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最新专利技术
  • 用于非易失性存储器初始化的技术
    用于非易失性存储器初始化的技术_美光科技公司_202510766046.2
    本申请涉及非易失性存储器初始化，例如与非NAND初始化。存储器系统的一或多个裸片可在所述存储器系统的一或多个控制器完成唤醒过程之前执行自动触发的初始化过程。例如，所述存储器系统可从空闲状态转变到唤醒状态。因此，所述一或多个裸片可响应于第一电...
    2026-02-13
  • 用于存储器系统的次要接口
    用于存储器系统的次要接口_美光科技公司_202510767015.9
    本申请涉及用于存储器系统的次要接口。一种存储器系统可经由第一接口接收命令，所述第一接口包括第一组一或多个输入/输出I/O引脚且根据包括第一调制方案及第一数据速率的第一通信协议进行操作。所述存储器系统可基于接收到所述命令，经由第二接口接收针对...
    2026-02-13
  • 一种存储器、存储器的操作方法及存储器系统
    一种存储器、存储器的操作方法及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410749386.X
    本申请提供了一种存储器、存储器的操作方法及存储器系统，涉及半导体芯片技术领域。该存储器包括存储阵列和耦接于存储阵列的外围电路，存储阵列包括存储块，存储块通过字线与外围电路耦接。其中，存储块包括已编程存储单元和未编程存储单元，已编程存储单元包...
    2026-02-13
  • 用于非易失性存储器设备的SLC子块模式
    用于非易失性存储器设备的SLC子块模式_闪迪技术公司_202411747728.0
    本公开涉及用于非易失性存储器设备的SLC子块模式。存储器设备包括具有布置在字线中的存储器单元的阵列的存储块，该字线被划分为子块，该子块中的每一者与单独的读取使用阈值相关联。控制电路被配置为：对该字线的该存储器单元进行编程以包括数据；对多个子...
    2026-02-13
  • 在编程-验证操作内暂停以缩短暂停等待时间
    在编程-验证操作内暂停以缩短暂停等待时间_美光科技公司_202510773241.8
    本申请案涉及在编程‑验证操作内暂停以缩短暂停等待时间。一种存储器装置包含具有多个存储器单元的存储器阵列。控制逻辑与所述存储器阵列可操作地耦合。所述控制逻辑在将多种数据状态编程到所述存储器阵列的一组所述多个存储器单元的同时接收暂停命令。所述控...
    2026-02-13
  • 非易失性存储器设备、存储设备以及操作其的方法
    非易失性存储器设备、存储设备以及操作其的方法_三星电子株式会社_202510152594.6
    一种操作包括单元串的非易失性存储器设备的方法包括：对单元串的第一串选择晶体管执行编程操作，基于第一参考电压对第一串选择晶体管执行第一读取操作，以及对单元串的连接到第一串选择晶体管的第二串选择晶体管执行编程操作，以：响应于通过第一读取操作获得...
    2026-02-13
  • 存储器控制方法与存储装置
    存储器控制方法与存储装置_合肥开梦科技有限责任公司_202511275782.4
    本发明提供一种存储器控制方法与存储装置。所述方法包括：检测对应于第一实体单元的读取事件；响应于读取事件，取得对应于第一实体单元的元数据；根据元数据，取得对应于第一实体单元的健康度评估值；根据健康度评估值与临界值之间的相对数值关系，取得电压调...
    2026-02-13
  • 单电源嵌入式闪存启动电路
    单电源嵌入式闪存启动电路_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510625422.6
    本发明公开了一种单电源嵌入式闪存启动电路，包括：单边延时模块，其将原始输入信号上升沿和下降沿分别延时形成第一输入信号和第二输入信号输出至与非门第一输入；与非门，其第二输入连接原始输入信号，其输出连接启动模块输入；启动模块，其用于产生偏置信号...
    2026-02-13
  • 读取电压的决定方法、存储器存储装置与存储器控制电路单元
    读取电压的决定方法、存储器存储装置与存储器控制电路单元_群联电子股份有限公司_202511219412.9
    本发明提出一种读取电压的决定方法、存储器存储装置与存储器控制电路单元。此方法包括：设定第一管理单元以及第二管理单元，其中第一管理单元中字元线的数量大于第二管理单元中字元线的数量，第一管理单元中的字元线对应相同的读取电压组，第二管理单元中的字...
    2026-02-13
  • 存储器装置及其编程操作
    存储器装置及其编程操作_长江存储科技有限责任公司_202410756419.3
    在某些方面，一种存储装置包括：存储串，包括漏极选择栅极(DSG)晶体管、存储单元和源极选择栅极(SSG)晶体管；位线，耦合到DSG晶体管；源极线，耦合到SSG晶体管；以及外围电路，通过位线和源极线耦合到存储串。外围电路被配置为在编程操作的预...
