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最新专利技术
  • 一种金属氢化物表面钛基阻氢涂层结构的制备方法和应用
    一种金属氢化物表面钛基阻氢涂层结构的制备方法和应用_内蒙古工业大学_202511812360.6
    本发明公开一种金属氢化物表面钛基阻氢涂层结构的制备方法和应用，该涂层结构由金属氢化物基体和钛基阻氢层组成，钛基阻氢层覆盖在金属氢化物基体表面；钛基阻氢层的化学组成成分为氮化钛。其制备方法为：步骤(1)、将金属氢化物基材依次进行打磨处理、化学...
    2026-03-11
  • 一种边发射半导体激光器镀膜用陪条装置
    一种边发射半导体激光器镀膜用陪条装置_浙江慧目科技有限公司_202511398392.6
    本发明公开了一种边发射半导体激光器镀膜用陪条装置，其包括基座和立板，基座内开设有第一导气腔，基座背离立板的一侧设有氮气储存装置，氮气储存装置出气管与第一导气腔相连通，基座上端面设有若干陪条，陪条内开设有第二导气腔，陪条包括直板部和固定连接于...
    2026-03-11
  • 一种冷却装置、上下料方法及镀膜设备
    一种冷却装置、上下料方法及镀膜设备_江苏先导微电子科技有限公司_202511480255.7
    本申请公开了一种冷却装置、上下料方法及镀膜设备，冷却装置包括冷却盘部件、驱动机构和交接机构；冷却盘部件的表面用于接收并冷却工件；驱动机构用于驱动冷却盘部件升降；交接机构包括顶针组件和顶起组件，顶针组件用于与活动至预设位置的冷却盘部件发生接触...
    2026-03-11
  • 一种用于真空、高温和粉尘条件下的观察窗
    一种用于真空、高温和粉尘条件下的观察窗_北京北方华创真空技术有限公司_202410860268.6
    本申请提供一种用于真空、高温和粉尘条件下的观察窗，包括：工作腔体、闪频腔体和闪频组件，工作腔体一侧开设有可视狭缝，工作腔体上设置有调节器，调节器用于调整可视狭缝的尺寸；闪频腔体设置于工作腔体一侧，且闪频腔体一侧与可视狭缝连通，另一侧设置有观...
    2026-03-11
  • 一种晶圆对中寻边系统及方法
    一种晶圆对中寻边系统及方法_芯材芯(苏州)半导体科技有限公司_202311476487.6
    本发明涉及一种晶圆对中寻边系统及方法，首先采集晶圆的旋转角度数据及半径数据，并对每次采集到的该旋转角度数据及该半径数据计算晶圆的中心坐标，再剔除异常的晶圆中心坐标，然后对正常的晶圆中心坐标进行最小二乘法，确定精确的晶圆中心坐标并确定切角位置...
    2026-03-11
  • 一种基于大板模式下的玻璃镀膜控制方法
    一种基于大板模式下的玻璃镀膜控制方法_天津旗滨节能玻璃有限公司_202511386970.4
    本发明涉及磁控溅射镀膜技术领域，公开了一种基于大板模式下的玻璃镀膜控制方法，包括以下步骤：S1、对磁控溅射镀膜系统的硬件布局进行优化，取消清洗机出口处的过渡台二，将其缓存功能合并至进口对位台，仅保留过渡台一和进口对位台；S2、建立真空腔体提...
    2026-03-11
  • 一种优化PVD预溅射的腔体结构
    一种优化PVD预溅射的腔体结构_安徽熙泰智能科技有限公司_202511397135.0
    本发明涉及薄膜制备技术领域，公开了一种优化PVD预溅射的腔体结构，包括溅射腔室、背板、靶材、防着板、进气口和孔洞；溅射腔室的底部设有用于穿过进气口的孔洞，背板、靶材和防着板均设置在溅射腔室的内部，背板的上表面设置靶材，防着板设置在背板和靶材...
    2026-03-11
  • 一种多晶金刚石薄膜生成方法、系统、终端及存储介质
    一种多晶金刚石薄膜生成方法、系统、终端及存储介质_深圳优普莱等离子体技术有限公司_202511770963.4
    本发明属于金刚石培育技术领域，公开了一种多晶金刚石薄膜生成方法、系统、终端及存储介质，所述方法包括：确定目标MPCVD设备，并对所述目标MPCVD设备中的反应腔体进行腔体清洗处理和起辉处理，得到目标反应腔体；确定目标形核配方，并根据所述目标...
    2026-03-11
  • 一种用于刻蚀设备的碳化硅聚焦环及其制备方法
    一种用于刻蚀设备的碳化硅聚焦环及其制备方法_北京亦盛精密半导体有限公司_202511351638.4
    本申请涉及刻蚀设备零部件的技术领域，具体涉及一种用于刻蚀设备的碳化硅聚焦环及其制备方法。该制备方法为：利用化学气相沉积法对石墨基体进行碳化硅沉积，获得碳化硅坯体，以碳化硅坯体为坯体材料进行外形加工，即得碳化硅聚焦环；沉积参数如下：单位MTS...
    2026-03-11
  • 一种适用于钛合金加工的涂层刀具及其制备方法
    一种适用于钛合金加工的涂层刀具及其制备方法_赣州澳克泰工具技术有限公司_202511796578.7
    本申请属于切削刀具生产制造领域，具体涉及一种适用于钛合金加工的涂层刀具及其制备方法，所述涂层刀具从内向外依次包括：增韧基体、CrN涂层、Cr‑B‑N涂层、CrB2/CraAlbNc涂层和(CrxAlyBz)N涂层，所述CrB2/CraAlb...
