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最新专利技术
  • 一种球面金属基纳米叠层导电耐磨涂层及其制备方法与应用
    一种球面金属基纳米叠层导电耐磨涂层及其制备方法与应用_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202511286422.4
    本发明属于耐磨涂层技术领域，涉及一种球面金属基纳米叠层导电耐磨涂层及其制备方法与应用。本发明公开了一种球面金属基纳米叠层导电耐磨涂层的制备方法，包括：在40～70℃和1～5Mpa的惰性气体环境中，先后通过脉冲偏压刻蚀与高功率脉冲磁控溅射处理...
    2026-03-20
  • 一种具有近红外表面等离子共振特性的铋/硅复合纳米结构的制备方法
    一种具有近红外表面等离子共振特性的铋/硅复合纳米结构的制备方法_苏州光知赋科技有限公司_202511513509.0
    本发明属于纳米材料技术领域，且公开了一种具有近红外表面等离子共振特性的铋/硅复合纳米结构的制备方法，包括以下步骤；S1：准备待沉积衬底：选择衬底材料后并裁剪成1.5cm×1.5cm的方块；S2：清洗待沉积衬底：洁净沉积基底，保障结构附着与均...
    2026-03-20
  • 一种应用于镀锌板冲压模具PVD涂层工艺方法
    一种应用于镀锌板冲压模具PVD涂层工艺方法_东莞市霖晨纳米科技有限公司_202511550580.6
    本发明涉及涂层技术领域，具体涉及一种应用于镀锌板冲压模具PVD涂层工艺方法，方法包括：对模具进行预处理，将模具表面经湿法清洗后置于真空沉积腔体中抽真空，并在惰性气体环境下加热至预定温度；在模具表面进行等离子体预处理，选用铬靶材的高功率脉冲磁...
    2026-03-20
  • 一种基于磁控溅射导热芳纶纸的制备方法
    一种基于磁控溅射导热芳纶纸的制备方法_华南理工大学_202511629282.6
    本发明公开了一种基于磁控溅射导热芳纶纸的制备方法，具体包括以下步骤：前期对芳纶纸预处理以及靶材预处理，将已预处理的靶材安装在磁控溅射设备溅射室，将已预处理的芳纶纸用铁丝固定在磁控溅射的基片台上，正常启动磁控溅射仪器，对腔体抽真空，然后向腔体...
    2026-03-20
  • 一种塑料表面复合镀层结构的制备方法及其应用
    一种塑料表面复合镀层结构的制备方法及其应用_厦门建霖健康家居股份有限公司_202511633062.0
    本发明属于塑料表面处理技术领域，具体涉及一种塑料表面复合镀层结构的制备方法及其应用。所述制备方法如下：S1.将塑料基材进行等离子体清洗处理；S2.(1)通过第一磁控溅射处理在塑料基材表面形成底层过渡层Ⅰ；或，(2)通过涂覆有机硅烷浆料，固化...
    2026-03-20
  • 一种用于PVD涂层设备的智能工艺控制系统及方法
    一种用于PVD涂层设备的智能工艺控制系统及方法_常州夸克涂层科技有限公司_202511312596.3
    本发明公开了一种用于PVD涂层设备的智能工艺控制系统及方法，涉及物理气相沉积技术领域，包括人机交互模块、工艺数据库、数据处理模块、数据采集模块，所述人机交互模块用于用户通过设备显示端输入实际工件信息，以便核对实际工件信息，随后获取反馈结果，...
    2026-03-20
  • 一种带收卷压辊装置的跟踪辊机构
    一种带收卷压辊装置的跟踪辊机构_北京北方华创真空技术有限公司_202511301224.0
    本申请涉及真空卷绕镀膜设备技术领域，尤其涉及一种带收卷压辊装置的跟踪辊机构，包括：机架，所述机架上转动连接有收卷辊；摆架总成，所述摆架总成与所述机架转动连接，且所述摆架总成上安装有过辊组件；压辊摆臂，所述压辊摆臂转动连接于所述摆架总成上，且...
    2026-03-20
  • 团簇束流设备
    团簇束流设备_深圳扩维原子科技有限公司_202511756445.7
    本发明公开了一种团簇束流设备，涉及团簇束流技术领域，包括工作平台及依次连接的团簇产生、束流调控、束流筛选、沉积机构。工作平台设滑轨与滑动结构，便于各机构灵活定位拆装。团簇产生机构含角度可调冷凝腔、可调节喷嘴及离子漏斗，实现团簇精准生成；束流...
    2026-03-20
  • 一种钻针涂层及其制备方法
    一种钻针涂层及其制备方法_艾瑞森表面技术(苏州)股份有限公司_202511905121.5
    本申请涉及一种钻针涂层及其制备方法，制备方法中：将含钴碳化钨钻针置于涂层机内，抽真空、升温后经氩离子蚀刻；以脉冲偏压加速低功率溅射的碳化钨离子，形成碳化钨层；调整偏压与功率，通入含碳气体形成碳化钨掺杂含氢类金刚石过渡层；关闭碳化钨靶材，通过...
