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  • 本发明提供了一种发电机防晕漆的非线性电导特性的评价方法,属于发电机绝缘材料技术领域。本发明评价方法主要通过测定防晕漆固化后的一系列理化参数(玻璃化转变温度Tg、浸润扩散速率参数sup、防晕漆中的填料含量PSiC、质量损失5%时的温度T5%、...
  • 本发明涉及GIS局放高精度三维定位技术领域,公开了一种多阶段迭代GIS局放高精度三维定位方法,技术方案要点为:S1 : 基于GIS设备结构构建电磁仿真模型,并利用电磁仿真优化超高频传感器的安装位置;S2 : 对采集信号执行宽频段自适应子频带...
  • 本发明公开了一种用于电缆绝缘老化程度的多参数协同检测方法及系统,涉及协同检测技术领域,包括:针对电缆绝缘测试场景,建立三元数据库并挖掘相态关系;内嵌三元数据库进行三通道特征融合部署,以所述相态关系部署跨域对齐引擎,建立协同检测单元;对目标电...
  • 本发明涉及一种基于温度场分布的超导电力设备局放定位方法和系统,方法包括:在超导电力设备内部的热量集中区域放置温度传感器阵列,获取温度场分布信息,热量集中区域包括设备端部、电流引线区域和支撑结构区域;在超导电力设备内部设置多个超声传感器;基于...
  • 本发明公开的静电放电器电冲击试验装置及试验方法,包括电源和示波器,电源的电压输出端电连接有冲击电压发生器,冲击电压的电压输出端电连接至电极,电极通过电极支架固定于接地平板顶部,接地平板上还设置有用于固定试验件的固定支座;示波器的电压接头通过...
  • 本申请公开了一种放电测试方法、电路及系统,放电测试方法应用于放电测试电路,放电测试电路包括第一电源、第一电感和待测功率模块,且第一电感并联在待测功率模块的输入端,第一电源并联在待测功率模块的输出端;该方法包括:在待测功率模块处于第一工作模式...
  • 本申请公开了一种绝缘检测电路、方法以及电池管理系统,在该绝缘检测电路中,第一分压电路中设置有第一开关,第二分压电路中设置有第二开关,第四分压电路中设置有第三开关,第一分压电路串接在正极端与第一参考节点之间,第四分压电路串接在正极端与第二参考...
  • 本发明公开了一种适用于高压半桥电路中的下管电流检测电路,旨在解决镜像电流采样方法在高压下电路系统可靠性低、功耗与面积难以兼顾的问题。检测电路包括电流采样电路、采样电压延时电路、带隙基准电路和电压转换电路;本发明电路在高压下避免采样管对功率管...
  • 本公开提供一种模拟开关类器件验证系统及方法,该系统包括:待测器件、上位机、激励源模块、验证母版、验证子板和示波器;激励源模块与验证母版相连接,被配置为对验证母版提供激励能量;上位机与验证母版相连接,被配置为对验证母版和激励源模块进行指令控制...
  • 本申请公开了一种功率半导体器件的结点温度检测方法、装置以及车辆。其中,该方法包括:基于驱动电机中功率半导体器件的功率控制参数,确定功率半导体器件的第一损耗参数;将第一损耗参数和功率半导体器件的目标环境参数输入至温度预测模型中,利用温度预测模...
  • 本申请涉及二极管领域,公开了一种多基色发光二极管模组参数指标的双向预测及优化方法,包括以下步骤,S1:采集多基色发光二极管模组在不同工作条件下的实验数据,所述实验数据至少包含散热器温度、各基色驱动电流以及对应的光学与色度参数;S2:基于S1...
  • 本发明属于特高压直流输电技术领域,具体涉及一种换流阀晶闸管级故障快速定位检测装置。检测装置通过接收模块接收阀控设备下发的触发信号,通过发送模块将触发信号转发给晶闸管级控制单元;还通过接收模块接收晶闸管级控制单元反馈的回检信号;逻辑处理模块根...
  • 本发明涉及IGBT模块测试技术领域,具体是涉及一种IGBT模块的绝缘测试设备,用于测试IGBT模块本体的绝缘情况,包括:底座,底座顶部的中心位置还设置有与IGBT模块本体配合的测试台,所述测试台的两侧还设置有与IGBT模块本体上的引脚片配合...
  • 本申请公开了一种宽量程的开关管漏电流检测方法及其系统涉及半导体器件检测技术领域,方法包括将待测NMOS开关管接跨阻放大器,采集漏极电流;跨阻放大器将漏极电流转化为输出电压信号V,可切换反馈电阻至少包括两路对应不同量程的反馈支路;检测到输出电...
  • 本发明涉及数据处理技术领域,尤其涉及一种高频二极管导电损耗特性测试系统,该系统包括:获取模块、第一判定模块、第二判定模块、第一确定模块、第二确定模块、调整模块以及输出模块。本发明通过采集多重关键数据,先根据正向电压、反向恢复电荷快速筛查,再...
  • 本发明公开了一种氮化镓功率开关管的导通电阻检测电路及系统。其中电路包括电压输出电路、电容器、第一电压钳位电路、充电二极管、放电二极管、电压探测器以及控制单元;在氮化镓功率开关管断开时电容器充电,电容器与氮化镓功率开关管的源极和漏极并联,第一...
  • 本发明属于半导体器件性能测试技术领域,具体涉及一种VCSEL外延片电阻率分布测量方法及系统,其方法包括:构建表征外延片的三维离散化模型和包含垂直电阻率、顶部横向电阻率及衬底漏电结非线性电阻的未知参数向量;定义物理响应函数,通过离散点拟合算法...
  • 本说明书实施例提供基于动态电性序列RNN的ATE内嵌式晶圆缺陷检测方法及装置,其中方法包括:从ATE测试过程中获取原始电性参数数据,并对原始电性参数数据进行预处理确定质量参数数据;基于质量参数数据,构建序列数据;构建初始深度序列学习模型,并...
  • 本公开提供一种电源管理芯片的测试平台,包括上位机、控制板、负载子板和仪表;控制板,被配置为接收上位机发送的测试指令,基于测试指令对仪表进行配置,向负载子板发送测试信号,接收负载子板发送的响应信号,基于响应信号得到测试结果,将测试结果发送给上...
  • 本发明提供一种解决晶圆级多个分立器件同测中测试失效的方法,该方法旨在解决现有技术中因单个器件失效导致整个测试批次数据丢失和良率不准的问题。本发明的方法包括:对待测器件组进行并行测试;若发生测试失效,则根据预设算法分析测试结果,识别并记录导致...
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