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最新专利技术
  • 半导体装置
    半导体装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480018623.3
    一种半导体装置，具备：第一导电型漂移层；第二导电型的主体层，其形成于所述漂移层的一主面侧的表面层；第一导电型的第一扩散层，其部分地形成于所述主体层的一主面侧的表面层；以及第一导电型的第二扩散层，其杂质浓度比分配形成于所述漂移层的另一主面侧的...
    2025-11-19
  • 半导体装置
    半导体装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480019855.0
    制造容易，抑制MOSFET的导通电阻的增加并且降低恢复电流。半导体装置(1)具有：第一导电型的漏极区域(11)；第一导电型的漂移区域(10)，其配置在比漏极区域(11)靠上方的位置，杂质浓度比漏极区域(11)低；第二导电型的主体区域(9)，...
    2025-11-19
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480018528.3
    提供一种寄生电容小的晶体管。此外，提供一种电特性良好的半导体装置。该半导体装置包括源电极和漏电极位于不同的高度的晶体管及设置在源电极与漏电极之间的绝缘层，绝缘层具有到达源电极和漏电极中的一个的第一开口，源电极和漏电极中的另一个设置在绝缘层上...
    2025-11-19
  • 半导体装置
    半导体装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480017078.6
    在二极管的恢复时，抑制载流子从二极管区域向IGBT区域流入而载流子集中于边界部从而元件被破坏的情况。在同一芯片内具有IGBT区域(21)和二极管区域(22)的半导体装置(1)中，IGBT具有第一导电型的漂移层(2)、第二导电型的主体层(3)...
    2025-11-19
  • 半导体装置
    半导体装置_索尼半导体解决方案公司_202480018916.1
    本发明使得对覆盖接合于成像元件的背面侧的半导体芯片的绝缘膜的平坦化变得容易。该半导体装置具有第一半导体基板、第二半导体基板和覆盖构件。半导体装置的第二半导体基板与半导体装置的第一半导体基板接合，并且在与接合表面不同的表面上设置有突起部。半导...
    2025-11-19
  • 用于背面供电应用的隔离模块形成
    用于背面供电应用的隔离模块形成_应用材料公司_202480024556.6
    描述了半导体元件及其制造方法。此方法包括组合牺牲层的选择性凹陷及硅层的各向同性蚀刻，以形成保护帽，此保护帽将允许在不影响此牺牲层的情况下蚀刻此基板的此硅层。
    2025-11-19
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社索思未来_202380096942.1
    半导体装置包括形成在形成有通孔的基板的下方并沿第一方向延伸的第一电源线、第二电源线和第三电源线、以及具有形成在基板的上方的第一晶体管和第二晶体管的电源开关电路。第一晶体管设置在第一电源线与第二电源线之间，且第一晶体管的源极连接到与第一电源线...
    2025-11-19
  • 扩散区宽度突变的行单元电路
    扩散区宽度突变的行单元电路_高通股份有限公司_202480019507.3
    逻辑电路在包括扩散区域的行单元电路中实现。每个扩散区域部分由单元电路中的晶体管使用。每个晶体管的电流容量取决于扩散区域部分的宽度。具有不同宽度的第一扩散区域部分和第二扩散区域部分沿轴(Y2)相交，其中行单元电路的扩散区域在宽度上突变(例如，...
    2025-11-19
  • 用于背侧电源应用的背侧电源岛
    用于背侧电源应用的背侧电源岛_国际商业机器公司_202480019836.8
    提供了一种半导体结构，其包括多个背侧电源岛，而不是背侧电源轨。背侧电源岛存在于第一器件轨道和第二器件轨道中。位于第一器件轨道和第二器件轨道中的每个背侧电源岛由第一切割区域隔离，并且位于第一器件轨道中的背侧电源岛与位于第二器件轨道中的背侧电源...
    2025-11-19
  • 用于混合高度标准单元电路的背侧供电
    用于混合高度标准单元电路的背侧供电_国际商业机器公司_202480015626.1
    一种半导体结构包括位于基板的第一单元高度区域内的第一多个背侧电源轨互连。第二多个背侧电源轨互连位于基板的第二单元高度区域内。第一隔离区域位于基板的第一单元高度区域与基板的第二单元高度区域之间。第一隔离区域电分离第一单元高度区域和第二单元高度...
