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  • 本发明公开了一种臂架控制方法、装置、电子设备及存储介质, 包括:根据主臂最大变幅角度与主臂角度调整值的相减结果, 确定主臂举升减速角度;根据折臂最大变幅角度与折臂角度调整值的相减结果, 确定折臂举升减速角度;根据主臂最小变幅角度与主臂角度调...
  • 本发明公开了一种叉车动态AI视觉防撞系统及方法, 所述系统包括:车载控制器;分别与所述车载控制器电连接的传感器模块、AI摄像头、电液换向阀、停车电磁阀和智能语音喇叭;所述传感器模块获取叉车车速信号并传输至所述车载控制器;所述传感器模块获取叉...
  • 本申请提供了用于钢绞线提升和先张法应用的均衡楔形锁定装置, 涉及钢绞线锁定技术领域。通过在每个钢绞线上设置负载均衡活塞, 并利用公共负载均衡压力口连接液压油路, 确保在提升过程中每根钢绞线的张力达到均衡, 提高了系统的安全性和可靠性;避免了...
  • 本发明涉及水内塑料抬升技术领域, 具体地说, 涉及一种漂洗后水内塑料螺旋抬升设备。其包括过滤组件, 塑料碎片进入过滤组件内部后通过过滤组件将塑料碎片中的水过滤出来并将塑料碎片继续向上抬升, 所述过滤组件的上侧设置有抽送组件, 塑料碎片被抬升...
  • 本发明涉及食品加工技术领域, 公开了一种组合瓶盖饮料灌装线加盖设备, 包括底座, 还包括, 设置在底座表面的承重杆、设置在承重杆表面的升降件, 以及设置在底座表面用于调节自身高度的活动件, 转送机构, 设置在活动件表面, 伴随活动件的执行状...
  • 本发明公开了一种用于灌装机的工位故障检测方法, 通过工位传感器监测灌装工位或旋盖工位, 当工位传感器感应到灌装工位或旋盖工位发生变化时, 将工位变化信号发送至控制单元, 控制单元控制第一变量按规律递增或递减, 并控制第二变量按规律递增或递减...
  • 本发明涉及医用敷料生产设备技术领域, 公开了一种用于高粘医用敷料的自清洁灌装无残留生产设备, 包括机架, 所述机架外侧安装有外壳, 所述机架底部一侧安装有灌装底座, 所述机架和外壳之间设置有高压送料组件、清洁组件和灌装头组件;本发明通过设置...
  • 本发明涉及一种新型桶装水抽水器, 包括抽水器主体、水泵装置、水管组件和接头块, 抽水器主体呈横置的板体形状, 抽水器主体内设有电控模块和电池装置, 电控模块通过外接的导线与水泵装置电性连接, 电池装置与电控模块电性连接, 接头块的内侧具有用...
  • 本发明公开一种MEMS传感器芯片结构及MEMS谐振传感器芯片, 涉及精密检测技术领域, 包括:基底, 开设有凹槽结构的空腔;可动极板组件, 包括可动极板、驱动部和固定部, 可动极板位于空腔上方并通过固定部安装于基底上;振动片组件, 包括位于...
  • 方法包括:接收第一衬底;在第二衬底上形成接合层;将第二衬底接合至第一衬底;在第二衬底上形成可移动膜, 形成包括实施蚀刻操作以穿过第二衬底的厚度形成贯穿通孔;以及在可移动膜的表面上形成第一抗粘附结构。第一抗粘附结构的形成与贯穿通孔的蚀刻操作和...
  • 本申请提供了一种双层隔热吸气剂芯片及制备方法, 芯片包括轴向重叠设置的支撑层、隔热层和吸气剂层;其中, 所述吸气剂层包括吸气剂薄膜和加热器;所述支撑层和所述隔热层之间形成隔热间隙, 以进一步阻止所述加热器激活所述吸气剂薄膜产生的热量向所述支...
  • 本申请提供了一种MEMS封装结构、MEMS封装方法及电子设备。所述MEMS封装结构包括基板, 所述基板上设置有MEMS芯片;隔离结构, 所述隔离结构设置于所述基板, 所述隔离结构围设形成隔离腔, 所述MEMS芯片位于所述隔离腔。本申请能够提...
  • 本公开实施例公开了一种微机电结构、微机电结构的制备方法、传感器及电子设备, 所述微机电结构包括第一衬底层和第一绝缘层、第一电极层和支撑层和第二电极层, 所述支撑层设于所述第一绝缘层的靠近所述第一电极层的一侧并包覆部分所述第一电极层;所述第二...
  • 本发明属于微纳米结构加工技术领域, 提供一种微纳米反结构阵列制备方法, 包括以下步骤:在第一衬底表面设计反结构轮廓, 在第一衬底表面旋涂抗蚀剂形成薄膜层;对薄膜层中反结构轮廓区域进行电子束曝光、显影得到轮廓模板;采用电子束蒸镀在轮廓模板表面...
  • 本发明公开了一种抑制振膜余振的封装方法, 涉及芯片封装技术领域, 包括以下步骤:画胶:将贴片胶以预定厚度画在载体上;嵌芯片:再将芯片倒扣, 使得芯片的衬体嵌入贴片内, 芯片的振膜平行于载体, 且保证载体上的声孔位于振膜的投影范围内。通过将芯...
  • 本申请提供了基于分体键合的MOEMS扫描光栅的晶圆级制造方法, 涉及光电子器件制造技术领域, 包括:在第一晶圆上批量制备多个MEMS致动器;在第二晶圆上采用纳米压印工艺, 制备出与所述MEMS致动器位置精确对应的多个光学光栅结构。采用基于红...
  • 本发明属于光电器件加工技术领域, 具体涉及一种基于牺牲层释放工艺的微电极制备方法。首先在硅衬底上制备牺牲层, 然后依次在牺牲层上沉积第一材料层并热处理, 沉积金属电极层并图形化, 沉积第二材料层并热处理, 最后利用气态HF去除牺牲层, 得到...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制造方法, 所述半导体器件的制造方法包括:形成第一外延层于基底上;形成贯穿第一外延层的第一释放孔;形成图案化的第二牺牲层于部分第一外延层上, 图案化的第二牺牲层还延伸至第一释放孔的侧壁上;形成第二外延层于第一外延...
  • 本发明提供一种MEMS器件及其制造方法, MEMS器件的制造方法包括:提供一基底, 基底上形成有第一半导体层;形成凹槽于第一半导体层中;形成第一释放孔贯穿凹槽底壁的第一半导体层以及第二释放孔贯穿凹槽外围的第一半导体层, 凹槽的宽度大于第一释...
  • 本申请适用于微机电系统技术领域, 尤其涉及一种微阀门制造方法、微阀门及电子设备, 微阀门制造方法通过在基底的通孔的位置处设置至少两个阀门组件, 相邻两阀门组件之间具有条形间隙, 条形间隙在第一表面的投影至少部分落入通孔, 条形间隙与通孔形成...
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