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  • 本发明公开了一种改善金属件边缘异色的镀膜方法,包括步骤:施加第一偏压P1,开启Cr靶电源,设定第一功率W1,溅射第一时间T1形成过渡层;通入氩气和氮气,调节气压为第一气压值p1,设定第二偏压P2,开启Si靶电源,设定第二功率W2,溅射第二时...
  • 本发明公开了一种抗疲劳梯度Ag多层结构金属薄膜及其制备方法和应用,属于电池集流体技术领域。本发明的抗疲劳梯度Ag多层结构金属薄膜由基体和两个梯度Ag膜制成,两个梯度Ag膜对称沉积于基体的两侧,每个梯度Ag膜均由若干相同厚度的Ag层组成,各A...
  • 本发明涉及电池集流体技术领域,具体涉及一种抗疲劳Cu‑Zr成分梯度合金薄膜及其制备方法和应用。抗疲劳Cu‑Zr成分梯度合金薄膜由基体和两个梯度膜制成,两个梯度膜对称沉积于基体的两侧,任一梯度膜沿厚度方向自表面至基体,由表面层、中间层、过渡层...
  • 本发明属于真空处理技术领域,公开了一种真空处理装置。该真空处理装置包括壳体、工件装载组件和驱动组件,通过将壳体分为顶部壳体、中间主壳体和底部壳体三部分,将真空处理源设置在底部壳体内,将中间主壳体叠设在底部壳体上,将工件装载组件至少部分设置在...
  • 提供一种用于在由处理滚筒(170)支撑的柔性基板(160)上沉积材料的蒸发设备(100)。所述蒸发设备包括第一组蒸发坩埚(110)和气体供应管(130)。第一组蒸发坩埚(110)沿第一方向排列在第一线(120)中,以产生将沉积于柔性基板(1...
  • 本发明属于热整形炉技术领域,公开了一种热整形装置。该热整形装置包括炉体和炉盖。炉体竖直放置,且炉体的顶端设有开口。炉盖能够封堵于炉体的顶端开口,炉盖上间隔设有第一通孔和两个第二通孔,第一通孔位于两个第二通孔之间,第一通孔与第一加工件的第一管...
  • 本发明涉及卷对卷真空蒸镀技术领域,具体为一种改善卷对卷真空蒸镀膜面爆筋的方法,步骤包括:步骤1将基膜装载至卷对卷真空蒸镀机的放卷轴,调整基膜走向,固定于收卷轴,抽真空,降低蒸发室本底真空度;步骤2蒸镀前,对基膜进行低温等离子体活化处理;步骤...
  • 本发明属于材料表面改性技术领域,具体涉及耐腐蚀TiN/AlSiN纳米多层涂层及其制备方法和应用。本发明的耐腐蚀TiN/AlSiN纳米多层涂层按照如下步骤制备:旋转衬底,在旋转过程中交替间歇式靠近Ti靶和AlSi靶,采用多弧离子镀法,于衬底上...
  • 本发明公开了一种具有高(110)取向的难熔金属钨涂层及其制备方法,该钨涂层采用电弧离子镀工艺制备,呈现(110)择优取向且该取向织构系数不低于2,该制备方法包括:一、基体预处理;二、利用高能钨离子流轰击清洗基体;三、在清洗后的基体上沉积过渡...
  • 本发明公开了一种PVD镀膜装置,包括靶材,用于受轰击后释放带正电的靶材料颗粒;旋转平台,其上设置有受镀基板,并沿固定旋转方向匀速转动;受镀基板;以及负电压板,设置于旋转平台内部,所述负电压板为与受镀基板表面适配的环形结构。本发明通过带负电的...
  • 本发明公开了一种细晶高密度高纯钨靶材的制备方法,属于靶材制备技术领域,包括以下步骤:将钨粉压制成坯料;将坯料放置于镂空的托板上,在持续流动供应的氢气气氛下将坯料烧结为钨多孔件,坯料位于托板沿氢气供应方向的上游一侧,部分覆盖镂空穿孔,上游氢气...
  • 本发明属于柔性材料技术领域,具体为一种图案化真空吸附载板及其柔性传感器的制备方法,包括:步骤1:选用聚酰亚胺薄膜作为柔性基板,通过磁控溅射工艺将其划分为n个矩形功能区域,以作为吸附载板的电极基底;步骤2:沉积电极图案,先使用n个定制掩模板分...
  • 本发明公开了一种具有防垢功能的合金薄膜防垢器及制作方法,包括至少两个串联的管道结,与前端的管道结连接的前接头,与后端的管道结连接的后接头;所述管道结包括圆管和设于圆管两端的第一环形连接板;前接头和后接头均包括第二环形连接板和与第二环形连接板...
  • 本发明公开了一种立式单舱通过转移工位完成细长管内壁镀膜的镀膜设备,其包括上下料装置和炉体,上下料装置包括料架、翻转动力机构、夹具和推拉机构,翻转动力机构为料架的状态切换提供动力,夹具滑动连接在料架的外导向组件上,炉体内设有内导向组件、平移动...
  • 本发明公开了一种可炼靶的圆柱靶防污挡板,包括活动外挡板、固定内挡板、圆柱靶、挡板动力输入端和上限位组件,所述活动外挡板设在所述固定内挡板的外侧,所述圆柱靶设在所述固定内挡板的内侧,所述固定内挡板的上端与所述上限位组件相连,所述活动外挡板的上...
  • 本发明公开了一种控制医用镁合金表面镀膜渗层深度的方法,属于材料科学技术领域,通过改变镁合金的残余应力调控镁合金表面沉积镀膜的渗层深度。本发明利用残余应力主动调控渗层深度,精确优化镁合金材料表层的性能与寿命,实现材料性能与结构设计的精准匹配。...
  • 本发明公开了一种超平坦多波形高V掺杂LiNbO3薄膜传感器及其制备方法,所述制备方法包括,采用V掺杂原子数占比4%‑14%的LiNbO3靶材,通过磁控溅射法在基材表面制备高V掺杂LiNbO3薄膜传感器;其中,所述LiNbO3靶材的制备方法包...
  • 本发明涉及磁控溅射仪技术领域,具体是涉及一种新型磁控溅射仪,包括磁控溅射仪外壳,所述磁控溅射仪外壳内置高效靶材利用技术,所述磁控溅射仪外壳内置磁场增强技术,所述磁控溅射仪外壳内置多靶共沉积技术,所述精确温控组件设置在磁控溅射仪外壳的表面。本...
  • 本发明公开了一种防氧化复合铜的制备方法,涉及金属材料加工技术领域。防氧化复合铜的制备方法:包括以下步骤:将基膜经过磁控溅射铜靶材,形成过渡层;再水电镀沉积铜,形成表面金属层;得到复合铜箔;将复合铜箔置于抗氧化液中,浸泡5~10s,得到防氧化...
  • 本发明涉及一种铜靶材的表面处理方法,具体涉及靶材领域,所述表面处理方法包括:对铜靶材溅射面的环形区域和环形区域内的闭合区域分别进行第一等离子表面处理和第二等离子表面处理;所述环形区域的面积<闭合区域的面积;所述第一等离子表面处理所用气体包括...
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