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  • 本发明公开一种基于深度学习的视频丢包同步补偿方法及系统,包括:获取待补偿视频流并抽取原始视频帧特征,加载到含LSTM预测网络和GAN生成器网络的丢包补偿模型,其中时序预测单元包含带注意力门控的长短期记忆组件;LSTM预测网络通过时序预测单元...
  • 本申请涉及双目相机技术领域,公开了一种多仿生模态的双目鱼眼相机系统及控制方法,所述多仿生模态的双目鱼眼相机系统包括第一鱼眼相机、第二鱼眼相机、第一运动组件、第二运动组件和驱动组件;所述第一鱼眼相机与所述第一运动组件连接,所述第二鱼眼相机与所...
  • 本发明涉及图像通信技术领域,提出了一种井下煤矿数据抗干扰传输方法及系统,包括:采集井下煤矿视频,获取井下煤矿灰度图;获取像素点的灰度差异和灰度差异序列,根据灰度差异序列对所有灰度差异更新;根据灰度差异序列和灰度差异,获取灰度差值参量,灰度波...
  • 本申请内窥镜成像技术领域,提供了一种内窥镜色彩串扰抑制方法和内窥镜,其中,方法包括:获取图像传感器采集的原始内窥镜图像;在原始内窥镜图像中识别目标物参数,目标物参数包括目标物对应的目标颜色通道和目标尺寸参数;根据预先标定的标定目标物参数与标...
  • 本发明涉及音箱设备技术领域,尤其涉及一种蓝牙音箱智能调控方法、系统和蓝牙音箱,其中方法包括:判定音频延迟是否符合要求;响应于播放状态不符合要求,将持续时长以及传输参数存入故障数据集;训练概率模型;对下一周期内播放状态不符合要求的概率以及持续...
  • 本发明公开了一种无人机空中立体电子围栏构建方法及系统,涉及无人机技术领域,该方法包括以下步骤:基于地理信息系统与三维建模技术,在预设地理范围内划分电子围栏的区域边界,计算电子围栏范围;将配置完成的电子围栏集成至无人机系统,建立与无人机之间的...
  • 本发明涉及车载设备连接技术领域,尤其涉及一种设备终端间的配对连接方法、装置及设备。该方法包括以下步骤:采集所有车载设备的设备基础信息数据库,进行车载设备信任等级评估及差异化通信协议栈配置,构建差异化协议适配策略;实时监测车载环境的信号状态数...
  • 本申请提供了一种防止手机号卡诈骗的方法及系统,涉及无线通信领域,其在接收到手机号卡更换/挂失申请后,向用户设备发送身份验证请求,并触发对用户人脸图像的实时采集及近期行为记录(如登录频率、操作习惯、通话短信和流量的使用行为等)的自动提取。这些...
  • 本发明涉及智能电网及无线通信安全技术领域,公开了基于多维度信号分析的智能电表抗干扰检测系统及方法,该系统包括:主控芯片,所述主控芯片包括:通信质量分析模块和数据处理模块;无线通信模块;功率异常检测模块;该方法包括:通过同步分析射频功率与通信...
  • 本申请公开了一种无线频谱效率概率分布确定方法、装置、设备及介质,本申请属于无线通信网络技术领域。该方法包括:根据各频谱效率等级对应的传输字节数量确定总传输字节数量;根据各频谱效率等级对应的传输字节数量以及总传输字节数量确定各频谱效率等级的分...
  • 本发明涉及算力调度技术领域,一种AI驱动的6G边缘计算资源调度方法及系统,包括:基于资源调度指令确认出边缘机器人、中心计算端及多个边缘计算端,基于边缘机器人确认出任务难度指数,基于边缘机器人、中心计算端、中心距离、总带宽、机器人数量及机器人...
  • 本申请公开了一种协同定位方法及装置,方法包括:若接收到用户终端发送的呼叫信息,基于呼叫信息确定用户所在的第一位置范围;基于第一位置范围确定呼叫信息对应的定位策略;定位策略包括视频定位策略和图像定位策略;获取视频定位策略对应的视频流数据和/或...
  • 本发明公开了一种膜加热器及其装配方法,包括加热膜、PCB板总成、封装壳体和绝缘插装模组,绝缘插装模组的绝缘主体的两端分别设有多个弯铜脚和多个直铜脚,加热膜具有多个焊盘,PCB板总成具有多个铜圈焊孔,封装壳体设有贯穿正面和背面的定位插孔,弯铜...
  • 本发明涉及一种基于飞秒激光成丝探针的等离子体诊断方法及装置,属于激光等离子体诊断技术领域,方法利用飞秒激光高峰值功率特点形成直径仅百微米、长度仅数毫米的飞秒成丝探针,可对等离子体内部物质进行再次激发。再分别采集在使用和不使用飞秒成丝探针时的...
  • 本发明涉及电子元件焊接技术领域,且公开了一种集成电路板电子元件自动焊接设备,包括第二输送带,所述第二输送带的上方从进料端依次设置有修正机构、自动插件机,修正机构用于调整集成电路板一的位置使其在第二输送带的顶端居中,所述修正机构包括安装在第二...
  • 本发明提供了一种可拆卸型低压电器,其属于低压电器领域,其包括:安装板,所述安装板上侧壁固定连接有固定块,所述安装板上安装有第二固定组件,所述安装板上安装有低压电器本体,所述低压电器本体上端面安装有多个第一连接线,所述低压电器本体下端面安装有...
  • 本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种2T‑eFlash结构及形成方法,包括:提供一衬底,并在衬底上形成N阱区和浅沟槽隔离结构;在靠近浮栅对应沟道区域的浅沟槽隔离结构内形成两个凹槽,且两个凹槽对称设置于所述N阱区的两侧;形成栅氧结构,栅氧结...
  • 本发明公开了一种分流型SiC MOSFET结构及制造方法,结构包括:位于第一导电类型外延层一中的第二导电类型掺杂区一,位于第二导电类型掺杂区一中的第一导电类型掺杂区一;贯穿第一导电类型外延层二、位于第二导电类型掺杂区一之上、位于第一导电类型...
  • 本发明公开了一种TBC电池背面激光开膜的方法及背接触电池,属于太阳能电池领域,在硅基底背面上设置有交替间隔排列的若干第一区域和若干第二区域,第一区域与第二区域之间形成第三区域;对第一区域采用方形光斑进行激光开膜处理,沿纵向连续扫描形成激光扫...
  • 本发明涉及LED芯片技术领域,本发明公开了一种倒装高压发光二极管芯片及其制备方法,所述倒装高压发光二极管芯片包括衬底和层叠于衬底上的外延结构,外延结构包括外延层,外延层上形成有N型导电台阶和隔离槽,所述隔离槽将外延结构分隔为若干个独立发光单...
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