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最新专利技术
  • 一种基于二氧化硅隔离的硅基单片集成光电耦合器
    一种基于二氧化硅隔离的硅基单片集成光电耦合器_电子科技大学_202510922383.6
    本发明涉及光电耦合器技术领域， 具体为一种基于二氧化硅隔离的硅基单片集成光电耦合器。本发明通过在硅衬底的正上方制备SiO2层， 内嵌设置在SiO2层中的发光器件和感光器件， 两者之间通过SiO2形成介质隔离带， 实现了横向片上光耦结构；一方...
    2025-10-27
  • 一种CIS晶圆的重工方法
    一种CIS晶圆的重工方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511256394.1
    本发明公开了一种CIS晶圆的重工方法， 先采用氟醇类化合物溶液对待重工CIS晶圆表面已曝光光阻层进行预处理， 可以在后续灰化过程中有效阻止光阻层表面形成致密碳化层， 有利于提高刻蚀效率和刻蚀效果， 然后依次对经预处理后的已曝光光阻层进行灰化...
    2025-10-27
  • 一种柔性透明光探测阵列器件
    一种柔性透明光探测阵列器件_国科大杭州高等研究院_202510966508.5
    本发明公开了一种柔性透明光探测阵列器件， 包括柔性透明基底、透明电路层、若干光探测单元；所述的光探测单元在柔性透明基底表面呈阵列式均匀排布；光探测单元的两个电极分别通过透明电路层与电源的两极电连接。本发明的柔性透明光探测阵列器件， 通过透明...
    2025-10-27
  • 一种光学传感器的滤光器及其形成方法
    一种光学传感器的滤光器及其形成方法_格科微电子(上海)有限公司_202511278043.0
    本发明公开了一种光学传感器的滤光器及其形成方法， 一方面， 通过在具有光电元件的基板上依次形成多个滤光器， 在所述多个滤光器上形成根据元件配置和滤光器临接不稳定区域图案化的硬掩膜， 通过蚀刻背分离， 去除相邻滤光器的临界部分， 实现高精度且...
    2025-10-27
  • 一种基于镜像耦合介质BIC的窄带超表面红外探测器及其制作方法
    一种基于镜像耦合介质BIC的窄带超表面红外探测器及其制作方法_南京信息工程大学_202510948899.8
    本发明公开一种基于镜像耦合介质BIC的窄带超表面红外探测器及其制作方法， 属于红外探测与超材料交叉技术领域， 红外探测器包括从上往下依次设置的介质超表面功能层、介质膜层、上电极金属层、热释电功能层和下电极金属层， 上电极金属层和下电极金属层...
    2025-10-27
  • 半导体结构、背照式图像传感器及制作方法
    半导体结构、背照式图像传感器及制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511232543.0
    本发明提供了一种半导体结构、背照式图像传感器及制作方法， 属于半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底；光电二极管结构， 多个所述光电二极管结构设置于所述衬底；第一隔离结构， 设置于所述光电二极管结构之间；金属格栅， 设置于所述第一隔离结构上...
    2025-10-27
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_华虹集成电路(成都)有限公司_202510884837.5
    本发明提供了一种半导体器件及其制备方法， 包括：衬底；电容层位于衬底的器件区上， P型外延层至少位于电容层上；栅极结构位于器件区的P型外延层上；两个N型掺杂区分别位于栅极结构两侧的P型外延层中， 且两个N型掺杂区与电容层接触。本发明在器件工...
    2025-10-27
  • 图像传感器
    图像传感器_华虹集成电路(成都)有限公司_202510884831.8
    本发明提供了一种图像传感器， 包括：衬底；传输栅极位于衬底上， 浮动扩散区位于传输栅极一侧的衬底中；源跟随栅极位于衬底上， 源跟随源区和源跟随漏区分别位于源跟随栅极两侧的衬底中；MOM电容位于传输栅极和源跟随栅极远离衬底的一侧， 且浮动扩散...
    2025-10-27
  • 一种刻蚀方法及半导体工艺设备
    一种刻蚀方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510829013.8
    本发明提供了一种刻蚀方法及半导体工艺设备， 涉及半导体技术领域， 为解决采用相关技术提供的刻蚀方法以形成网格的过程中， 存在金属材料层顶部横推严重的情形， 致使金属材料层无法与上层的掩膜层平滑过渡的问题。该刻蚀方法包括提供半导体器件， 半导...
    2025-10-27
  • 焊带处理装置、焊带处理方法及电池串生产设备
    焊带处理装置、焊带处理方法及电池串生产设备_无锡奥特维科技股份有限公司_202511123267.4
    本申请提供了一种焊带处理装置、焊带处理方法及电池串生产设备， 焊带处理装置包括节点检测机构、焊带调整机构、焊带切断机构及焊带牵引机构。焊带牵引机构焊带切断机构处用于夹取依次经过焊带调整机构和焊带切断机构的N根焊带， 并牵引至预定位置处。每根...
