备方法
    坩埚装置、晶体生长系统、碳化硅晶体的制备方法_江苏集芯先进材料有限公司_202511701808.7
    本申请涉及晶体生长技术领域，公开了坩埚装置、晶体生长系统、碳化硅晶体的制备方法。该坩埚装置包括坩埚，所述坩埚内部限定出容纳空间；外环，通过螺纹连接在所述坩埚上方；坩埚盖，盖设在所述外环上，并通过螺纹与所述外环连接；石墨纸，设置在所述外环和所...
    2026-05-11
  • 一种碳化硅晶体生长炉和晶体生长方法
    一种碳化硅晶体生长炉和晶体生长方法_宁夏创盛新材料科技有限公司_202511746877.X
    本申请涉及晶体生长技术领域，尤其是涉及一种碳化硅晶体生长炉和晶体生长方法包括：炉体、加热器以及坩埚，坩埚包括：坩埚本体、盖体、扩径单元以及控流单元，扩径单元连接于坩埚本体的内壁，扩径单元自盖体向下延伸且呈环形设置；扩径单元靠近坩埚本体中心的...
    2026-05-11
  • 一种半导体氮化物薄膜材料及其制备方法
    一种半导体氮化物薄膜材料及其制备方法_山东大学_202511546182.7
    本发明涉及一种半导体氮化物薄膜材料及其制备方法，属于半导体薄膜材料技术领域。该半导体氮化物薄膜材料的组分包括化学式为Al1‑x1‑xSixxN1‑y1‑yOyy的化合物，其中，、；化合物为六方晶系，晶体空间群为P633mc。该半导体氮化物薄...
    2026-05-11
  • 一种氮化物外延片及其制备方法、LED器件
    一种氮化物外延片及其制备方法、LED器件_江苏第三代半导体研究院有限公司_202511558389.6
    本发明公开一种氮化物外延片及其制备方法及LED器件，该制备方法包括如下步骤：在衬底基板上形成外延结构，得到氮化物外延片；其中，外延结构包括多个第一氮化物结构以及覆盖所有第一氮化物结构的氮化物外延层，每个第一氮化物结构设置于衬底基板上，衬底基...
    2026-05-11
  • 一种高导热衬底上GaN单晶薄膜的制备方法
    一种高导热衬底上GaN单晶薄膜的制备方法_北京大学_202511708500.5
    本发明公开了一种高导热衬底上GaN单晶薄膜的制备方法，属于半导体薄膜材料领域。本发明通过引入二维氮化硼作为功能层，结合低温成核与高温外延工艺，实现了具有金属晶格极性的单晶AlN过渡层与散热衬底的高质量结合，有效降低了传统键合技术带来的界面热...
    2026-05-11
  • 一种分子束外延生长中Ⅲ族元素速率定标方法
    一种分子束外延生长中Ⅲ族元素速率定标方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511440838.7
    本申请公开了一种分子束外延生长中Ⅲ族元素速率定标方法，涉及分子束外延生长技术领域，该方法包括：步骤1、InP衬底、GaAs衬底或InAs衬底的表面氧化膜脱附；步骤2、在脱膜完毕的衬底上生长与衬底微失配的InAsP、GaAsP或AlAsP外延...
    2026-05-11
  • 一种二维扭曲堆垛多层WS2纳米结构及其制备方法
    一种二维扭曲堆垛多层WS2纳米结构及其制备方法_太原理工大学_202511307682.5
    本发明公开了一种扭曲二维堆垛WS2纳米结构及其制备方法，属于光电材料技术领域。所述纳米结构包括多个由下至上依次堆叠的三角形单层结构，各个三角形单层结构的中心重合且边长依次减小，任意相邻两层角度相对旋转产生扭曲，单层之间的扭曲角度为5~30°...
    2026-05-11
  • 一种利用分子束外延法制备二碲化钯单晶薄膜的方法
    一种利用分子束外延法制备二碲化钯单晶薄膜的方法_东南大学_202511929625.0
    本发明公开一种利用分子束外延法制备二碲化钯单晶薄膜的方法，属于纳米材料制备技术领域；包括：碳化硅衬底超声清洗后放入生长腔中，并进行退火处理，除去吸附在衬底表面的杂质；通过加减电流的方式，对退火后的碳化硅衬底进行多次flash处理，得到双层石...
    2026-05-11
  • 一种提升液相外延碲镉汞薄膜均匀性的装置及方法
    一种提升液相外延碲镉汞薄膜均匀性的装置及方法_昆明物理研究所_202511368337.2
    本发明公开了一种提升液相外延碲镉汞薄膜均匀性的装置及方法，包括气流导入管、含导气槽盖板、固定模块、自由滑动模块、样品承载台和支撑架。本发明在母液槽四周设计了四个用于热交换的储气槽，通过控制热交换气体的温度，形成一个由母液四周向母液中心逐渐降...
