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最新专利技术
  • 一种碳化硅晶体生长熔体外热场温度梯度测量装置及方法
    一种碳化硅晶体生长熔体外热场温度梯度测量装置及方法_成都天一晶能半导体有限公司_202511245848.5
    本申请提供了一种碳化硅晶体生长熔体外热场温度梯度测量装置及方法，涉及碳化硅晶体生长技术领域，该装置包括杆体和温度测量装置，杆体的一端连接长晶炉的旋转轴，杆体上设有多个翅片，多个翅片沿杆体的轴向相间隔设置，且多个翅片围绕杆体的周面依次布置，每...
    2026-03-02
  • 用于β-Ga2O3晶体生长的助溶剂、其应用及晶体生长方法
    用于β-Ga2O3晶体生长的助溶剂、其应用及晶体生长方法_广东省科学院半导体研究所_202511313992.8
    本发明公开一种用于β‑Ga2O3晶体生长的助溶剂、其应用及晶体生长方法，用于β‑Ga2O3晶体生长的助溶剂包括氧化铋和氧化硼组成的混合物，氧化铋与氧化硼的摩尔比范围为(0.5～2)：(2～5)。该助溶剂用于β‑Ga2O3的晶体生长时，不仅能...
    2026-03-02
  • 一种低氧单晶硅晶种的熔接方法
    一种低氧单晶硅晶种的熔接方法_山东爱旭太阳能科技有限公司_202511303500.7
    本发明提供一种低氧单晶硅晶种的熔接方法，所述熔接方法包括：熔接开始时，保护气体的流量为常规流量，加热直至熔硅液面的温度为第一温度时，调节保护气体的流量为第一流量，持续升温并维持所述第一流量直至晶种完成熔接；降低熔硅液面的温度，并降低保护气体...
    2026-03-02
  • 一种CeO2掺杂M型钡铁氧体单晶的制备方法
    一种CeO2掺杂M型钡铁氧体单晶的制备方法_中国科学院新疆理化技术研究所_202511305662.4
    本发明提出了一种CeO2掺杂M型钡铁氧体单晶的制备方法，包括以下步骤：S1、将原料BaCO3、Fe2O3、CeO2粉末与助熔剂LiF‑NaF‑B2O3以及还原剂Zn粉真空干燥；S2、把上述原料、助熔剂以及还原剂进行称量与混合，得到混合原料；...
    2026-03-02
  • 一种M型钡铁氧体单晶的制备方法
    一种M型钡铁氧体单晶的制备方法_中国科学院新疆理化技术研究所_202511305664.3
    本发明提出了一种M型钡铁氧体单晶的制备方法，包括以下步骤：S1、先把原料BaCO3和Fe2O3进行称量，其中Fe2O3过量，同时掺杂适量CoO，把原料进行混合得到初步混合料，将初步混合料与助熔剂LiF‑NaF‑B2O3进行混合，得到混合原料...
    2026-03-02
  • 籽晶提拉组件及其装配方法
    籽晶提拉组件及其装配方法_常州臻晶半导体有限公司_202511698967.6
    本发明属于单晶生长设备技术领域，具体涉及一种籽晶夹持组件，尤其涉及一种籽晶提拉组件及其装配方法。其中，籽晶提拉组件通过所述气道、气滑环与散热气腔连通的独特设计，能够从外部气源主动地向旋转头内部通入可控的冷却气体，从而对旋转头均匀散热，从而克...
    2026-03-02
  • 一种大尺寸低缺陷碳化硅晶体生长的多场耦合动态调控系统
    一种大尺寸低缺陷碳化硅晶体生长的多场耦合动态调控系统_哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司_202511363920.4
    本发明属于晶体生长炉基础技术领域，尤其涉及一种大尺寸低缺陷碳化硅晶体生长的多场耦合动态调控系统，包括外生长炉，所述外生长炉的底部设置有底座，所述底座的一侧设置有支架，所述外生长炉的上端安装有密封盖，所述密封盖的边缘设置有盖板，所述支架上设置...
    2026-03-02
  • 一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶的低成本生长装置及方法
    一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶的低成本生长装置及方法_山东粤海金半导体科技有限公司_202511369316.2
    本发明涉及碳化硅领域，公开了一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶的低成本生长装置及方法。该装置在碳化硅粉料区中间留有圆筒形空腔，在圆筒形空腔位置安装空心石墨管；在碳化硅粉料区顶部设置石墨盖，石墨盖与空心石墨管及坩埚内壁共同形成封闭空间；空心石墨管的侧...
    2026-03-02
  • 碳化硅衬底和用于生长SiC单晶锭的方法
    碳化硅衬底和用于生长SiC单晶锭的方法_硅晶体有限公司_202511380262.X
    本发明涉及碳化硅衬底和用于生长SiC单晶锭的方法。本发明公开了一种碳化硅衬底，包括：内部区域(102)，所述内部区域(102)构成所述衬底(100)的总表面积的至少30％；环形外周区域(104)，所述环形外周区域(104)径向围绕所述内部区...
    2026-03-02
  • 一种进气匀气装置
    一种进气匀气装置_季华实验室_202511708174.8
    本发明涉及外延设备技术领域，本发明公开了一种进气匀气装置，包括进气管组、气体混合筒和匀气导流盒；进气管组包括若干个连通到气体混合筒内的进气管，进气管向气体混合筒的出口方向延伸，每个进气管包括排气段，排气段位于气体混合筒内，排气段呈螺旋状，每...
