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最新专利技术
  • 线圈组件
    线圈组件_罗伯特·博世有限公司_202480022699.3
    本发明涉及一种线圈组件(1)，该线圈组件包括：电路载体(2)；电线圈(5)，该电线圈的绕组(7)缠绕在磁芯(6)上并穿过内开口(6.1)；以及冷却组件(10)，其中，至少两个匝(8)分别具有带两个端件(8.2、8.3)的导电导体件(8.1)...
    2025-11-20
  • 具有双侧键合线的三维(3D)电感器
    具有双侧键合线的三维(3D)电感器_高通股份有限公司_202480018315.0
    公开了一种具有双侧键合线的三维(3D)电感器。该3D电感器使得能够实现高电感，例如，用于集成稳压器(IVR)和/或外部稳压器(EVR)。可以利用磁性模塑料来增强该3D电感器的电感。
    2025-11-20
  • 线圈部件和线圈部件的制造方法
    线圈部件和线圈部件的制造方法_胜美达集团株式会社_202380095897.8
    线圈部件(100)具有磁性铁芯(10)、线圈(90)、主体部件(20)以及端子部件(80)，该主体部件(20)具有基座部(30)，在基座部(30)形成有嵌合凹部(50)，端子部件(80)通过嵌合构造与嵌合凹部(50)嵌合，其中，嵌合凹部(5...
    2025-11-20
  • 用于他励同步电机、具有分段式铁氧体磁芯的电流传输装置
    用于他励同步电机、具有分段式铁氧体磁芯的电流传输装置_ZF腓特烈斯哈芬股份公司_202480023168.6
    用于他励同步电机的电流传输装置，包括具有一铁氧体磁芯的定子和具有另一铁氧体磁芯的转子，其中，在一铁氧体磁芯处可布置至少一个线圈，在另一铁氧体磁芯处可布置至少另一线圈，转子可旋转地支承地与定子连接，并且铁氧体磁芯中的至少一个铁氧体磁芯由多个铁...
    2025-11-20
  • 层叠陶瓷电容器
    层叠陶瓷电容器_株式会社村田制作所_202480021617.3
    提供一种能够不增大层叠陶瓷电容器的尺寸地提高电容的层叠陶瓷电容器。在层叠陶瓷电容器(1)中，第1内部电极层(31)的第1对置部(EA)具有作为相对于第1引出部(D1)配置得偏靠层叠方向(T)上的层叠体(10)的外侧且覆盖率比第1引出部(D1...
    2025-11-20
  • 含有离子改性纤维素的蓄电设备用电解质
    含有离子改性纤维素的蓄电设备用电解质_日本制纸株式会社_202480020852.9
    本发明提供一种含有环境负荷低且安全性高的物质作为电荷载体的如电容器或二次电池这样的蓄电设备用的电解质。使用离子改性纤维素作为蓄电设备用的电解质的电荷载体。离子改性纤维素优选为阴离子改性纤维素，也可以是阴离子改性纤维素纳米纤维。
    2025-11-20
  • 具有渐缩驱动轴区段的电路中断器
    具有渐缩驱动轴区段的电路中断器_伊顿智能动力有限公司_202480020584.0
    一种电路中断器，包括：可分离触点；驱动轴，联接到可分离触点并且构造成移动以使可分离触点断开和闭合；渐缩驱动轴区段，联接到驱动轴并且具有渐缩侧；以及摩擦组件。摩擦组件包括：摩擦装置，构造成与渐缩驱动轴区段的渐缩侧相互作用；衔铁，联接到摩擦装置...
    2025-11-20
  • 有载分接开关盖和有载分接开关装置
    有载分接开关盖和有载分接开关装置_赖茵豪森机械制造公司_202480017998.8
    本发明涉及一种有载分接开关盖(1)，所述有载分接开关盖包括：‑具有第一开口(1.5)的盖元件(1.1)，‑节流元件(30)；其中，‑所述节流元件(30)设置在所述第一开口(1.5)中。
    2025-11-20
  • 用于基板处理系统的多孔喷头
    用于基板处理系统的多孔喷头_希尔福克斯有限公司_202480019173.X
    多孔喷头包含多孔顶表面、多孔底表面、以及多个层。这些层堆叠于该多孔顶表面与该多孔底表面之间。这些层被设置成连接至基板处理系统的喷头组件的分配板。这些层的最上层具有该多孔顶表面。这些层的最底层具有该多孔底表面。这些层中的每一层包含部分熔融以形...
    2025-11-20
  • 半导体基板的制造方法、半导体基板及半导体装置
    半导体基板的制造方法、半导体基板及半导体装置_信越半导体株式会社_202480020094.0
    本发明为一种半导体基板的制造方法，其包含以下工序：离子注入工序，对4H‑SiC基板的表面实施硅、碳、氧中的至少1种的离子注入，在4H‑SiC基板内形成由硅与碳非晶化而成的非晶层；接合工序，将实施了离子注入工序的4H‑SiC基板与另一支撑基板...