    2025-10-27
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源股份有限公司_202510999283.3
    本公开实施例涉及光伏领域， 提供一种光伏组件， 光伏组件包括：电池片和焊带， 电池片上设置有多条栅线以及与栅线电连接的焊接部， 焊接部包括第一凸起部和第二凸起部以及位于第一凸起部和第二凸起部之间的凹陷部， 在第二凸起部指向第一凸起部的方向上...
    2025-10-27
  • 一种背接触式光伏组件
    一种背接触式光伏组件_嘉兴隆基光伏科技有限公司_202510950846.X
    本申请公开了一种背接触式光伏组件， 属于光伏组件技术领域。电池串包括电池片， 电池片具有相对设置的第一表面和第二表面， 电池片的第一表面设置有沿第一方向延伸， 沿第二方向交替间隔排布的第一电连接件和第二电连接件， 多个电池片包括第一电池片和...
    2025-10-27
  • 一种背接触太阳电池、点胶装置以及点胶方法
    一种背接触太阳电池、点胶装置以及点胶方法_华胜微(江阴)半导体有限公司_202510912037.X
    本发明涉及一种背接触太阳电池， 包括：电池片、栅线组件， 栅线组件包括：沿水平方向设置的第一细栅、与第一细栅相平行设置的第二细栅；垂直设于设于第一细栅、第二细栅上的第一主栅、第二主栅， 第一细栅与第二主栅相交处断开形成第一绝缘处， 第二细栅...
    2025-10-27
  • 测试方法、测试件及其制备方法
    测试方法、测试件及其制备方法_晶科能源(海宁)有限公司_202511247835.1
    本公开涉及光伏组件测试技术领域， 提供一种测试方法、测试件及其制备方法。该测试件用于光伏组件封装胶膜的剥离强度测试， 包括：背板， 包括相对的第一面和第二面；支撑筛网， 位于第一面， 支撑筛网的网孔露出第一面的部分区域；封装胶膜， 位于支撑...
    2025-10-27
  • 一种TOPcon电池箱
    一种TOPcon电池箱_中建材浚鑫(桐城)科技有限公司_202510847502.6
    本发明公开了一种TOPcon电池箱， 包括由内向外依次设置的外壳、绝缘壳、内壳， 所述内壳的内部为空槽用于安装TOPcon电池， 还包括内盖和上盖， 所述内盖固定于所述外壳的顶面， 所述内盖覆盖所述绝缘壳和所述内壳， 所述内盖的上表面与所述...
    2025-10-27
  • 一种低成本高性能的太阳能电池及其制造工艺
    一种低成本高性能的太阳能电池及其制造工艺_泰州中来光电科技有限公司_202410376719.9
    本发明涉及光伏电池技术领域， 具体公开了一种低成本高性能的太阳能电池及其制造工艺。包括：硅晶片， 形成在硅晶片上的隧穿氧化层以及掺杂多晶硅， 所述掺杂多晶硅上形成有N型掺杂区与P型掺杂区， 所述N型掺杂区与P型掺杂区之间间隔有本征多晶硅；所...
    2025-10-27
  • 一种太阳能电池、电池串、电池组件及光伏系统
    一种太阳能电池、电池串、电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511140726.X
    本发明实施例公开一种太阳能电池、电池串、电池组件及光伏系统。该太阳能电池包括基底以及设置于基底的第一表面的多个掺杂单元， 多个掺杂单元沿第一方向依次排列；多个掺杂单元中的每一掺杂单元包括沿第一方向依次排列的第一掺杂层和第二掺杂层；第一掺杂层...
    2025-10-27
  • 一种阵列基板及显示装置
    一种阵列基板及显示装置_厦门天马显示科技有限公司_202510925772.4
    本申请实施例公开了一种阵列基板及显示装置， 该阵列基板包括显示区和非显示区， 该显示区包括第一显示区和第二显示区， 其中， 与第二显示区的目标信号线电连接的扇出线包括了布局在显示区中沿第一方向延伸的目标连接引线， 非显示区的目标连接线通过该...
    2025-10-27
  • 射频开关及形成方法
    射频开关及形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510856424.6
    本发明提供了一种射频开关及形成方法， 包括：提供SOI， SOI包括邻接的开关区和控制区；在开关区和控制区的顶层硅内均形成若干个间隔设置的第一浅沟槽隔离结构；刻蚀开关区的第一浅沟槽隔离结构、埋氧层和部分厚度的底层硅， 以形成间隔设置的第二浅...
    2025-10-27
  • 一种用于triple well工艺中的防latch-up接触结构及其制备方法
    一种用于triple well工艺中的防latch-up接触结构及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202510932659.9
    本发明公开了一种用于triple well工艺中的防latch‑up接触结构及其制备方法， 结构包括：半导体衬底上的第一导电类型的深阱区；在第一导电类型深阱区内形成第二导电类型阱区， 在第一导电类型深阱区内制作第二导电类型沟道的MOSFET...
    2025-10-27
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