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  • 本发明提供了一种二氧化碳水合物法贮藏浆果的系统,属于果蔬贮藏技术领域,该二氧化碳水合物法贮藏浆果的系统包括浆果贮藏室、水合物生成釜、水合物分解器、二氧化碳一级储气罐、二氧化碳二级储气罐、换热系统和智能控制模块,该系统能够延长浆果的保鲜期,二...
  • 本发明提供贝莱斯芽孢杆菌TCS001,和/或贝莱斯芽孢杆菌TCS001脂肽类粗提物用于对稻瘟病菌进行生物防治的用途,以及诱导水稻抵抗稻瘟病菌的用途,所述贝莱斯芽孢杆菌TCS001保藏编号为CGMCC No.8921,为水稻稻瘟病菌的防治提供...
  • 本发明涉及化学诱导雄性不育技术领域,尤其是指一种化学诱导雄性不育的方法及其应用。本发明既无固定的不育系,保持系,也无固定的恢复系,只需对优良杂交组合中的任一个亲本自交系化学诱导不育,以产生非遗传性雄性不育系,而将另一个亲本自交系作授粉系即可...
  • 本发明公开了一种用于松茸种植的生长调理剂及其制备方法,属于松茸种植技术领域,该用于松茸种植的生长调理剂按照重量份计,包括柑橘青霉代谢产物5‑8份、孢子含量为20‑30个/g的丛枝菌根真菌2份、枯草芽孢杆菌108‑10<...
  • 本发明公开了一种蔬菜育苗柜,涉及农业蔬菜育苗设备领域,包括长板、推块、插块和拉杆,所述机箱的内壁开设有放置槽,所述长板滑动安装在放置槽内部,所述推块固定安装在长板靠近抽屉的一面,所述拉杆滑动安装在抽屉的顶部,所述插块固定安装在拉杆靠近推块的...
  • 本发明公开了一种邮票孔与LGA结合的板卡,涉及嵌入式技术领域。包括核心板和底板,底板设有与核心板对应位置的焊盘,焊盘用于焊接核心板和底板;核心板包括板卡本体,板卡本体上设置有多个邮票孔、多个LGA封装焊盘、多个LGA特殊焊盘、定位孔和屏蔽罩...
  • 本发明公开了一种基于PEDOT:PSS和银纳米线的柔性导电薄膜、制备工艺和应用,利用曲拉通对PET进行亲水改性,然后旋涂DMSO掺杂后的PEDOT:PSS溶液和AgNWs,经过冷焊后处理,最后利用聚乙烯醇PVA进行反接,制备成PEDOT:P...
  • 本发明公开了一种异相成核快速促进气体水合物生成的促进剂及其制备方法和应用,所述促进剂为包括L‑半胱氨酸、无机纳米颗粒以及水的复配促进剂,所述无机纳米颗粒为纳米铜粉、纳米氧化铜、纳米氧化铝、纳米氧化锌、纳米四氧化三铁中的一种或几种。本发明将无...
  • 本发明涉及一种钢丝绳保养设备及保养方法。包括铰接连接的第一管壳和第二管壳,在两者之间设有锁具;在两管壳的内壁上安装有相对设置的两个攀爬组件;在第一管壳的内腔上端设有可拆装的、中部带槽的探头基座并安装有超声探头,在第二管壳的内腔上端设有可拆装...
  • 本发明公开了锌指蛋白750(ZNF750)基因或其编码蛋白作为靶点在制备防治骨质疏松药物中的应用,属于生物医药领域。本发明首次发现ZNF750通过下调蜗牛家族转录抑制因子1(SNAI1)基因表达,增强Wnt/β‑catenin信号通路活性,...
  • 本发明提供了一种高活性合生元营养品及其制备方法与应用,涉及益生菌、益生元和后生元的活性激发与保护技术领域。本发明提供的制备方法包括:对柚皮白囊进行冻干粉碎后制得柚皮粉末;将柚皮粉末在乙醇内搅拌分散后分离干燥得改性粉末;将改性粉末与四氧化三铁...
  • 本发明公开了一种AB位高熵钛酸锶块体热电材料的高压快速制备方法和应用,其属于热电材料技术领域,其中,该高压快速制备方法包括以下步骤:按照AB位高熵钛酸锶块体热电材料的分子式中各元素的摩尔比称取含有Sr、Ca、Ba、La、Ti、Nb、Zr和H...
  • 一种测试电路板、显示面板和显示装置。测试电路板,包括:基底,测试电路,位于基底一侧;测试电路包括虚设电路层、第一绝缘层和虚设发光器件层,沿远离基底的方向依次叠置;虚设电路层和虚设发光器件层电连接;虚设发光器件层包括多个虚设发光器件,虚设发光...
  • 本申请提供一种显示面板以及显示装置,涉及显示技术领域,显示面板包括显示区和非显示区,所述非显示区包括绑定区,所述显示面板包括依次层叠设置的基板、第一导电层、钝化层和阳极层;在所述绑定区内,所述第一导电层包括间隔排布的多条信号线,所述阳极层包...
  • 本申请涉及钙钛矿电池技术领域,提供一种钙钛矿电池及其制备方法、叠层电池以及光伏组件,至少可以提高钙钛矿电池的效率。钙钛矿电池包括透明导电基底、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层和电极,其中,空穴传输层包括空穴传输材料,空穴传输材料结构式如...
  • 本公开实施例涉及光伏领域,提供一种光伏组件,光伏组件包括多个电池串、第一连接结构、第二连接结构、胶膜以及盖板,电池串包括多个电池片,多个电池片包含倒角的第一电池片和不包含倒角的第二电池片,第一电池片与第二电池片为整片太阳能电池切割而成的N分...
  • 本申请提供一种半导体器件,半导体器件包括至少一个MOSFET,MOSFET包括:第一电极、衬底、外延层、电流扩展层、第一掺杂层、第二掺杂层、第二电极、栅极、栅极介质层、底部屏蔽层和边缘屏蔽层;电流扩展层的掺杂浓度满足高浓度条件;沿着第二方向...
  • 本发明公开一种提升trench型MOSFET抗单粒子的工艺方法,在trench型MOSFET工艺基础上,通过设计与工艺优化增加器件产品的抗辐射性能,使之适应于太空中电离辐射的空间环境,提升器件产品高可靠性指标。本发明利用沟槽栅极多晶高度在源...
  • 本发明涉及电子设备散热技术领域,公开了一种电源设备的多层散热装置,包括电源主体,电源主体的热源上方固定连接有散热基板,散热基板的上端设置有顶板,散热基板的下端设置有底板,散热基板的两侧开设有若干个固定孔二,顶板的上表面开设有若干个固定插槽,...
  • 本发明涉及扩音设备技术领域,且公开了一种乐器演奏用扩声装置,包括扩音器及接收器,所述扩音器的底部固定安装有半球块。本发明能在扩音器被碰掉,当半球块先与地面接触时,能依靠半球块自身受到的重力,调整扩音器呈竖直状态,且当扩音器远离半球块的部分先...
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