    2025-11-20
  • 基片处理装置和基片处理方法
    基片处理装置和基片处理方法_东京毅力科创株式会社_202480020816.2
    本发明的目的在于适当地去除形成于基片的含金属涂敷膜的周边部。基片处理装置(1)依次执行：第一步骤，一边使形成有含金属涂敷膜的基片旋转，一边对从上述基片的端部起的第一宽度区域供给第一处理液来去除上述涂敷膜；第二步骤，对从上述基片的端部起宽度比...
    2025-11-20
  • 热处理装置和热处理方法
    热处理装置和热处理方法_东京毅力科创株式会社_202480022818.5
    本发明提供一种热处理装置和热处理方法。所述热处理装置具备：加热部，其支承基板并以500℃以上的高温将该基板进行加热；腔室，其包括盖部，所述盖部通过覆盖所述加热部来在所述加热部上形成处理空间，所述盖部的靠所述处理空间侧的面由含金属材料构成；以...
    2025-11-20
  • 基材表面处理装置
    基材表面处理装置_株式会社TMEIC_202480019991.X
    本公开的目的在于提供一种实现了处理液雾相对于基材的表面的利用效率的提高的基材表面处理装置。本公开的基材表面处理装置(101)中的排气机构(31)配置在沿着输送路径(R2)移动的输送台(2)的下方，在俯视时与输送路径(R2)重叠的区域具有排气...
    2025-11-20
  • 薄型晶圆的制造方法、晶圆层叠体及用于晶圆加工的临时粘合剂
    薄型晶圆的制造方法、晶圆层叠体及用于晶圆加工的临时粘合剂_信越化学工业株式会社_202480017689.0
    本发明提供一种薄型晶圆的制造方法，该方法在用于晶圆加工的临时粘合剂中使用热固性有机硅树脂组合物，该用于晶圆加工的临时粘合剂用于将晶圆临时粘合在支撑体上，其中，能够仅通过加热使热固性有机硅树脂组合物进行固化，且该组合物包含以下成分：(A)在一...
    2025-11-20
  • 基板处理方法和基板处理装置
    基板处理方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202480021451.5
    基板处理方法依次包括：准备基板，该基板具有第一主面以及朝向与所述第一主面的朝向相反的第二主面，并且在所述第一主面和所述第二主面分别具有起伏；进行所述第一主面的激光加工；进行所述第二主面的磨削加工或研磨加工；以及进行所述第一主面的磨削加工或研...
    2025-11-20
  • 等离子体处理装置用部件及部件的制造方法
    等离子体处理装置用部件及部件的制造方法_东京毅力科创株式会社_202480019555.2
    等离子体处理装置用部件包含基材和位于所述基材的表面的热喷涂膜。所述基材的表面具备主表面和在与所述热喷涂膜的终端部重叠的位置相对于所述基材的主表面凹陷的凹部。所述热喷涂膜具有在所述基材的主表面及所述凹部的内部的一部分上连续设置的第1热喷涂膜，...
    2025-11-20
  • 等离子体处理装置和等离子体处理装置内部件
    等离子体处理装置和等离子体处理装置内部件_东京毅力科创株式会社_202480020244.8
    一种等离子体处理装置，其特征在于：包括等离子体处理装置内部件，所述等离子体处理装置内部件包括气体供给路径和能够形成所述气体供给路径的形成部，在设所述气体供给路径在与所述气体供给路径的长度方向垂直的截面中的代表长度为d1、最长部长度为d2时，...
    2025-11-20
  • 计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置
    计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置_东京毅力科创株式会社_202480020297.X
    本发明提供能够以高精度调整通量参数的计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置。模拟利用等离子体处理基板的处理装置中的等离子体的状态，从模拟结果获取表示由等离子体引起的粒子入射到基板的状态的通量参数的估计值，使用模拟模型或者学习完毕模型，将获...
    2025-11-20
  • 使用基于硅烷的化学品执行原子层蚀刻
    使用基于硅烷的化学品执行原子层蚀刻_朗姆研究公司_202480023581.2
    所公开的示例涉及使用基于硅烷的挥发性化合物的原子层蚀刻。一示例提出一种用于对衬底执行原子层蚀刻的方法。所述方法包括执行多个原子层蚀刻循环。所述多个原子层蚀刻循环中的原子层蚀刻循环包括：使包括金属氧化物表面的衬底暴露于氟化剂，其中所述金属氧化...
    2025-11-20
  • 基板处理方法及基板处理装置、半导体装置的制造方法及半导体制造装置
    基板处理方法及基板处理装置、半导体装置的制造方法及半导体制造装置_株式会社斯库林集团_202380096107.8
    提供一种基板处理方法、基板处理装置、半导体装置的制造方法以及半导体制造装置，能够通过抑制或者减少发生膜缺陷而在短时间内高效地将致密性以及保护性能优异的自组装单分子膜成膜于基板表面。本发明的基板处理方法包含：膜形成工序，使包含SAM分子的处理...
    2025-11-20
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