    2026-05-11
  • 一种基于RHEED斑点强度实时反馈的分子束外延碲镉汞薄膜生长控制方法
    一种基于RHEED斑点强度实时反馈的分子束外延碲镉汞薄膜生长控制方法_昆明物理研究所_202511393998.0
    本发明公开一种基于RHEED斑点强度实时反馈的分子束外延碲镉汞薄膜生长控制方法，包括：选取特定晶向反射斑点并监控其强度；设定生长参数，基于Hg/Te比例确定初始生长温度、温度区间及调整步长；在初始温度生长获取RHEED斑点强度初始值；经表面...
    2026-05-11
  • 一种填充方钴矿晶体及其制备方法
    一种填充方钴矿晶体及其制备方法_北京理工大学_202511427309.3
    本发明涉及一种填充方钴矿晶体及其制备方法，属于方钴矿材料技术领域。所述晶体的化学式为TexxRh44Sb1212，x为0.1‑1；所述晶体为立方晶系，空间群为Im‑3(NO.204)，晶格常数α＝β＝γ＝90°，晶体原胞体积为理论密度为8....
    2026-05-11
  • 一种铝系晶体材料的制备设备
    一种铝系晶体材料的制备设备_四川华树航新材料有限公司_202511436299.X
    本发明涉及晶体材料制备技术领域，公开了一种铝系晶体材料的制备设备，包括搅拌箱、搅拌机构和下料箱，所述搅拌机构设置在搅拌箱的内底部，所述下料箱连接在搅拌箱的顶面且延伸至搅拌箱内，所述搅拌箱的内壁连接有外侧表面呈倾斜设置的引流罩，所述下料箱的内...
    2026-05-11
  • 一种非线性光学晶体及其制备方法与应用
    一种非线性光学晶体及其制备方法与应用_福建师范大学_202511489465.2
    本发明涉及一种非线性光学晶体及其制备方法与应用，所述非线性光学晶体化学式为CdI33(C66H1313N22)，属于单斜晶系，空间群为CcCc，晶胞参数为a=10.0606(2)Å，b=9.8942(2)Å，c=13.5722(3)Å，α=...
    2026-05-11
  • 一种石英舟的饱和工艺
    一种石英舟的饱和工艺_通威太阳能(彭山)有限公司_202511076291.7
    本申请涉及太阳电池领域，公开一种石英舟的饱和工艺。饱和工艺包括以下步骤：向放置有石英舟的工艺管中通入载气，进行预处理，温度为800℃～950℃；向放置有石英舟的工艺管中通入混合气体，进行除杂处理，其中，混合气体包括氧气和含氯元素的掺杂气源，...
    2026-05-11
  • 碳化硅衬底的制备方法、碳化硅衬底及半导体器件
    碳化硅衬底的制备方法、碳化硅衬底及半导体器件_深圳大学_202510912123.0
    本申请提供了一种碳化硅衬底的制备方法、碳化硅衬底及半导体器件。所述制备方法包括如下步骤：选择原材料；对材料进行β射线辐照处理；对材料进行退火处理。本申请碳化硅衬底的制备方法包括β射线辐照处理，β射线辐照处理能够提升载流子的迁移率，使得碳化硅...
    2026-05-11
  • THM碲化镉多晶棒的碲衣去除方法
    THM碲化镉多晶棒的碲衣去除方法_广东晶智光电科技有限公司_202511314766.1
    一种THM碲化镉多晶棒的碲衣去除方法包括步骤：手握THM法制备的碲化镉多晶棒，用铁棒轻敲溶剂块，使溶剂块和碲化镉多晶分离；打开设于加热炉的石英管的密封法兰，将碲化镉多晶水平装入水平设置的石英管并置于加热器的恒温区中，用石英支撑件支撑；将打开...
    2026-05-11
  • 一种改善氮化铝光学性质的退火装置和方法
    一种改善氮化铝光学性质的退火装置和方法_深圳大学_202511549519.X
    一种改善氮化铝晶体光学性质的退火装置和方法，所述装置包括：退火坩埚盖、退火坩埚、结晶态氮化铝、支撑结构。其中，退火坩埚盖、退火坩埚、支撑结构同心与所需要改善光学特性的退火晶体同心，支撑结构放置在坩埚底部中心位置处，坩埚盖放置在坩埚上，坩埚盖...
    2026-05-11
  • 单晶硅晶棒的原位热处理方法
    单晶硅晶棒的原位热处理方法_上海超硅半导体股份有限公司_202511738640.7
    本发明涉及一种单晶硅晶棒的原位热处理方法。所述单晶硅晶棒的原位热处理方法包括如下步骤：提供一结束生长的单晶硅晶棒，单晶硅晶棒位于单晶炉内；调整单晶硅晶棒的转速至第一转速，并调整主加热器的功率，使得单晶硅晶棒在650℃~950℃温度范围内保温...
    2026-05-11
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