    2025-11-19
  • 光电转换装置
    光电转换装置_佳能株式会社_202480014888.6
    光电转换装置包括具有第一表面和面向第一表面的第二表面的半导体层。半导体层包括多个雪崩光电二极管(APD)。多个APD包括第一APD和第二APD。第一APD和第二APD各自包括第一导电类型的第一半导体区域和第二导电类型的第二半导体区域。第一半...
    2025-11-19
  • 摄像装置
    摄像装置_松下知识产权经营株式会社_202480020383.0
    摄像装置具备多个像素(24)，多个像素(24)分别具有光电转换部(10A和电荷蓄积区域。光电转换部(10A)包括下部电极(2)、上部电极(5)以及光电转换层(4)，该光电转换层(4)位于下部电极(2)与上部电极(5)之间，并且通过吸收光来生...
    2025-11-19
  • 二维光感测器及二维光感测器的制造方法
    二维光感测器及二维光感测器的制造方法_克普勒股份有限公司_202480019189.0
    本发明提供一种可在薄膜电晶体工厂中低成本制造，且跨比较宽广的二维平面的二维光感测器。本发明的一种二维光感测器100，具备：排列了多个的光二极体；光二极体具有以下的积层体：第一金属电极11、第一半导体层12、第一欧姆接触层13、第一透明电极1...
    2025-11-19
  • 光检测装置、电子设备和半导体装置
    光检测装置、电子设备和半导体装置_索尼半导体解决方案公司_202480019706.4
    本发明提供了可以提高配线布局的自由度的光检测装置。具体地，该光检测装置包括以二维阵列状形成在半导体基板上的多个光电转换单元和多个像素晶体管。另外，多个像素晶体管包括：第一传输晶体管，其具有面向第一沟道形成区域的第一栅电极；和第二传输晶体管，...
    2025-11-19
  • 发光二极管及发光装置
    发光二极管及发光装置_安徽三安光电有限公司_202380010356.0
    本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管及发光装置，所述发光二极管包括：半导体发光叠层；第一电流阻挡层，所述第一电流阻挡层包括第一阻挡层和第二阻挡层；透明导电层，所述透明导电层具有开口部和凸出部，开口部与第一阻挡层之间形成有间隙部，...
    2025-11-19
  • 具有多个发光二极管芯片的发光二极管封装结构
    具有多个发光二极管芯片的发光二极管封装结构_科锐LED公司_202380096327.0
    公开了包括发光二极管(LED)的固态照明装置，并且更具体地，公开了具有多个LED芯片的LED封装结构。LED封装结构包括以下一个或多个布置：具有用于LED芯片的多个腔体的主体结构、与多个腔体配准的具有透镜的包封体、以及至少部分地位于主体结构...
    2025-11-19
  • 发光装置的修复方法和发光装置
    发光装置的修复方法和发光装置_迪睿合株式会社_202480020928.8
    在经由在第1绝缘性树脂层保持有第1导电粒子的第1导电膜来安装多个μLED的发光装置的修复方法中，从安装μLED中特别指定修复对象的μLED，通过激光剥离法将其从透光性基板去除，在去除了μLED的透光性基板的部分以单片状设置在第2绝缘性树脂层...
    2025-11-19
  • 包括光转换材料的LED灯丝布置
    包括光转换材料的LED灯丝布置_昕诺飞控股有限公司_202480019896.X
    一种LED灯丝100，包括透光载体(110)，透光载体包括第一表面(112)和与第一表面相对布置的第二表面(114)。LED灯丝还包括布置在第一表面上的第一LED阵列(120)，其中第一LED被配置为发射蓝色LED光(125)。LED灯丝还...
    2025-11-19
  • 钙钛矿太阳能电池及其制备方法、用电装置
    钙钛矿太阳能电池及其制备方法、用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202380096274.2
    本申请涉及一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法、用电装置。其中的钙钛矿太阳能电池，包括：层叠设置的钙钛矿量子点修饰层和钙钛矿吸光层，钙钛矿量子点修饰层位于钙钛矿吸光层的入光侧；钙钛矿量子点修饰层包含钙钛矿量子点，钙钛矿量子点的带隙宽度包括2eV...
    2025-11-19
  • 有机电致发光元件和电子设备
    有机电致发光元件和电子设备_出光兴产株式会社_202480024227.1
    提供元件性能得到进一步改善的有机电致发光元件、包含这样的有机电致发光元件的电子设备。具体而言，提供有机电致发光元件和包含这样的有机电致发光元件的电子设备，所述有机电致发光元件具有阴极、阳极和配置于上述阴极与上述阳极之间的有机层，上述有机层包...
    2025-11-19
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