    2026-03-02
  • 一种在未退火蓝宝石衬底上直接生长高质量、定向二硫化钼薄膜的方法
    一种在未退火蓝宝石衬底上直接生长高质量、定向二硫化钼薄膜的方法_电子科技大学_202511173615.9
    本发明公开了一种在未退火蓝宝石衬底上直接生长高质量、定向二硫化钼(MoS2)薄膜的方法。该方法的核心创新在于：(1)采用硫化锌(ZnS)作为可控硫源，通过精确调控其浓度及通入时间，实现硫单体的可控、持续稳定供应；(2)引入氧驱动生长调控机制...
    2026-03-02
  • 可调控阻尼因子的赫斯勒合金及其制备方法
    可调控阻尼因子的赫斯勒合金及其制备方法_内蒙古工业大学_202511695402.2
    本发明属于自旋电子学技术领域，具体公开了一种可调控阻尼因子的赫斯勒合金及其制备方法，其中制备方法包括在衬底上制备赫斯勒合金薄膜；向压电陶瓷施加电压，使压电陶瓷处于拉伸态；将带有赫斯勒合金薄膜的衬底粘贴在处于拉伸态的压电陶瓷上，且赫斯勒合金薄...
    2026-03-02
  • 碲化镉多晶的制备方法
    碲化镉多晶的制备方法_广东晶智光电科技有限公司_202511314764.2
    一种碲化镉多晶的制备方法包括步骤：按照摩尔比1 : (1.021‑1.043)称取5N碲块和镉块；S2，将碲块装入石英管的底部，将镉块装入侧壁有锥度的石英舟内，再将石英舟装入石英管内并置于碲块上方，石英舟装入后保持石英管竖直放置，石英舟的径...
    2026-03-02
  • 一种导电聚晶金刚石复合片
    一种导电聚晶金刚石复合片_河南四方达超硬材料股份有限公司_202511290853.8
    本发明属于超硬材料技术领域，具体涉及一种导电聚晶金刚石复合片。本发明提供的导电聚晶金刚石复合片，制备方法包括以下步骤：将金刚石微粉、导电结合剂和高分子聚合物于溶剂中混合后去除溶剂得到混合料，将混合料压制成坯体并与硬质合金基体组装，经过热处理...
    2026-03-02
  • 一种厘米尺寸针状碘化铅的制备方法
    一种厘米尺寸针状碘化铅的制备方法_河南大学_202511350781.1
    本发明公开了一种厘米尺寸针状碘化铅的制备方法，包括以下步骤，将碘单质和铅单质放置在石英玻璃管内的一端；将石英玻璃管抽真空并封结；将封结好的石英玻璃管放置在管式炉内，同时将没有原料的的一端悬置在外部；进行第一热处理，使石英管内的碘单质和铅单质...
    2026-03-02
  • 温梯法生长氧化镓晶体的设备及其生长方法
    温梯法生长氧化镓晶体的设备及其生长方法_中国科学院上海光学精密机械研究所_202511033980.X
    本发明公开一种温梯法生长氧化镓晶体的设备及氧化镓晶体的生长方法，所述设备包括炉体和位于炉体内部的可密封的生长装置，生长装置包括：支撑机构；设置在支撑机构上的坩埚；升降机构；设置在升降机构上的隔离腔室，隔离腔室包括隔离腔室侧壁，隔离腔室通过升...
    2026-03-02
  • 一种获得大面积柔性自支撑四方相BiFeO3薄膜的方法
    一种获得大面积柔性自支撑四方相BiFeO3薄膜的方法_华南师范大学_202511057279.1
    本发明提供一种获得大面积柔性自支撑四方相BiFeO3薄膜的方法，包括以下步骤：在衬底上依次制备牺牲层和底电极层；在底电极层上制备BiFeO3层；向底电极层注入He离子，使BiFeO3晶格发生转变形成超四方相；将衬底和牺牲层剥离，得到自支撑四...
    2026-03-02
  • 短b轴等级孔ZSM-5纳米薄片分子筛单晶衍生物及其合成方法、应用
    短b轴等级孔ZSM-5纳米薄片分子筛单晶衍生物及其合成方法、应用_武汉理工大学_202511273688.5
    本发明涉及一系列短b轴等级孔ZSM‑5纳米薄片分子筛单晶衍生物及其合成方法、应用。在不添加介孔模板剂、无后处理的情况下，本发明选用廉价易得、环境友好的尿素作为生长修饰剂，利用尿素在高温晶化过程中分解产生的氨气作用于ZSM‑5分子筛的[010...
    2026-03-02
  • 一种高质量碳化硅同质外延片及其制备方法
    一种高质量碳化硅同质外延片及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511696955.X
    本发明公开了一种高质量碳化硅同质外延片及其制备方法，所述外延片包括外延层、SiC衬底和调控层，调控层位于衬底背面外部或衬底背面内部，外延层位于衬底正面；其中，所述调控层和衬底之间的晶格失配度与外延层和衬底之间的晶格失配度符号相同，但是绝对值...
    2026-03-02
  • 一种基于高静氮压与活性氮调控的氮化硅晶体及其生长方法
    一种基于高静氮压与活性氮调控的氮化硅晶体及其生长方法_浙大宁波理工学院_202511167751.7
    本发明涉及一种基于高静氮压与活性氮调控的氮化硅晶体及其生长方法。所述氮化硅晶体通过该成长方法制得，所述方法采用物理气相传输工艺，具体包括：通过向高纯β‑Si3N4与多晶硅混合构成的源粉中引入高静压氮气(1–3 bar)及微量NH3/N2混合...
    2026-03-02
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