    2026-03-20
  • 沉积掩模及用于制造其的方法和电子装置
    沉积掩模及用于制造其的方法和电子装置_三星显示有限公司_202510856849.7
    提供了一种沉积掩模及用于制造其的方法和电子装置。沉积掩模包括：掩模基底，包括半导体晶圆；第一涂覆膜，在掩模基底上；以及第二涂覆膜，在第一涂覆膜上，并且包括交替地布置的孔图案和掩模图案，其中，孔图案的上部宽度小于孔图案的下部宽度。
    2026-03-20
  • 镓铝共掺杂n-ZnO/p-GaN异质结及制备和应用
    镓铝共掺杂n-ZnO/p-GaN异质结及制备和应用_太原理工大学_202511496899.5
    本发明公开了镓铝共掺杂n‑ZnO/p‑GaN异质结及制备和应用，属于半导体技术领域。包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、u‑GaN层和p‑GaN层、ZnO籽晶层以及镓铝共掺杂ZnO纳米棒。通过p‑GaN层生长结束后进行高温分解步骤形成多孔GaN，...
    2026-03-20
  • 一种用于铜配副的固体润滑薄膜及其制备方法和应用
    一种用于铜配副的固体润滑薄膜及其制备方法和应用_中国科学院兰州化学物理研究所_202511695902.6
    本发明提供了一种用于铜配副的固体润滑薄膜及其制备方法和应用，属于润滑材料技术领域。本发明的用于铜配副的固体润滑薄膜包括依次层叠设置的金属粘结层、金属碳化物梯度层和掺杂类金刚石碳膜层，所述金属碳化物梯度层中碳的含量沿所述掺杂类金刚石碳膜层的方...
    2026-03-20
  • 一种在硬质合金基底制备碳化硅涂层的方法
    一种在硬质合金基底制备碳化硅涂层的方法_上海交通大学_202511597668.3
    本发明涉及碳化硅涂层的制备技术领域，具体涉及一种在硬质合金基底制备碳化硅涂层的方法。所述方法包括以下步骤：首先对硬质合金基底进行预处理，随后将预处理后的基底放入热丝化学气相沉积设备内的夹具上，然后向反应腔内通入四甲基硅烷和氢气，通过热丝激发...
    2026-03-20
  • 一种TOPCON电池PECVD炉管维护后的复机方法
    一种TOPCON电池PECVD炉管维护后的复机方法_横店集团东磁股份有限公司_202410923590.9
    本发明提供了一种TOPCON电池PECVD炉管维护后的复机方法，包括如下步骤：将炉管内部在2～3h内升温至第一温度，且在升温至第一温度的过程中对炉管内部进行氮气吹扫；第一温度为180～220℃；在2～3h内继续升温至第二温度，且在升温至第二...
    2026-03-20
  • 一种热丝CVD系统及硅片边缘钝化方法
    一种热丝CVD系统及硅片边缘钝化方法_华胜微(江阴)半导体有限公司_202511502483.X
    本发明涉及一种热丝CVD系统，包括：真空腔室；真空腔室连接有真空及压力控制系统、气体输送及分布系统；竖直设于真空腔室中央的热丝电源馈入系统；沿热丝电源馈入系统方向设置的基底台，基底台上安装有旋转调节系统；以及，对基底台加热的衬底加热系统。通...
    2026-03-20
  • 一种PECVD设备清洗方法、系统、设备及存储介质
    一种PECVD设备清洗方法、系统、设备及存储介质_季华实验室_202511894891.4
    本发明涉及PECVD设备清洗技术领域，本发明公开了一种PECVD设备清洗方法、系统、设备及存储介质，包括：基于膜层信息生成自由基调控参数和压力调控参数；基于自由基调控参数调整气体供应单元的气体配比及双远程等离子体源单元的等离子体源功率，以初...
    2026-03-20
  • 一种用于半导体气路的多层源瓶
    一种用于半导体气路的多层源瓶_中科艾尔(北京)科技有限公司_202511372631.0
    本发明公开了一种用于半导体气路的多层源瓶，所述多层源瓶至少包括：瓶身以及设置在所述瓶身内的多个支撑体，每个所述支撑体布置有多个凹槽，相邻两个凹槽之间形成凸出部，所述凹槽和凸出部交替设置在支撑体上；其中，所述凸出部包括一个第一凸出部和多个第二...
    2026-03-20
  • 一种可控的纳米通道及其制备方法与应用
    一种可控的纳米通道及其制备方法与应用_华东理工大学_202510556743.5
    本发明属于纳米材料制备技术领域，公开了一种可控的纳米通道及其制备方法与应用，具体是基于液相沉积反应器的可控高度纳米通道制备方法及应用。该方法为使用异丙醇、去离子水分别冲洗基底；将基底放入沉积反应器中；选择性沉积，向反应器中通入前驱体溶液对所...
    2026-03-20
  • 一种用于交叉流的半导体处理设备及其应用
    一种用于交叉流的半导体处理设备及其应用_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511415651.1
    本申请涉及半导体技术领域，公开一种用于交叉流的半导体处理设备，包括反应腔和气体传输系统，所述气体传输系统连通所述反应腔，所述气体传输系统包括混合器，所述混合器连接有至少一组气体传输管路，其中，任意一组气体传输管路包括辅助气体管路和工艺气体管...
    2026-03-20
  • 一种c轴取向晶体IGZO薄膜的制备方法
    一种c轴取向晶体IGZO薄膜的制备方法_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511500786.8
    本发明涉及半导体材料领域，特别涉及一种c轴取向晶体IGZO薄膜的制备方法。本发明提供的c轴取向晶体IGZO薄膜的制备方法，利用原子层沉积设备，先沉积形成GaO层，再沉积形成ZnO层，然后沉积形成InO层，能够实现精确的层间覆盖，可以在不需要...
    2026-03-20
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