    2026-03-11
  • 碳化硅炉管制备方法及炉管安装结构
    碳化硅炉管制备方法及炉管安装结构_西安隆基乐叶光伏科技有限公司_202511286635.7
    本申请属于镀膜设备技术领域，尤其是涉及一种碳化硅炉管制备方法及炉管安装结构。该炉管安装结构包括炉体、炉管以及法兰组件。炉体内形成有沿炉体的轴向贯穿的炉体腔，且炉体的轴向一端为炉体口；炉管沿轴向穿入于炉体腔且内形成有炉管腔，炉管的轴向一端为炉...
    2026-03-11
  • 一种集成型半导体反应腔室
    一种集成型半导体反应腔室_靖江嘉昇和真空技术有限公司_202511626491.5
    本发明涉及半导体反应腔室相关技术领域，一种集成型半导体反应腔室，包括壳体，所述壳体的底部安装有底板，所述底板的底部安装有调节机构，且调节机构的顶部安装有托料盘，所述底板的顶部安装有转动机构，所述壳体的内壁安装有清洁机构；通过设置调节机构使得...
    2026-03-11
  • 一种适用于高粘度前驱体的源瓶
    一种适用于高粘度前驱体的源瓶_合肥安德科铭半导体科技有限公司_202511474311.6
    本发明公开了一种适用于高粘度前驱体的源瓶，涉及半导体薄膜沉积领域，包括：瓶体、瓶盖、进气管以及出气管；瓶盖通过螺栓可拆卸安装在瓶体上的开口处，瓶体内置高粘度前驱体，进气管和出气管分别插接在瓶盖上并伸入瓶体内，通过歧管结构和多个出气口将单股载...
    2026-03-11
  • 一种原子层沉积设备及沉积方法
    一种原子层沉积设备及沉积方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410843600.8
    本发明公开了一种原子层沉积设备及沉积方法，其中，原子层沉积设备包括：反应腔；主进气管路，所述主进气管路的第一端连通反应气源，第二端连通反应腔；控压管路，其第一端连通主进气管路，第二端连通气泵；惰性气体管路，其第一端连通惰性气体气源，第二端连...
    2026-03-11
  • 一种工艺配方的处理方法、上位机以及半导体工艺设备
    一种工艺配方的处理方法、上位机以及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410852390.9
    本申请提供的工艺配方的处理方法，解决了对于晶圆数量不同的工艺，手动调整工艺参数，降低了出货效率以及增加了数据统一管理的难度的技术问题。本申请通过预先配置参数表，参数表包括目标参数与预设工艺参数的对应关系，当执行当前工艺批次时，根据当前工艺批...
    2026-03-11
  • 工艺腔室
    工艺腔室_北京北方华创微电子装备有限公司_202410852796.7
    本申请公开一种工艺腔室，其包括腔体、基座、顶针和连接件，其中，所述基座和所述顶针均设置于所述腔体内，所述基座设有多个通孔，各所述通孔中一一对应设有所述顶针，所述顶针均包括针体和限位件，所述限位件固定连接于所述针体的外表面；所述连接件固定连接...
    2026-03-11
  • 多区域热控喷淋头
    多区域热控喷淋头_ASMIP私人控股有限公司_202510854882.6
    提供了一种用于在反应室内分配气体的喷淋头组件。喷淋头组件包括顶板、气体分配板和多个热可控区域。气体分配板联接至顶板。气体分配板还具有面向顶板的顶表面和配置为面向设置在反应室内的衬底的底表面。多个热可控区域被制造在顶板和气体分配板中的至少一个...
    2026-03-11
  • 间隙填充方法、系统和设备
    间隙填充方法、系统和设备_ASMIP私人控股有限公司_202510857705.3
    公开了一种用于在衬底的凹部中沉积氧化物的方法、系统和设备，并且包括：a)在室中提供衬底，衬底包括通向凹部的至少一个开口，b)首先将前体脉冲到室中以优先化学吸附在第一区域中，c)将氧物质脉冲到室中以在与化学吸附的前体接触时在第一区域中形成第一...
    2026-03-11
  • 一种基于板式ALD双面沉积氧化铝膜的方法及应用
    一种基于板式ALD双面沉积氧化铝膜的方法及应用_泰州中来光电科技有限公司_202511406311.2
    本发明涉及太阳能电池制造技术领域，公开了一种基于板式ALD双面沉积氧化铝膜的方法及应用。该基于板式ALD双面沉积氧化铝膜的方法，搭配使用特制的镂空载板结构(镂空载板的缝隙宽度控制在1‑3cm)，并优化板式ALD的双面氧化铝膜的沉积工艺(包括...
    2026-03-11
  • 一种反应腔室及半导体薄膜沉积设备
    一种反应腔室及半导体薄膜沉积设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511463491.8
    本发明公开了一种反应腔室及半导体薄膜沉积设备，反应腔室内具有喷淋板，喷淋板的上方具有加热单元，反应腔室包括腔室本体、上盖板、第一隔热单元以及第二隔热单元，上盖板位于腔室本体的开口处，第一隔热单元覆盖在腔室本体的外侧，第二隔热单元位于上盖板外...
    2026-03-11
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