    2026-02-13
  • 接口电路、存储器控制器及校正多个信号处理装置的方法
    接口电路、存储器控制器及校正多个信号处理装置的方法_慧荣科技股份有限公司_202511234948.8
    本发明涉及接口电路、存储器控制器及用以校正于一存储器控制器的一接口电路内的多个信号处理装置的方法。该方法包括：于一链接程序中与一主机装置协商接口电路于一校正程序中的一运作模式；以及于校正程序中校正第一信号处理装置的一特性值与第二信号处理装置...
    2026-02-13
  • 静态随机存取内存操作的评估电路
    静态随机存取内存操作的评估电路_智原科技股份有限公司_202411880599.2
    本发明提供一种静态随机存取内存(SRAM)操作的评估电路。评估电路包括环振控制电路以及相互串接为一个SRAM串的多个SRAM实例。其中，SRAM串中的一个中间SRAM实例的字线致能信号输入端耦接至前级SRAM实例的内部信号输出端，以及中间S...
    2026-02-13
  • 一种面向大容量存储器晶圆的分选测筛方法及装置
    一种面向大容量存储器晶圆的分选测筛方法及装置_西安微电子技术研究所_202511200306.6
    本发明属于电路测试技术领域，公开了一种面向大容量存储器晶圆的分选测筛方法及装置，包括探针卡，所述探针卡上集成有测试激励电路和多版本管理电路，工作时，向待测存储器晶圆提供动态可调的电源参数，并生成满足待测存储器晶圆工作需要的接口时序，基于电源...
    2026-02-13
  • Flash预分析方法、装置、存储控制芯片及存储介质
    Flash预分析方法、装置、存储控制芯片及存储介质_深圳三地一芯电子股份有限公司_202511299097.5
    本申请公开了一种Flash预分析方法、装置、存储控制芯片及存储介质。该方法通过对局部数量的Block中各Page读写校验，作为Plane读写校验的参考依据，以局部结果代表Flash的品质，实现Flash的品质预分析，以此来提高存储产品的量产...
    2026-02-13
  • DRAM的字线物理地址测试方法、装置及存储介质
    DRAM的字线物理地址测试方法、装置及存储介质_皇虎测试科技(深圳)有限公司_202511642063.1
    本申请公开了一种DRAM的字线物理地址测试方法、装置及存储介质，涉及测试技术领域，其方法包括：分别确定所述DRAM的各个内存区域中的同区域WL以及同区域WL对应的邻区域WL；基于各个同区域WL对应的邻区域WL，确定各个内存区域之间的区域相互...
    2026-02-13
  • 具有锁存电路的存储器及存储系统
    具有锁存电路的存储器及存储系统_爱思开海力士有限公司_202411378925.X
    本公开涉及具有锁存电路的存储器及存储系统。存储器可以包括：存储阵列，其被配置为在其中存储写入数据并且提供存储在其中的写入数据作为读取数据；非易失性存储电路，其被配置为在其中存储修复信息；修复锁存电路，其被配置为在启动操作期间从非易失性存储电...
    2026-02-13
  • 损坏页识别装置、方法、内存控制器和存储系统
    损坏页识别装置、方法、内存控制器和存储系统_成都海光集成电路设计有限公司_202511354438.4
    本申请实施例公开了一种损坏页识别装置、方法、内存控制器和存储系统。损坏页识别装置包括：页地址记录模块，页地址记录模块包括记录控制单元和M个信息记录单元；中断管理模块，中断管理模块包括阈值存储单元和中断控制单元；每个信息记录单元用于记录页地址...
    2026-02-13
  • 接口复用电路及动态随机存储器
    接口复用电路及动态随机存储器_西安芯存半导体有限公司_202511659874.2
    本申请公开了一种接口复用电路及动态随机存储器。该接口复用电路包括接口模块、信息总线及处理模块，接口模块用于获取外部指令，其中，外部指令包括指令信息及操作信息；信息总线与接口模块连接，信息总线用于传输指令信息及操作信息；处理模块与信息总线连接...
    2026-02-13
  • 芯片修复分析方法、装置、电子设备及存储介质
    芯片修复分析方法、装置、电子设备及存储介质_深圳精智达半导体技术有限公司_202511029174.5
    本申请属于芯片修复技术领域，涉及一种芯片修复分析方法、装置、电子设备及存储介质。根据失效单元的位置信息，以冗余资源优先规则对失效单元进行逐一修复，并在资源冲突或修复失败时触发回溯机制，对先前的资源分配方案进行动态调整，有效避免了传统算法因暴...
    2026-02-13
  • 一种静电相互作用力的确定方法、装置、计算机设备和存储介质
    一种静电相互作用力的确定方法、装置、计算机设备和存储介质_上海思朗科技股份有限公司_202511221164.1
    本申请实施例提供了一种静电相互作用力的确定方法、装置、计算机设备和存储介质，所述方法包括：对于目标分子动力学模拟体系中每个原子，将当前原子作为第一原子，与指定的第二原子进行遍历，确定第一原子与第二原子之间的静电作用力，并抵消第一原子与第二原...
    2026-02-13
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